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gan.功率元件
gan.功率元件 文章 進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區
適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字： 自主駕駛 LiDAR GaN FET
SR-ZVS與GaN：讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法
- 當今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機遇與挑戰。風(fēng)暴仍在繼續，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶(hù)對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設備的普及，用戶(hù)對于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競爭中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿(mǎn)足用戶(hù)個(gè)性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開(kāi)關(guān)、初級側控制器、FluxLink?
- 關(guān)鍵字： PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 激光二極管
低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢
- 消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著(zhù)大多數電子產(chǎn)品轉向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶(hù)希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動(dòng)充電器、PC 電源和電視電源時(shí)，面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時(shí)保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問(wèn)題，同時(shí)提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。在過(guò)去的幾十年里，隨著(zhù) GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓撲
- 關(guān)鍵字： TI GaN 電源拓撲
瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容
- 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 Transphorm GaN
GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
- 近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著(zhù)半導體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯，業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成
- 關(guān)鍵字： GaN 散熱能力
使用 GaN 器件可以減小外置醫用 AC/DC 電源的體積
- 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應用來(lái)說(shuō)，完全不依賴(lài)純電池設計可能是不可行、不適用和無(wú)法接受的。醫療系統就屬于這類(lèi)應用。相反，設備通常必須直接通過(guò) AC 線(xiàn)路運行，或至少在電池電量不足時(shí)連接 AC 插座即可運行。除了滿(mǎn)足基本的 AC/DC 電源性能規范外，醫用電源產(chǎn)品還必須符合監管要求，即滿(mǎn)足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現故障時(shí)，也不會(huì )給操作員或病人帶來(lái)危險。與此同時(shí)，醫療電源的設計者必須不斷提地
- 關(guān)鍵字： DigiKey GaN AC/DC
基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設計 TIDA-00961 FAQ
- 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
- 關(guān)鍵字： TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應用場(chǎng)景
- PC公司的氮化鎵專(zhuān)家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會(huì )展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實(shí)現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會(huì )期間，EPC的技術(shù)專(zhuān)家將于1月9日至12日在套房與客戶(hù)會(huì )面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應用場(chǎng)景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動(dòng)人工智能
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 CES 2024 氮化鎵 GaN
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
- Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產(chǎn)創(chuàng )新、用于陽(yáng)臺的小型發(fā)電廠(chǎng)的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽(yáng)能陽(yáng)臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開(kāi)關(guān)應用至關(guān)重要，同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著(zhù)縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
- 關(guān)鍵字： Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化鎵器件 GaN
面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來(lái)更多其他優(yōu)勢。我們將在下
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN 功率放大器
日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現GaN垂直導電
- 當地時(shí)間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會(huì )社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
- 關(guān)鍵字： GaN 垂直導電 OKI
gan.功率元件介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan.功率元件的理解，并與今后在此搜索gan.功率元件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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