ddr4 文章進(jìn)入ddr4技術(shù)社區

英特爾計劃2014年開(kāi)始支持DDR4

　　DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì )急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會(huì )第一個(gè)整合DDR4內存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數據中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。　　DDR4內存不僅會(huì )帶來(lái)頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會(huì )有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術(shù)，這些大
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DDR4內存標準關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

　　JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )今天公布了DDR4內存標準中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內存標準規范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )宣稱(chēng)，DDR4將具備一系列創(chuàng )新特性，可帶來(lái)更快的運行速度和廣泛的實(shí)用性，包括服務(wù)器、筆記本、臺式機、消費電子產(chǎn)品等等，其頻率、電壓和架構也都在進(jìn)行重新定義，目標是簡(jiǎn)化新標準的遷移和部署。
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JEDEC準備迎接DDR4內存規格

內存芯片的雙倍數據速率（DDR4）的標準將包括三個(gè)數據寬度的產(chǎn)品，差分信號傳輸，數據屏蔽和一個(gè)新的終止計劃，根據JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )，標準開(kāi)發(fā)商制定的標準。
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iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

　　據IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì )逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個(gè)左右，預計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
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三星開(kāi)發(fā)出新一代高速內存芯片

　　三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計算機內存模塊，讀寫(xiě)數據的速度是上一代內存芯片的一倍。　　三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內存模塊。　　
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ddr4介紹

DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪(fǎng)問(wèn)的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動(dòng)態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數據傳輸所以即使在133MHz的總線(xiàn)頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]