未來(lái)的Flash記憶體

　　Flash記憶體加工尺寸正越來(lái)越小，容量越來(lái)越高，耗電量越來(lái)越低，但與CPU類(lèi)似，到達某個(gè)尺寸后它也會(huì )迎來(lái)瓶頸，優(yōu)勢將變成劣勢?，F在市場(chǎng)上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD，東芝在上個(gè)月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線(xiàn)。目前估計Flash記憶體制造尺寸最小為8nm，可能要到20年代后期才可能出現。

　　加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假 設NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn)，那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過(guò)500 GB，而TCL(三層存儲單元)Flash芯片容量能達到1700 GB——一個(gè)SSD能采用最多數百個(gè)Flash芯片，即它的容量可達到數百TB。

　　但不幸的是，6.5nm Flash芯片的讀寫(xiě)延遲會(huì )顯著(zhù)增加，而低讀寫(xiě)延遲是SSD相對于機械硬盤(pán)的主要優(yōu)勢。