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德州儀器推出業(yè)內先進(jìn)的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設計

中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內先進(jìn)的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統成本增強系統功能，同時(shí)滿(mǎn)足 EMI 監管標準。隨著(zhù)電氣系統變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關(guān)鍵系統設計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
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晶圓廠(chǎng)貨源多元布局，代工報價(jià)面臨壓力

IT之家 3 月 13 日消息，據臺媒中央社報道，半導體產(chǎn)業(yè)景氣反轉向下，晶圓代工產(chǎn)能松動(dòng)，IC 設計廠(chǎng)為強化供應鏈，同時(shí)因未來(lái)可能變化的需求，紛紛針對貨源展開(kāi)多元布局，晶圓代工報價(jià)恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠(chǎng)今年來(lái)因為終端市場(chǎng)需求疲弱，供應鏈持續調整庫存，產(chǎn)能明顯松動(dòng)，世界先進(jìn)第一季度產(chǎn)能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個(gè)百分點(diǎn)，力積電將降至 6 成多水準，聯(lián)電第一季度產(chǎn)能利用率也將降至 7 成。IC 設計廠(chǎng)多數表示，晶圓代工廠(chǎng)并未調降代工價(jià)格，不過(guò)廠(chǎng)商針對配合預先投片備貨的客戶(hù)提供優(yōu)
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探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應用

本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設計人員可能面臨的一些電源問(wèn)題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問(wèn)題，包括尺寸、重量和溫度。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)裝置越來(lái)越密集地應用于工業(yè)設備、家庭自動(dòng)化和醫療應用中，透過(guò)減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時(shí)間（對于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來(lái)優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來(lái)越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實(shí)現，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實(shí)現無(wú)線(xiàn)通信。物聯(lián)網(wǎng)裝置的應用領(lǐng)域幾乎沒(méi)有止境，每天都會(huì )考慮新的裝置和使用情況。
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半導體渠道商：庫存降低速度慢于預期

IT之家 2 月 27 日消息，據臺灣地區經(jīng)濟日報報道，半導體庫存問(wèn)題不僅 IC 設計廠(chǎng)商需要面對，下游 IC 渠道商為顧及長(cháng)期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠(chǎng)“共渡難關(guān)”。即便目前陸續傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠(chǎng)商坦言，目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠(chǎng)商分析，市場(chǎng)目前的短單是否是曇花一現，通貨膨脹、美聯(lián)儲加息狀況、俄烏沖突以及國內是否會(huì )有報復性買(mǎi)盤(pán)需求等是觀(guān)察重點(diǎn)。不具名的 IC 渠道廠(chǎng)商透露，目前庫存去化狀況不如預期，假設原本估計的庫存去化速度是進(jìn) 0.5 個(gè)月的貨，
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基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

小耳朵衛星天線(xiàn),在于一些偏遠地區常見(jiàn),用于收看衛星電視節目,由于衛星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個(gè)拋物面天線(xiàn)來(lái)聚焦信號，還需要一個(gè)高頻頭，也稱(chēng)為L(cháng)NB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線(xiàn)的焦點(diǎn)上來(lái)收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛星信號經(jīng)過(guò)放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛星接收機,每只LNB只能用于某一波段，因為S、C和KU波段需要不同的波導管。也有一些類(lèi)型是用于圓極化和線(xiàn)極化信號接收的，它們主要在
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14年后全球半導體行業(yè)突然按下“暫停鍵”：減支力度高達19%

以存儲芯片廠(chǎng)商為代表，包括美光、SK海力士等在內，均宣布將減少明年的資本支出，這些錢(qián)一般用于擴建擴產(chǎn)等，反映出行業(yè)的低迷。實(shí)際上，整個(gè)半導體行業(yè)的日子都不太好過(guò)。日前，統計機構IC Insights發(fā)布最新研報，預測明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%，在1466億美元左右。據悉，這是繼2008~2009金融危機以來(lái)的最大降幅，當時(shí)的降幅一度高達40%?？勺鰧Ρ鹊氖?，半導體資本支出在過(guò)去今年迎來(lái)了高速增長(cháng)，2021年增長(cháng)35%達到1531億美元，今年預計將增長(cháng)19%達到1817億美元，創(chuàng )下歷史新高。
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eFuse內建保護IC應用在便攜設備的優(yōu)勢

Littelfuse第三季度推出的eFuse 內建保護芯片LS0505EVD22系列，目前已成功設計于可攜式手表磁吸充電線(xiàn)應用中。Littelfuse深耕功率控制、電路保護和傳感器產(chǎn)品與服務(wù)近百年，在電子保險絲芯片應用已較為成熟。在低壓、小電流的可攜式終端產(chǎn)品市場(chǎng)，保護裝置免受損壞，使系統安全、可靠的工作，提高系統魯棒性等方面，Littelfuse持續進(jìn)行著(zhù)產(chǎn)品創(chuàng )新?，F今，便攜設備的設計必須遵守Type-C規范，USB電力傳輸（PD）最高規格需達到20 V / 5 A。因此，許多配備Type-C接口的電子
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Littelfuse eFuse集成保護IC應用在便攜終端產(chǎn)品的優(yōu)勢：解析手表磁吸充電線(xiàn)的應用

Littelfuse第三季度推出的eFuse 集成保護芯片LS0505EVD22系列，憑借其優(yōu)異特性，上市后不到兩個(gè)月即得到市場(chǎng)認可，成功設計于便攜式手表磁吸充電線(xiàn)應用中，并快速獲得訂單，在激烈競爭中脫穎而出，具有里程碑意義。作為深耕功率控制、電路保護和傳感器產(chǎn)品與服務(wù)近百年的專(zhuān)業(yè)供應商，Littelfuse電子保險絲芯片應用已較為成熟。在低壓、小電流便攜式終端產(chǎn)品市場(chǎng)，保證設備免受損壞，使系統安全、可靠的工作，提高系統魯棒性等方面，Littelfuse一直不余遺力的進(jìn)行著(zhù)產(chǎn)品創(chuàng )新?，F今，便攜式設備的設計
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GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數字驗證方法學(xué)，適用于當今前沿的混合信號設計西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀(guān)的可視化調試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統解決方案提升
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打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統

受訪(fǎng)人：亞德諾半導體　　大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
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TrendForce：預計第三季度驅動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，中國面板驅動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠(chǎng)的要求，價(jià)格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續下跌，且有極大可能會(huì )比預估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
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無(wú)毛刺監控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱(chēng)之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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