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TDK在慕展主推了這三款被動(dòng)元件

  •   TDK產(chǎn)品多如牛毛,在electronica上介紹了三項突破性技術(shù)產(chǎn)品?! DK壓力與保護器件部Oliver?Dernovsek博士介紹了CeraPad——-集成了ESD保護的超薄基底,主要用于LED,適合汽車(chē)和手機等應用?! DK鋁與薄膜電容部鋁電解電容研發(fā)部領(lǐng)導Christoph?Auer博士介紹了60g?鋁電解電容器,高防震,主要用于汽車(chē)?! DK壓力與保護器件業(yè)務(wù)部壓力技術(shù)領(lǐng)導Harald?Kastl:觸覺(jué)反饋的壓力執行器。
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一個(gè)設計問(wèn)題引發(fā)的ESD深思

  •   前些時(shí)候寫(xiě)了電子產(chǎn)品設計方面有關(guān)ESD的短文(詳解PCB板的ESD http://dyxdggzs.com/article/275810.htm),在文章中總結了9種在電子產(chǎn)品設計時(shí)使用的防靜電技術(shù)。誠然,利用上文中的技術(shù)總結可以很好的完成一個(gè)設計,但是,最近我在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中碰到了讓人發(fā)狂的問(wèn)題?! ∈紫瓤聪码娮赢a(chǎn)品設計原理:  原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,在一塊PCB上有一個(gè)功能模塊,需要上拉至VCC連接至第二塊PCB上,但是兩個(gè)模塊之間需要焊接一導線(xiàn)。在PCB LAYOUT設計中,
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一種基于頻率/電流轉換的4~20 mA電路設計

  • 摘要:探討了3種實(shí)現4~20 mA電路的方案,比較了其優(yōu)缺點(diǎn);重點(diǎn)介紹了利用LM331實(shí)現頻率/電壓轉換;再利用運放和三極管構成恒流電路,將電壓轉換成電流;實(shí)現4~20 mA輸出的頻率/電流轉換的工作原理,并且給出了具體器件
  • 關(guān)鍵字: 4~20 mA  LM331  頻率/電流  信號轉換  

幾種應用于觸摸感應電路的ESD保護結構設計

  • 電容式觸摸感應檢測按鍵電路是一類(lèi)對靜電特別敏感的電路,因此靜電放電(ESD)保護結構的選擇問(wèn)題對這一類(lèi)電路顯得特別重要。一方面要確保所選擇的ESD保護結構有足夠的抗靜電能力,另一方面這種ESD保護結構又不能使芯
  • 關(guān)鍵字: ESD    可控硅整流器    靜電放電  

USB 3.1元年,看芯片大廠(chǎng)布局廝殺

  • 包括微軟(Microsoft)、英特爾(Intel)、蘋(píng)果(Apple)紛將2015年新款PC介面全面升級至USB 3.1規格,Wintel陣營(yíng)2015年新款PC產(chǎn)品亦將全面采用USB 3.1介面設計,國外芯
  • 關(guān)鍵字: USB 3.1  英特爾  Microsoft  ESD   

如何對ESD進(jìn)行靜電屏蔽防護

  • 對ESD進(jìn)行防護的最好方法,是敏感器件進(jìn)行靜電屏蔽和磁場(chǎng)屏蔽,靜電屏蔽可用導電良好的金屬屏蔽片來(lái)阻擋電場(chǎng)力線(xiàn)的傳輸。一般有了靜電屏蔽,磁
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杭州中天微系統加入電子系統設計(ESD)聯(lián)盟

  •   杭州中天微系統有限公司,一家來(lái)自中國杭州的32位嵌入式CPU內核的領(lǐng)先供應商,今日成為電子系統設計(ESD)聯(lián)盟的成員,享有表決權。電子系統設計(ESD)聯(lián)盟是一家旨在為全球半導體設計生態(tài)系統提供商品和服務(wù)的國際企業(yè)協(xié)會(huì )。   作為首家加入ESD聯(lián)盟的中國知識產(chǎn)權公司,中天微系統將成為半導體知識產(chǎn)權工作組的正式成員,協(xié)助開(kāi)發(fā)知識產(chǎn)權保護的通用架構和最佳方案。中天微系統有意向的其他項目還包括多模工作組和市場(chǎng)統計服務(wù)(MSS)。   杭州中天微系統有限公司董事長(cháng)嚴曉浪指出:“ESD聯(lián)盟國際
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Vishay新的BiSy兩線(xiàn)超低電容ESD保護二極管為高速數據線(xiàn)提供安全保障

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的雙向對稱(chēng)(BiSy)兩線(xiàn)ESD保護二極管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封裝,可用于便攜式電子產(chǎn)品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封裝的產(chǎn)品節省空間,具有超低電容和漏電流,可保護高速數據線(xiàn)免受瞬變瞬態(tài)電壓信號的干擾。   今天推出的器件高度不到0.4mm,典型負載電容為0.35pF。VBUS05M2-HT
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ESD/EMI/EMC電路設計技巧——對ESD進(jìn)行靜電屏蔽防護

