GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
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時(shí)間：2024-01-04
來(lái)源：全球半導體觀(guān)察
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202401/454492.htm隨著(zhù)半導體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯，業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。
據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。
在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成功地用金剛石作為襯底制造了GaN高電子遷移率晶體管。為了進(jìn)一步提高金剛石的導熱性，研究人員在GaN和金剛石之間加入了一層3C-SiC（立方碳化硅）層。這一技術(shù)顯著(zhù)降低了界面的熱阻，從而提高了散熱效率。
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