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德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器
- 開(kāi)發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能 MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)高達100倍的寫(xiě)入速度增幅及250倍的功耗降幅，因而可從全新的地點(diǎn)獲得更多的有用數據 北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數據錄入和射頻(RF)通信能力進(jìn)入了一個(gè)新時(shí)代。新型 MSP430FR57xx FRAM 系列的面市進(jìn)一步彰顯了 TI 在嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，與基于
- 關(guān)鍵字： TI FRAM 微控制器
帶有串行接口的FRAM RFID LSI
- 鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。 概述 到目前為止，富士通半導體已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產(chǎn)品。這些產(chǎn)品最重要的特點(diǎn)就是它們內嵌FRAM。由于擦寫(xiě)速度快、耐擦寫(xiě)次數高，它們已經(jīng)作為數據載體型被動(dòng)RFID LSI而被全世界廣泛采用。 大存儲數據載體的優(yōu)勢就是RFID可以記錄可追溯數據，如制造數據
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM RFID LSI
IBM與Ramtron簽署FRAM代工協(xié)議
- Ramtron公司(RamtronInternationalCorp.)，作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)供應商，日前已經(jīng)與IBM公司的微電子集團達成了一項關(guān)于代工服務(wù)的協(xié)議。 Ramtron正在通過(guò)硅谷銀行(SiliconValleyBank)申請1100萬(wàn)美元的貸款，這筆貸款主要用于和IBM進(jìn)行代工合作所需的資本和開(kāi)發(fā)費用。根據這項計劃，兩家公司將會(huì )在IBM位于伯靈頓工廠(chǎng)安置Ramtron的FRAM半導體工藝技術(shù)。 Ramtron預計IBM的0.18微米的晶圓制造工藝將會(huì )在201
- 關(guān)鍵字： Ramtron FRAM
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