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esd-20 文章 進(jìn)入esd-20技術(shù)社區
用于寬范圍光電二極管的跨阻抗放大器具有苛刻的要求
- 光電二極管廣泛見(jiàn)諸于眾多的應用，其用于把光轉換為可在電子電路中使用的電流或電壓。從太陽(yáng)能電池到光數據網(wǎng)絡(luò )、從高精度儀器到色層分析再到醫療成像等均在此類(lèi)應用之列。所有這些應用都需要用于對光電二極管輸出進(jìn)行緩沖和調節的電路。對于那些需要高速和高動(dòng)態(tài)范圍的應用，通常采用如圖 1 所示的跨阻抗放大器 (TIA) 電路。在圖1中，反饋電容顯示為一個(gè)寄生電容。對于許多應用來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)為確保穩定性而有意布設的電容器。 該電路讓光電二極管處于“光電導模式”，并在其負極上施加了一個(gè)偏
- 關(guān)鍵字： 光電二極管 放大器 LTC6268 電容器 ESD 201504
意法半導體（ST）向美國證券交易委員會(huì )提交2014年度Form 20-F報告
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布已于2015年3月3日向美國證券交易委員會(huì )(SEC, Securities and Exchange Commission)提交了截至2014年12月31日的公司年度Form 20-F報告。投資者可在意法半導體官方網(wǎng)站www.st.com 查看2014年度Form 20-F報告和審計完成后的完整財務(wù)報告，也可以訪(fǎng)問(wèn)美國證券交易委員會(huì )網(wǎng)站www.sec.gov查看相關(guān)信息。 意法半導體為投資
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 Form 20-F
電路設計中如何防止靜電放電?
- 我們的手都曾有過(guò)靜電放電(ESD)的體驗，即使只是從地毯上走過(guò)然后觸摸某些金屬部件也會(huì )在瞬間釋放積累起來(lái)的靜電。我們許多人都曾抱怨在實(shí)驗室中使用導電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來(lái)滿(mǎn)足工業(yè)ESD標準。我們中也有不少人曾經(jīng)因為粗心大意使用未受保護的電路而損毀昂貴的電子元件。 對某些人來(lái)說(shuō)ESD是一種挑戰，因為需要在處理和組裝未受保護的電子元件時(shí)不能造成任何損壞。這是一種電路設計挑戰，因為需要保證系統承受住ESD的沖擊，之后仍能正常工作，更好的情況是經(jīng)過(guò)ESD事件后不發(fā)生用戶(hù)可覺(jué)察的故障。 與人
- 關(guān)鍵字： ESD
CMOS電路中ESD保護結構的設計原理與要求
- ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一，嚴重的會(huì )造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護結構的設計原理，分析了該結構對版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護結構的設計要求。 1 引言 靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的
- 關(guān)鍵字： ESD CMOS
電子、等離子及液晶等顯示屏的經(jīng)典應用案例匯總，軟硬件協(xié)同
- 顯示器通常也被稱(chēng)為監視器。顯示器是屬于電腦的I/O設備，即輸入輸出設備。它可以分為CRT、LCD等多種。它是一種將一定的電子文件通過(guò)特定的傳輸設備顯示到屏幕上再反射到人眼的顯示工具。本文為大家介紹電子顯示屏、等離子顯示屏、液晶顯示屏及硅基液晶顯示屏的經(jīng)典應用案例，供大家參考。 藍牙無(wú)線(xiàn)顯示屏系統的設計方案 本文介紹一種藍牙無(wú)線(xiàn)顯示屏系統的設計方案。使用藍牙技術(shù)可以短距離無(wú)線(xiàn)控制顯示終端，實(shí)現圖像和字符數據的無(wú)線(xiàn)傳輸和顯示，免去了有線(xiàn)連接所帶來(lái)的缺陷，可以應用在多種領(lǐng)域。 基于觸摸顯示
- 關(guān)鍵字： EMI ESD
TE Connectivity的PolyZen YC系列器件為消費電子產(chǎn)品提供集成式保護功能
- TE Connectivity旗下業(yè)務(wù)部門(mén)TE電路保護部現在提供全新PolyZen YC器件系列，這些器件提供了一種集成式方法幫助保護平板電腦、機頂盒、硬盤(pán)和DC電源端口等消費電子產(chǎn)品，避免靜電放電(ESD)和其它可能危害應用并且導致安全和保修問(wèn)題之電氣過(guò)壓事件引起的損壞。全新PolyZen ZEN056V230A16YC和ZEN056V260A16YC器件在緊湊的(4.0mm x 5.0mm x 1.2mm)封裝中結合了一個(gè)精密齊納二極管和可自恢復PolySwitch聚合物正溫度系數(PPTC)器件
- 關(guān)鍵字： TE Connectivity PolyZen ESD
付出正確的電路保護費
- 摘要：本文通過(guò)采用合適的過(guò)電流和過(guò)電壓保護元件，生產(chǎn)商可保證其產(chǎn)品成為用戶(hù)生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護元件也保證了各應用產(chǎn)品符合安全和功能因素相關(guān)的規章條例的要求。 許多用戶(hù)都沒(méi)有意識到他們自己每天在使用的電子設備存在著(zhù)最大的風(fēng)險。電路保護是所有電子設備必有的特性——不論是車(chē)載、家用或是工用電子設備——因為只要人體接觸含敏感電子半導體的器件，就會(huì )出現ESD(靜電放電)現象。 如果周?chē)目諝馓貏e干燥，比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷，剛把
- 關(guān)鍵字： 電路保護 ESD TVS 集成電路 HBM 201411