  •   對ESD進(jìn)行防護的最好方法,是敏感器件進(jìn)行靜電屏蔽和磁場(chǎng)屏蔽,靜電屏蔽可用導電良好的金屬屏蔽片來(lái)阻擋電場(chǎng)力線(xiàn)的傳輸?! ∫话阌辛遂o電屏蔽,磁場(chǎng)屏蔽就不再是十分需要的了,因為當高頻磁力線(xiàn)穿過(guò)金屬屏蔽片時(shí),會(huì )在金屬屏蔽片中感應產(chǎn)生回路電流(渦流),此電流產(chǎn)生磁場(chǎng)方向正好與干擾磁場(chǎng)的方向相反,兩者雖然不能完全抵消,但可以互相抵消大部分,從而同樣可以降低磁場(chǎng)產(chǎn)生的干擾。圖10 是對ESD 進(jìn)行靜電屏蔽防護的原理圖?! ?nbsp;     圖10  這里需要特別說(shuō)明的
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ESD/EMI/EMC電路設計技巧 ——電磁干擾的屏蔽方法

  •   電磁兼容是指“一種器件、設備或系統的性能,它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時(shí)不會(huì )對此環(huán)境中任何其他設備產(chǎn)生強烈電磁干擾?!睂τ跓o(wú)線(xiàn)收發(fā)設備來(lái)說(shuō),采用非連續頻譜可部分實(shí)現 EMC 性能,但是很多有關(guān)的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設備之間、打印機和臺式電腦之間以及蜂窩電話(huà)和醫療儀器之間等都具有高頻干擾,我們把這種干擾稱(chēng)為電磁干擾(EMI)?! ?、EMC 問(wèn)題來(lái)源  所有電器和電子設備工作時(shí)都會(huì )有間歇或連續性電壓電流變化
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【E課堂】MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿?

  •   MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式:一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣,有很高的輸入電阻,只是MOS管的輸入電阻更高。   靜電放電形成
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電路中如何選擇最佳的電路保護器件

  •   電路保護主要是保護電子電路中的元器件在受到過(guò)壓、過(guò)流、浪涌、電磁干擾等情況下不受損壞,電路保護器件則是為產(chǎn)品的電路及芯片提供防護的,確保在電路出現異常的情況下,被保護電路的精密芯片、元器件不受損壞。過(guò)壓、過(guò)流、浪涌、電磁干擾、靜電放電等一直是電路保護的重點(diǎn),因此,市場(chǎng)中的主流電路保護器件也是以防雷/過(guò)壓/過(guò)流/防靜電等為主,常見(jiàn)的保護器件有氣體放電管、固體放電管、瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、自恢復保險絲以及ESD靜電二極管等。工程師在選型的時(shí)候如何才能選擇最佳的電路保護器件呢?  1.你要知道你想要防止
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ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例

  •   本文蔣介紹ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例  一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動(dòng)引起的摩擦起電是重要的靜電來(lái)源,帶靜電的操作者與器件接觸并通過(guò)器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送帶等摩擦,使器件本身帶靜電,它與人體或地接觸時(shí)發(fā)生的靜電放電。(3)當器件處在很強的靜電場(chǎng)中時(shí),因靜電感應在器件內部的芯片上將感應出很高的電位差,從而引起芯片內部薄氧化層的擊穿?;蛘吣骋还苣_與地相碰也會(huì )發(fā)生靜電放電。根據上述三種ESD的損傷途徑,建立了三種ESD損傷模型:人體帶電模型、
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ESD/EOS,才是電子電路的護法英雄

  •   隨著(zhù)電子產(chǎn)品迅速走向隨身使用化、功能強大化與低功耗化,半導體技術(shù)的持續微縮就沒(méi)有停止的可能性。然而,這樣的演變趨勢造就了電子產(chǎn)品‘使用可靠性的設計工作’重要性和電子產(chǎn)品‘功能的設計工作’本身一樣重要。   這是因為外在的暫態(tài)雜訊干擾能量變得很容易進(jìn)入電子產(chǎn)品內部,加上電子產(chǎn)品內部的晶片零組件因半導體微縮而變得十分孱弱,從而導致電子產(chǎn)品本身的正常運作就變得易于受到干擾與破壞。        Silicon Labs執行長(cháng)Tyson T
  • 關(guān)鍵字: ESD  EOS  

工程師基礎知識充電:常用電阻特性?xún)?yōu)缺點(diǎn)比較

  •   近二十年來(lái),電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進(jìn)步在減小設備尺寸的同時(shí),也加大了分立元件制造商開(kāi)發(fā)理想性能器件的壓力?! ≡谶@些器件中,晶片電阻當前始終保持很高的需求,并且是許多電路的基礎構件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻,減少了組裝前期準備的工作量。隨著(zhù)應用的普及,晶片電阻具有越來(lái)越重要的作用。主要參數包括 ESD 保護、熱電動(dòng)勢 (EMF)、電阻熱系數 (TCR)、自熱性、長(cháng)期穩定性、功率系數和噪聲等?! ∫韵录夹g(shù)對比中將討論線(xiàn)繞電阻在精密電路中的應用
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