esd-20 文章進(jìn)入esd-20技術(shù)社區

提高汽車(chē)的功能安全性掌握ESD實(shí)現無(wú)干擾的數據傳輸

在日常生活中，人們觸摸車(chē)門(mén)時(shí)偶爾會(huì )感到手指刺痛或靜電沖擊，這感覺(jué)僅會(huì )令人不快；但對于一些電子組件，遇上靜電放電(ESD)可能意味著(zhù)完全失效。半導體結構越微小，模擬和數字I/O引腳的阻抗越高，便越容易受到靜電放電(ESD)的影響?？赡艿暮蠊╬/n結的熱擊穿、氧化物擊穿(電介質(zhì)擊穿)，以及金屬化層的熔化。目前電子組件大約占據一輛汽車(chē)總價(jià)值的三分之一，而且這個(gè)比例還將上升。汽車(chē)中17%的半導體故障是由靜電放電(ESD)造成的，因而必需采取適當的ESD保護措施。在日常生活中，人們觸摸車(chē)門(mén)時(shí)偶爾會(huì )感到手指刺痛或
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Diodes 公司推出節省空間的TVS

【2023 年 4 月 6 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出新款雙向瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管，以滿(mǎn)足市場(chǎng)妥善保護高速數據端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以滿(mǎn)足保護靜電放電 (ESD) 沖擊和突波事件。這款產(chǎn)品的主要應用為高效能運算硬件、智能型手機、筆記本電腦和平板電腦、顯示器及游戲機的 I/O 端口。雖然許多競爭產(chǎn)品必須在設計上做出折衷，擇一選擇強大的突波保護特性或低輸入電容，D3V3Z1BD2CSP 可以同時(shí)提出這兩項優(yōu)點(diǎn)。它
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第二代驍龍8賦能MEIZU 20系列實(shí)現全方位“無(wú)界”體驗

3月30日，魅族正式發(fā)布全新旗艦MEIZU 20系列。MEIZU 20系列全系搭載第二代驍龍8移動(dòng)平臺，在性能、游戲、影像、連接等多領(lǐng)域為用戶(hù)帶來(lái)極致體驗。熱愛(ài)無(wú)界。MEIZU 20系列包括“無(wú)界美學(xué)”MEIZU 20 INFINITY無(wú)界版、“巔峰體驗”MEIZU 20 PRO和“銳利先鋒”小屏真旗艦MEIZU 20，全部搭載第二代驍龍8移動(dòng)平臺。第二代驍龍8移動(dòng)平臺基于行業(yè)領(lǐng)先的4nm工藝制程打造，采用創(chuàng )新的CPU架構設計。全新Kryo CPU采用Cortex-X3超級內核，與前代平臺相比，性能提升高
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J-Squared將推出與Blaize合作打造的人工智能推理小型計算機FALC-20，它可在邊緣部署中實(shí)現可擴展的人工智能加速

在3月28日至31日于拉斯維加斯舉辦的2023年國際安全會(huì )議和展覽（ISC West）上，J-Squared和Blaize?將展示J-Squared的FALC產(chǎn)品系列。 FALC產(chǎn)品系列專(zhuān)為邊緣位置的視頻應用程序和人工智能應用程序而設計，具有堅固耐用的工業(yè)版本，適合任何環(huán)境，是各種應用和行業(yè)的理想選擇。 J-Squared的旗艦產(chǎn)品FALC-20提供最高64 TOPS的人工智能推理性能，可以支撐1到4個(gè)Blaize? Xplorer? X1600E EDSFF小型加速卡?！伴_(kāi)發(fā)自己的EDSFF卡解決方案版
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貼片壓敏電阻如何保護LED免受ESD的影響？

隨著(zhù)智能手機和TWS等移動(dòng)設備日趨小型化和高功能化，設備和集成電路（IC）對ESD（靜電放電）和浪涌的抗擾性越來(lái)越弱。此外，這些移動(dòng)設備被要求支持觸摸操作和可穿戴設計的機會(huì )也逐漸增多，因此采取ESD保護措施變得空前重要，這也極大地促進(jìn)了ESD保護元件的應用。隨著(zhù)智能手機和TWS等移動(dòng)設備日趨小型化和高功能化，設備和集成電路（IC）對ESD（靜電放電）和浪涌的抗擾性越來(lái)越弱。此外，這些移動(dòng)設備被要求支持觸摸操作和可穿戴設計的機會(huì )也逐漸增多，因此采取ESD保護措施變得空前重要，這也極大地促進(jìn)了ESD保護元件的
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Vishay推出升級版紅外接收器,降低供電電流,提高抗ESD和陽(yáng)光直射的可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，采用新一代Cyllene 2 IC升級紅外遙控應用TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和?TSOP77xxx系列紅外（IR）接收器模塊。配置新型IC旨在確保產(chǎn)品長(cháng)期供貨并縮短交貨期，有助于設計人員大幅降低更寬電源電壓范圍內的供電電流，同時(shí)提高抗ESD和陽(yáng)光直射的可靠性。日前發(fā)布的增強型Vishay Semiconductors接收器可用于電視機、機頂盒（STB）、音響和游戲機、空調等電器，以及
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嵌入式核心板開(kāi)發(fā)之ESD靜電保護

