Nexperia宣布面向高速數據線(xiàn)的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產(chǎn)品

基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。

Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開(kāi)發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專(zhuān)門(mén)用于為我們的客戶(hù)提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt?、HDMI 2.1和通用閃存等應用的高性能ESD保護解決方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開(kāi)關(guān)速度可為高速數據線(xiàn)提供極為有效的ESD峰值抑制性能，而其低觸發(fā)電壓有助于顯著(zhù)降低IEC61000-4-5 8/20 μs浪涌脈沖所含的能量?！?/span>

單數據線(xiàn)PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝，觸發(fā)電壓為6.3 V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為25 A 8/20 μs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16 A 100 ns TLP時(shí)僅為2.4 V，在20 A 8/20 μs浪涌時(shí)僅為3.4 V。雙數據線(xiàn)PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝，觸發(fā)電壓為8 V，典型器件魯棒性超過(guò)14 A 8/20 μs，典型器件電容為0.82 pF。

雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線(xiàn)路提供出色的保護作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過(guò)7.5 GHz，因此適用于5 Gbps時(shí)的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。