gan.功率元件文章進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區

毫米波技術(shù)需要高度線(xiàn)性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

5G 通信正在改變我們的生活，同時(shí)也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數字化轉型，為工業(yè)、汽車(chē)和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場(chǎng)機會(huì )，例如實(shí)現創(chuàng )建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫療，并且加速實(shí)現安全的自動(dòng)駕駛汽車(chē)，等等?！?打造未來(lái)智能工廠(chǎng)——5G 無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )可以幫助工廠(chǎng)實(shí)現更高的可靠性，例如縮短延遲時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動(dòng)，并降低事故風(fēng)險?！?提供高質(zhì)量的醫療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實(shí)施遠程監測，進(jìn)行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
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第三代半導體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶(hù)數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線(xiàn)性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個(gè)第三代半導體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開(kāi)始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開(kāi)關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動(dòng)通信、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
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TI：運用GaN技術(shù)可提升數據中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著(zhù)各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導者期盼透過(guò)數據中心實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。他也強調，
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說(shuō)明了天字第一號模型：分類(lèi)器。接著(zhù)本期就來(lái)看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡(luò ))。自從2014 年問(wèn)世以來(lái)，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開(kāi)始涌現了許多極具吸引力的創(chuàng )作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫(huà)筆，使用GAN 進(jìn)行創(chuàng )作特別令人振奮，常常創(chuàng )作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺(jué)，例如圖1。?圖1近年來(lái)，非同質(zhì)化代幣NFT(
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射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

　　當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續飆升。這些市場(chǎng)需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò )性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動(dòng)下，基站無(wú)線(xiàn)電中的半導體器件數量急劇增加，移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商在降低資本支出和運營(yíng)支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò )的安裝和
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從手機快充到電動(dòng)汽車(chē)，氮化鎵功率半導體潛力無(wú)限

　　近期，蘋(píng)果“爆料大神”郭明錤透露，蘋(píng)果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時(shí)采用新的外觀(guān)設計?！　∨c三星、小米、OPPO等廠(chǎng)商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋(píng)果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋(píng)果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋(píng)果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價(jià)729元。圖片來(lái)源：蘋(píng)果　　如今，蘋(píng)果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場(chǎng)有望迎來(lái)高歌猛進(jìn)式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場(chǎng)規模將達1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰

EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時(shí)，與硅(Si)相比，還有兩個(gè)額外的考慮因素可以?xún)?yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開(kāi)關(guān)的潛力?！　〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時(shí)約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結周?chē)囊粋€(gè)小區域。漸進(jìn)式的改進(jìn)　　雖然不理想，但傳統的硅封裝可以而且已
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氮化鎵集成方案如何提高功率密度

　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站等設計得以實(shí)施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動(dòng)更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使得使用GaN元件進(jìn)行設計時(shí)，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰?！　aN場(chǎng)效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類(lèi)型，并且每種都具有各自的
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意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計

意法半導體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設計，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開(kāi)關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進(jìn)的高能效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)，可顯著(zhù)減少外圍元器件的數量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
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不只是充電器！99％的人不知道的事實(shí)：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)

　　過(guò)去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無(wú)疑為大家帶來(lái)了更快的上網(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時(shí)，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數據傳輸提升10倍以上，延時(shí)更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！　‘斎?，5G對數據傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠(chǎng)商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進(jìn)最新的氮化鎵技術(shù)，實(shí)現在提高充電器功率的同時(shí)，將體積控制得更小巧?！　《@里其實(shí)有一個(gè)有趣的事實(shí)：　　這項為5G手機帶來(lái)
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氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析

根據阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來(lái)應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來(lái)第三代半導體的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢逐漸顯現，正在打開(kāi)應用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車(chē)逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進(jìn)圖：資料來(lái)源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場(chǎng)高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？

　　氮化鎵充電器頻繁的出現在我們的視線(xiàn)中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來(lái)看看?！　〉壥堑玩壍幕衔?，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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PI打出芯片組合拳解決家電快充應用

　　2022年3月21日Power Integrations宣布推出節能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開(kāi)關(guān)的HiperPFS?-5系列功率因數校正(PFC)IC?！　私?，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個(gè)隔離器件和一個(gè)獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅動(dòng)器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET，具有無(wú)損耗的電流檢測，同時(shí)集成有上
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實(shí)現低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結構，成功
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