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基于TOSHIBA eFuse 應用電路（帶熱關(guān)斷功能）設計方案

近年來(lái)各類(lèi)消費產(chǎn)品，存儲設備，服務(wù)器等電路變得越來(lái)越密集，越來(lái)越靈敏，因此保護功能變得越來(lái)越重要，我們開(kāi)發(fā)了是用于過(guò)流保護和過(guò)溫保護的參考設計解決方案。將介紹參考設計中的兩種電路，合在一起2CM*2CM的緊湊型電路板上實(shí)現這個(gè)電路，這些設計均適用于5V電源保護，A型具有熱關(guān)斷功能，B型具有增強過(guò)流保護功能。 A型熱關(guān)斷功能設計采用一個(gè)eFuse IC TCKE905ANA和一個(gè)過(guò)溫檢測IC T
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倒計時(shí)5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)

（一）會(huì )議概況2024中國集成電路設計創(chuàng )新大會(huì )暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車(chē)電子創(chuàng )新大會(huì )（AEIF）暨汽車(chē)電子應用展將于9月25-27日在無(wú)錫同期召開(kāi)，兩會(huì )共設2場(chǎng)高峰論壇、8場(chǎng)專(zhuān)題分會(huì )（含1場(chǎng)供需對接+1場(chǎng)強芯發(fā)布），150場(chǎng)報告，6000+平米展區展示，200+展商展示IC創(chuàng )新成果與整機應用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會(huì )。會(huì )議看點(diǎn)1、第十屆汽車(chē)電子創(chuàng )新大會(huì )（AEIF）概況2024 AEIF技術(shù)展覽規模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車(chē)電
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意法半導體發(fā)布車(chē)用智能eFuse，提高設計靈活性和功能安全性

意法半導體開(kāi)始量產(chǎn)新系列車(chē)規高邊功率開(kāi)關(guān)管，新產(chǎn)品采用意法半導體專(zhuān)有的智能熔斷保護功能并且支持SPI 數字接口，提高設計靈活性和功能安全性。四通道VNF9Q20F是意法半導體采用先進(jìn)的單晶片VIPower M0-9 MOSFET工藝并集成STi2Fuse專(zhuān)利技術(shù)的新系列功率開(kāi)關(guān)的首款產(chǎn)品，STi2Fuse產(chǎn)品基于I2t(current squared through time-to-fuse)專(zhuān)利技術(shù)，檢測到過(guò)流，支持100μs 內做出快速響應并關(guān)斷MOSFET功率開(kāi)關(guān)管。VNF9Q20F 用作智能斷路器
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東芝推出全新可重復使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產(chǎn)品

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線(xiàn)路保護功能。首批兩款產(chǎn)品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開(kāi)始支持批量出貨，其他產(chǎn)品將陸續上市。TCKE9系列產(chǎn)品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護供電電路中的線(xiàn)路免受過(guò)流和過(guò)壓狀況的影響，這是標準物理熔斷器無(wú)法做到的。即使發(fā)生異常過(guò)流或過(guò)壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產(chǎn)品還具有過(guò)熱保護和短路保護功能，當電路產(chǎn)生異常熱量或發(fā)生意外短路時(shí)，可通
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西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件，持續布局3D IC市場(chǎng)

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具，能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
關(guān)鍵字：西門(mén)子 Calibre 3DThermal 3D IC

服務(wù)器電源需求激增，高效能與高可靠性如何雙重突破？

隨著(zhù)近幾年云計算、大數據技術(shù)的爆發(fā)式演進(jìn)，服務(wù)器作為支撐數字經(jīng)濟時(shí)代的基石設施，其部署規模正以前所未有的速度激增，正如《2022-2023全球計算力指數評估報告》顯示，中國整體服務(wù)器市場(chǎng)規模在2017至2022年的復合增長(cháng)率高達48.8%。鑒于此類(lèi)設備天然的高能耗、高電耗特性，服務(wù)商們迫切尋求通過(guò)采用高度集成化的組件技術(shù)和解決方案，來(lái)設計和實(shí)施既能保證卓越性能，又能實(shí)現緊湊布局與強大可靠性的電源系統。在這方面，安森美(onsemi)憑借其業(yè)界領(lǐng)先的電源管理技術(shù)，成為眾多企業(yè)理想的選擇伙伴。打造高效能服務(wù)器
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西門(mén)子推出 Solido IP 驗證套件，為下一代 IC 設計提供端到端的芯片質(zhì)量保證

●? ?西門(mén)子集成的驗證套件能夠在整個(gè)IC設計周期內提供無(wú)縫的IP質(zhì)量保證，為IP開(kāi)發(fā)團隊提供完整的工作流程西門(mén)子數字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內的設計知識產(chǎn)權 (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證，能夠提升完整芯
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全球芯片設計廠(chǎng)商TOP10：英偉達首次登頂

得益于人工智能需求激增推動(dòng)的英偉達營(yíng)收大增，全球前十大芯片設計廠(chǎng)商在去年的營(yíng)收超過(guò)了1600億美元，英偉達也首次成為年度營(yíng)收最高的芯片設計廠(chǎng)商。
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欠電壓閉鎖的一種解釋

了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC

聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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類(lèi)比半導體EF1048Q：革新汽車(chē)配電保護，引領(lǐng)智駕新趨勢

致力于提供高品質(zhì)芯片的國內優(yōu)秀模擬及數?；旌闲酒O計商上海類(lèi)比半導體技術(shù)有限公司（下稱(chēng)“類(lèi)比半導體”或“類(lèi)比”）宣布，其自主研發(fā)的創(chuàng )新型車(chē)規級電子保險絲（eFuse）——EF1048Q，將于近期在北京國際車(chē)展上矚目登場(chǎng)。這款集先進(jìn)設計理念、卓越性能與高度智能化于一體的電子保險絲，標志著(zhù)類(lèi)比半導體在汽車(chē)配電系統保護技術(shù)領(lǐng)域的重大突破，為全球汽車(chē)制造商提供了一款具有顯著(zhù)競爭優(yōu)勢的前裝解決方案。卓越性能，打造極致安全保障EF1048Q采用QFN32封裝，嚴格遵循AEC-Q100 Grade 1車(chē)規標準，確保在
關(guān)鍵字：類(lèi)比半導體汽車(chē)配電保護 2024北京車(chē)展電子保險絲 eFuse

NIV3071 eFuse 在汽車(chē)應用中的優(yōu)勢

汽車(chē)電氣化推動(dòng)了電子保險絲“eFuse”取代機械繼電器和熔斷器，以實(shí)現更緊湊、更高效的解決方案。NIV3071 eFuse 可保護下游電路免受過(guò)流、過(guò)溫和接地短路事件的影響，并可通過(guò)開(kāi)漏 FAULT 引腳提供故障指示器。該器件具有四個(gè)集成高側通道，可以通過(guò) EN 引腳獨立控制，也可以并聯(lián)在一起以用于更大的負載。該器件具有可配置的電流限制功能和導通時(shí)間，可支持多種負載。
關(guān)鍵字： eFuse 安森美

如何減少光學(xué)器件的數據延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
關(guān)鍵字： 3D-IC

2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一

根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區，而歐洲的份額將繼續下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區獲取市場(chǎng)份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(cháng)率為4.5%，2025年和2026年增長(cháng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預計到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
關(guān)鍵字： IC 晶圓半導體市場(chǎng)