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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚

  •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚,而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災后瘋7供應商三星Flash廠(chǎng)部分復工

  • 三星西安工廠(chǎng)受到變電站爆炸停電影響,對供應緊張的NAND Flash雪上加霜,不過(guò)事故后回復速度很快,給當地供電局和三星應急處理點(diǎn)個(gè)贊。
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下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì )非常缺

  •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(cháng)最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠(chǎng)概念股群聯(lián)、創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元創(chuàng )2005年6月在美國那斯達克掛牌以來(lái)新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng )歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì )后,針對今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

  •   中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。   某研究所最新研究報告顯示,隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng),及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片,相較于2015年增長(cháng)近7倍。        預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%,其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。   拓墣
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TrendForce:2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片

  •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示,隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng),及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片,相較于2015年增長(cháng)近7倍。   TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%,其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認識嗎?

  •   Flash存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)Flash,它結合了ROM和RAM的長(cháng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì )因斷電而丟失數據,具有快速讀取數據的特點(diǎn);在現在琳瑯滿(mǎn)目的電子市場(chǎng)上,Flash總類(lèi)可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢?  為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認識?! ∫?、IIC?EEPROM  IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡(jiǎn)單的兩條總線(xiàn)線(xiàn)路,一條串行數據線(xiàn)(SDA)
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Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現死亡交叉

  •   資料儲存解決方案大廠(chǎng)NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅動(dòng),讓近年IT基礎架構進(jìn)入新一波的轉型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。   此外值得注意的是,TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降,預期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
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手機標稱(chēng)16G內存,為何實(shí)際卻少于16G

  •   摘要:現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區別,存儲芯片的實(shí)際大小與標稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢?   我們總是在說(shuō)手機內存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿(mǎn)足不斷增大的系統文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結構如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實(shí)際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國下個(gè)購并標的:NAND Flash控制芯片

  •   中國政府近來(lái)積極透過(guò)中資集團陸續收購或入資海外半導體公司,期建立自有半導體供應鏈?,F階段,邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀(guān)記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì )MIC認為,中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設法取得大規模制造產(chǎn)能,以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   資策會(huì )MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過(guò)購并,來(lái)改善半導體自制比例過(guò)低的情形,現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠(chǎng)商或已與外商
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TrendForce:經(jīng)濟前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(cháng)有限

  •   全球經(jīng)濟依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠(chǎng)商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(cháng),2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(cháng)44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠(chǎng)商將會(huì )加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(cháng)率將大幅增長(cháng)50%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增

  •   NAND Flash記憶體在出廠(chǎng)時(shí)是允許部分晶片含有壞區塊,或者好的區塊中含有一些錯誤位元,因此在實(shí)際應用時(shí),須搭配使用控制器,透過(guò)硬體與軟體進(jìn)行壞區塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統儲存效能。   NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速,平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來(lái)降低成本,在售價(jià)大幅下降情況下,愈來(lái)愈多嵌入式系統,例如:藍光播放器、電視、數位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

  •   研究機構TrendForce表示,隨著(zhù)清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內受到供過(guò)于求的影響呈現較為疲軟的格局,但長(cháng)遠來(lái)看,NAND Flash的相關(guān)應用成長(cháng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高,NAND Flash成為未來(lái)儲存
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SSD  

中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

  •   研究機構TrendForce表示,隨著(zhù)清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內受到供過(guò)于求的影響呈現較為疲軟的格局,但長(cháng)遠來(lái)看,NAND Flash的相關(guān)應用成長(cháng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高,NAND Flash成為未來(lái)儲存
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科技行業(yè)為Flash準備“葬禮”

  • 過(guò)去多年時(shí)間里,來(lái)自Adobe的熱門(mén)軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò )變得更豐富,然而,Flash的安全性一直飽受詬病,而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明,Flash應當走向消亡。
  • 關(guān)鍵字: Adobe  Flash  

基于A(yíng)RM7軟中斷程序的設計

  •   筆者在設計一項目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內核,帶512K字節的片內FLASH,98k字節的片內RAM,支持片外LOCAL BUS總線(xiàn),可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時(shí),需對片外的NOR FLASH擦寫(xiě)的需求。圖1為存儲部分框圖。        圖1存儲部分原理框圖   在設計中,片外NOR FLASH的大小為16M字節。其中2M規劃為存放運行程序,剩余的空間用于產(chǎn)品運
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