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關(guān)于單片機中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會(huì )集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價(jià)型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產(chǎn)了。
- 關(guān)鍵字： 單片機 flash eeprom
如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉,關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn)，他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
- 關(guān)鍵字： 燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash
NAND flash和NOR flash的區別詳解
- 我們使用的智能手機除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲呢，這就是我
- 關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh
東芝跑第一，64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣
- 據海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠(chǎng)商，不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖)，且開(kāi)始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預計將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
- 關(guān)鍵字： 東芝 Flash
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng) 在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能，應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng) 在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能，應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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