在電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中ESD靜電防護是不可或缺的一環(huán)，下面就為大家簡(jiǎn)單介紹一下，核心板產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)有用的ESD二極管知識和技巧。ESD管的介紹ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護元器件，又稱(chēng)瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個(gè)TVS晶?；蚨O管采用不同的布局設計成具有特定功能的多路或單路ESD保護器件，主要應用于各類(lèi)通信接口靜電保護，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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Nexperia宣布面向高速數據線(xiàn)的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產(chǎn)品

基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開(kāi)發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專(zhuān)門(mén)用于為我們的客戶(hù)提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
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多網(wǎng)口網(wǎng)關(guān)設計，米爾基于Zynq-7010/20開(kāi)發(fā)平臺工業(yè)網(wǎng)關(guān)設計應用

隨著(zhù)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的飛速的發(fā)展，5G時(shí)代的到來(lái)，工業(yè)控制系統在生產(chǎn)領(lǐng)域應用越來(lái)越廣泛，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)為未來(lái)工業(yè)控制系統靈活性和可擴展性的需求提供了支持。工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)使我們的生產(chǎn)數據可以進(jìn)行規?；写鎯?，并利用高速采集、云計算等技術(shù)對這些大數據進(jìn)行分析、挖掘，進(jìn)而優(yōu)化生產(chǎn)效率。?工業(yè)網(wǎng)關(guān)是跨系統互聯(lián)的橋梁，對接口的類(lèi)型和數量要求多樣化，對設備的可靠性、處理性能、信息安全等要求高，而一般的 MCU 芯片解決方案已經(jīng)難以應對工業(yè)網(wǎng)關(guān)的諸多需求，比如外設接口、安全加密解密、訪(fǎng)問(wèn)控制等整體的解決成本較高。米爾電子
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6 款采用 Sony Pregius S 傳感器的新型 8 MP-20 MP Blackfly S 8-20 MP 相機

Teledyne FLIR Blackfly S GigE 相機系列新增 6 款產(chǎn)品：采用 8MP Sony IMX546 的 BFS-PGE-80S5M/C-C：?彩色和?單色采用 12.3MP Sony IMX545 的 BFS-PGE-120S6M/C-C：?彩色和?單色采用 20MP Sony IMX541 的 BFS-PGE-200S7M/C-C：?彩色和?單色這些型號具備強大傳感器、分辨率和功能，進(jìn)一步豐富了 GigE Vision
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實(shí)驗出真知！可充分發(fā)揮ESD保護元件性能的電路設計

TDK的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品陣容齊全，可保護設備因受ESD（靜電放電）影響而引發(fā)的故障和誤動(dòng)作，能幫助客戶(hù)有效解決ESD問(wèn)題。但隨著(zhù)用戶(hù)設備的小型化、輕量化和高功能化，以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品也出現了無(wú)法充分發(fā)揮保護效果的情況。為了查明原因，我們以客戶(hù)設備的小型化為前提進(jìn)行了ESD實(shí)驗，本期推文就來(lái)為您詳細介紹通過(guò)此次實(shí)驗得出的各數據與結果。5G技術(shù)的發(fā)展實(shí)現了設備之間的相互協(xié)作和實(shí)時(shí)通信，也對設備的設計提出了更高的要求，比如更小、更輕、更低功耗、更高功能、長(cháng)期運行、高可靠性、更高的EMC耐
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經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設計-靜電來(lái)源及保護方法-KIA MOS管

ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉移。ESD是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來(lái)源在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機會(huì )將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過(guò)器件
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基本ESD模型及功能參數

　　將一個(gè)電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過(guò)閉合開(kāi)關(guān)將電荷釋放進(jìn)準備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負，因此必須同時(shí)處理好正負ESD兩種情況?！　?1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型；　　指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉移時(shí)，產(chǎn)生的ESD現象?！　∪梭w等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時(shí)間在2~10ns范圍內，持續時(shí)間在150~200ns范圍內
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esd是指什么？靜電放電是什么？

　　ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電?！　≡斐伸o電放電有多種原因，但最常見(jiàn)的是靜電和靜電感應。靜電通常是通過(guò)摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當一個(gè)物體的表面獲得負電子而另一個(gè)物體失去電子并帶正電時(shí)，就會(huì )產(chǎn)生摩擦充電。當帶相反電荷的物體相互接觸時(shí)，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電?！　≡诠I(yè)生產(chǎn)中靜電放電會(huì )導致兩種類(lèi)型的電氣設備損壞，具體如下：　　災難性的：造成永久性傷害?！　摲缘模簬缀鯔z測不到，已經(jīng)對組件造成損傷
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