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2018汽車(chē)電子如何突破？這三大維度值得關(guān)注
- 2017下半年，伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車(chē)企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車(chē)積分并行管理辦法》(簡(jiǎn)稱(chēng)“雙積分辦法”)正式發(fā)布，眾多中外車(chē)企都面臨了更為迫切的減排壓力，也在無(wú)形中加速了新能源車(chē)的落地普及。由于燃油車(chē)在很長(cháng)一段時(shí)間內都將存在于市場(chǎng)，而電氣化技術(shù)在燃油車(chē)、混動(dòng)車(chē)的節能減排等方面發(fā)揮了越來(lái)越重要的作用，也導致了其電氣化比例在逐漸提升，進(jìn)一步刺激汽車(chē)電子產(chǎn)品，乃至功率器件等電子元器件的出貨量?！ 「鶕蘒HS的數據統計，2016年全球汽車(chē)電子的市場(chǎng)規模為1160億美元，預計2022年將達到1602億美
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM
成功可以復制，富士通攜新一代FRAM進(jìn)軍高端車(chē)載應用市場(chǎng)！
- 在前不久巴塞羅那舉行的奧迪首屆全球品牌峰會(huì )上，奧迪新一代A8旗艦級轎車(chē)正式首發(fā)，成為世界上第一款L3級自動(dòng)駕駛量產(chǎn)車(chē)。至此，自動(dòng)駕駛技術(shù)第一次真真切切地接管了人類(lèi)手中的方向盤(pán)!盡管奧迪表示新A8僅在60km/h以下的低速條件實(shí)現了自動(dòng)駕駛，但仍然賺足了全球車(chē)友的“眼球”。在消費者為之狂歡的同時(shí)，新A8也進(jìn)一步引發(fā)了消費者與業(yè)界對自動(dòng)駕駛系統“可靠性”的思考——你真的敢坐自動(dòng)駕駛開(kāi)的車(chē)么? 圖1：奧迪A8自動(dòng)駕駛技術(shù)采用多
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FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng )新存儲技術(shù)串起關(guān)鍵數據存儲一攬子解決方案
- 《華爾街日報》前不久的一篇文章指出，近年來(lái)智能手機、PC、平板電腦等設備的進(jìn)化并沒(méi)有以往那么快速，不過(guò)它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng )新，硬件廠(chǎng)商更多針對特定任務(wù)采用定制芯片。沒(méi)錯，技術(shù)的多樣性正在為各種應用帶來(lái)類(lèi)似 “定制化”的更優(yōu)化設計選項。而嵌入式系統數據存儲領(lǐng)域也是如此，以不同獨特性能的各種存儲技術(shù)正在為許多應用需求提供“定制化”的方案，其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上正在這樣做?！ 白鳛橄到y關(guān)鍵組成部分，存儲性能至關(guān)重要?！?nbsp;富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： FRAM NRAM
鐵電存貯器FRAM技術(shù)原理
- 鐵電存貯器是一種全新的存貯器，它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。鐵電存貯器的最大特點(diǎn)是可以跟隨總線(xiàn)速度無(wú)限次的寫(xiě)入，而且寫(xiě)入功耗極低。文中給出了 FRAM鐵電存貯器與普通存貯器的性能比較。指出了FRAM的主要應用領(lǐng)域。最后列出了RAMTRON串行和并行鐵電存貯器的主要型號和參數。
- 關(guān)鍵字： 鐵電存儲器 FRAM 無(wú)限次寫(xiě)入
FRAM：智能電表應用中的低功耗非易失性存儲器
- 鐵電存儲器(FRAM)廣泛應用于工業(yè)控制系統、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應用、高可靠性軍事和各種汽車(chē)應用。FRAM的特性不僅使其適用于上述應用，而且它還以其低功耗和高耐用性(圖1)的固有特性成為了智能電表應用的可靠選擇?！ ?圖1)：高端非易失性存儲器對比 電子設計的一個(gè)主要考慮因素是降低總功耗的同時(shí)提高可靠性。設計人員必須考慮增加功能，同時(shí)減少系統的功率預算，以實(shí)現更長(cháng)久的電池壽命。但是與此同時(shí)，嵌入式軟件正變得日益復雜，需要配備更多的存儲器，但這一點(diǎn)對功耗也有了進(jìn)一步要求?！ ∫话銇?lái)講，智能電表將
- 關(guān)鍵字： FRAM 智能電表
富士通與Nantero達成協(xié)議 2018年推出快1000倍的NRAM內存
- 富士通半導體和三重富士通半導體上周共同宣布宣布，他們已與總部位于美國的Nantero公司達成協(xié)議，授權該公司的碳納米管內存(NRAM)技術(shù)，三方公司未來(lái)將致力于NRAM內存的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)。據了解，借由NRAM技術(shù)所生產(chǎn)的內存速度將是當前普通內存的1,000倍。預計，借由三方面的合作，將在2018年推出借由55納米制程所生產(chǎn)的NRAM內存。 在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管(CNT)是一種很獨特的材料，直徑只有人類(lèi)頭發(fā)的五萬(wàn)分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲存領(lǐng)域，碳納米管通過(guò)矽基沉底也能達到
- 關(guān)鍵字： 富士通 NRAM
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