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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統一化和大功率容量再加上低系統成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅動(dòng)力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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2022 AVEVA PI System 中國用戶(hù)大會(huì )成功舉辦
- 近日，全球工程和工業(yè)軟件翹楚AVEVA 劍維軟件在蘇州舉行了2022 AVEVA PI System 中國用戶(hù)大會(huì )。此次大會(huì )主題為：激發(fā)工業(yè)創(chuàng )造力，加“數”前行。來(lái)自能源、電力、制藥、化工、制造、電子技術(shù)、食品等行業(yè)的業(yè)界專(zhuān)家一起探討如何激活數據潛力，精準施策，共同構建數字化工業(yè)創(chuàng )新。?AVEVA劍維軟件中國區總經(jīng)理萬(wàn)世平表示：“中國正在構建以數據為關(guān)鍵要素的數字經(jīng)濟。數據已經(jīng)成為各行各業(yè)制定戰略、生產(chǎn)、日常運作等不可或缺的信息來(lái)源和決策基礎。在應對數字化和低碳轉型的挑戰時(shí)，工業(yè)界需要覆蓋從頂層
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基于安森美半導體NCP1342驅動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿(mǎn)足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動(dòng)與MOS均采用美國安森美半導體技術(shù)！?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
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格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠(chǎng)商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠(chǎng)研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無(wú)線(xiàn)基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、 機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著(zhù)與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場(chǎng)中獲得應用。其中許多應用需要很長(cháng)的使用壽
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 放大器 GaN
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設計得以實(shí)現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使用 GaN 進(jìn)行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關(guān)鍵字： TI GaN
大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
- 2022年9月20日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動(dòng)智能設備已經(jīng)成為人們日常生活的重要工具，然而隨著(zhù)這些設備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設備有限的續航能力已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)對
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使用集成GaN解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設計得以實(shí)現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使用 GaN 進(jìn)行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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GaN將在數據服務(wù)器中挑起效率大梁
- 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因為服務(wù)器及其冷卻系統對能源消耗，占據了數據中心將近40%的運營(yíng)成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數據服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規模的成長(cháng)。今天，數據服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數字預計會(huì )不斷的成長(cháng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實(shí)境和虛擬現實(shí)，所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
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殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？
- 在電力電子應用中，為了滿(mǎn)足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門(mén)。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著(zhù)許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
- 關(guān)鍵字： 貿澤電子 GaN
東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應用的痛點(diǎn)
- 和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著(zhù)更高的電壓能力、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來(lái)新興的半導體材料。但他們也存在著(zhù)各自不同的特性，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，GaN 的開(kāi)關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數極小，開(kāi)關(guān)速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動(dòng)汽車(chē)的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車(chē)載充電）、低功率開(kāi)關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發(fā)射器和通用射頻放大
- 關(guān)鍵字： 202207 東芝 共源共柵 GaN
Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過(guò)了J
- 關(guān)鍵字： Transphorm GaN
東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應用痛點(diǎn)
- 受訪(fǎng)人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術(shù)統括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 回答：自從半導體產(chǎn)品面世以來(lái)，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著(zhù)化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
- 關(guān)鍵字： 東芝 GaN 級聯(lián)共源共柵
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan system!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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