RS-485通信鏈路與電子護欄
- 摘要：EVAL-CN0313-SDPZ 是業(yè)界首個(gè)EMC兼容RS-485接口設計工具，可提供針對IEC61000-4-2 ESD、IEC61000-4-4 EFT和IEC61000-4-5電涌的四級保護。工程師可在設計周期之初考慮EMC問(wèn)題，從而降低該問(wèn)題導致的項目延誤風(fēng)險。 1 有關(guān)RS485 EMC魯棒性的演示 在工業(yè)與儀器儀表應用(I&I)中，常常需要在距離很遠的多個(gè)系統之間傳輸數據。RS-485總線(xiàn)標準是I&I應用中使用最廣泛的物理層總線(xiàn)設計標準之一。RS-485的
- 關(guān)鍵字： ADI RS-485 通信鏈路 電子護欄 EMC ESD 201411
實(shí)例解析如何應對LED封裝失效
- 在用到LED燈的時(shí)候最怕的就是LED燈不亮，這個(gè)時(shí)候不要責怪環(huán)境，不正確的安裝方法、保護措施和過(guò)高電源是導致燈不亮的重要原因。當然很多時(shí)候也是人為因素。這里小編結合8大實(shí)例來(lái)剖析如何應對LED封裝失效? 死燈不亮，不要責怪環(huán)境，不正確的安裝方法、保護措施和過(guò)高電源是導致燈不亮的重要原因。 LED燈 1) LED散熱不好導致固晶膠老化，層脫，芯片脫落 預防措施：焊接時(shí)防止LED懸浮，傾斜。做好LED散熱工作，保證LED的散熱通道順暢。 2) 過(guò)電流過(guò)電壓沖擊導致驅動(dòng)，芯片燒
- 關(guān)鍵字： LED 封裝 ESD
CMOS電路ESD保護結構設計
- 1 引 言 靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿(mǎn)足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問(wèn)題。 2 ESD保護原理 ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS
淺談設計PCB時(shí)抗ESD的方法
- 來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設備內部的靜電對于精密的半導體芯片會(huì )造成各種損傷,例如穿透元器件內部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結;短路正向偏置的PN結;熔化有源器件內部的焊接線(xiàn)或鋁線(xiàn)。為了消除靜電釋放(ESD)對電子設備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。 在PCB板的設計當中,可以通過(guò)分層、恰當的布局布線(xiàn)和安裝實(shí)現PCB的抗ESD設計。在設計過(guò)程中,通過(guò)預測可以將絕大多數設計修改僅限于增減元器件。通過(guò)調整PCB布局布線(xiàn),能夠很好
- 關(guān)鍵字： PCB ESD CMOS
TI RS-485 十大設計技巧
- 在TI經(jīng)常遇到這樣的問(wèn)題：在使用 RS-485 進(jìn)行設計時(shí)，是否有一些技巧或訣竅需要掌握?為此，我們總結了使用 RS-485 時(shí)需要記住的一系列綜合而全面的重要準則?！ ∪绾螒谩 ?) 使用圖 A 確定最大線(xiàn)纜長(cháng)度 2) 使用 Zo=120Ω 或 100Ω 的雙絞線(xiàn)線(xiàn)纜 3) 使用菊花鏈連接總線(xiàn)節點(diǎn) 4) 端接 RT1 = Z0 的線(xiàn)纜一端 在另一端應用故障保護偏置 端接該端 5) 您可在相同的總線(xiàn)上運行 3V 和 5V 器件?！ ?) 使 stub 長(cháng)度不超過(guò) 7) 針對 ± 7V
- 關(guān)鍵字： TI RS-485 ESD
日本發(fā)布新一代直接噴涂有機半導體材料技術(shù)
- 近日，日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機半導體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機半導體成膜技術(shù)。該聯(lián)盟包括理化學(xué)研究所、崎玉大學(xué)、康奈可、東麗工程、理研風(fēng)險公司FLOX等共計8個(gè)團體。 日本發(fā)布新一代直接噴涂有機半導體材料技術(shù) ESD兼具真空蒸鍍技術(shù)和涂布技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，可解決這兩項技術(shù)的很多問(wèn)題。在ESD中，噴嘴噴出的顆粒物粒徑非常小，在
- 關(guān)鍵字： 有機半導體材料 ESD
日本發(fā)布新一代直接噴涂有機半導體材料技術(shù)
- 近日，日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機半導體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機半導體成膜技術(shù)。該聯(lián)盟包括理化學(xué)研究所、崎玉大學(xué)、康奈可、東麗工程、理研風(fēng)險公司FLOX等共計8個(gè)團體。 ESD兼具真空蒸鍍技術(shù)和涂布技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，可解決這兩項技術(shù)的很多問(wèn)題。在ESD中，噴嘴噴出的顆粒物粒徑非常小，在抵達陰極前，涂料中的水分基本都蒸發(fā)了，由此能獲得接近
- 關(guān)鍵字： 半導體材料 ESD
esd-20介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條esd-20!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對esd-20的理解，并與今后在此搜索esd-20的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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