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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區
鎖定巨量數據應用 三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD
- 三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時(shí)代的來(lái)臨，將以資料儲存半導體事業(yè)一決勝負，目標擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎的固態(tài)硬碟(SSD)列為核心產(chǎn)品。 據韓國Inews 24報導，總括負責三星半導體事業(yè)部的DS部門(mén)將擴編人力，在集團底下成立巨量資料中心，并依照產(chǎn)品分析消費者的喜好程度等，強化事業(yè)力量。 DDR4 DRAM相較于DDR3，待機電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍
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Intel絕妙創(chuàng )意：同時(shí)兼容DDR3/DDR4規格
- 以往每次內存更新?lián)Q代的時(shí)候，Intel總是同時(shí)提供支持，主板廠(chǎng)商也會(huì )推出一些同時(shí)有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據說(shuō)其實(shí)也支持DDR3但屏蔽了)，實(shí)在有點(diǎn)激進(jìn)。 不過(guò)，Intel其實(shí)還有一個(gè)鬼點(diǎn)子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來(lái)的LPDDR4共享一種接口規格，隨便更換、升級。 Universal DIMM(U
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瀾起科技推出全球首顆第二代DDR4的寄存時(shí)鐘驅動(dòng)芯片
- 瀾起科技集團有限公司，專(zhuān)注于為家庭娛樂(lè )和云計算市場(chǎng)提供以芯片為基礎的全方位解決方案的全球無(wú)晶圓廠(chǎng)供應商，27日宣布推出全球首顆第二代DDR4寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器芯片(DDR4RCD02)。 DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02規范，支持2667MHz及以上的時(shí)鐘頻率。該芯片在性能和速度較其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存時(shí)鐘驅動(dòng)芯片(DDR4RCD01)有顯著(zhù)改善。目前瀾起科技已經(jīng)將DDR4RCD02工程樣片交給客戶(hù)，供其開(kāi)發(fā)支持第二代DDR4 RDI
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DDR4市場(chǎng)容量將達十億美金
- 歷經(jīng)六年的開(kāi)發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚帆起航。 近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運算架構的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開(kāi)始支持時(shí)鐘頻率達2133MHz的DDR4存儲器，這表明在PC、服務(wù)器平臺叱咤風(fēng)云多年的DDR3進(jìn)入世代交替的階段。 其實(shí)英特爾的這個(gè)出乎意料的舉動(dòng)還滿(mǎn)反常的，因為這異于其以往處理器支持新規格存儲器的步調──通常先針對PC平臺、再針對服務(wù)器平臺。但目前英特爾僅在第三季才剛推出的高階桌上型PC處理器當中(Co
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三星業(yè)內首先量產(chǎn)企業(yè)級服務(wù)器用DDR4內存
- 全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開(kāi)始正式量產(chǎn)業(yè)內首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內存。該款高密度高性能的內存模塊不僅能推動(dòng)企業(yè)級服務(wù)器和云計算環(huán)境下應用程序的不斷發(fā)展，也會(huì )在數據中心解決方案的進(jìn)一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。 新推出的RDIMM內存由36個(gè)DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。
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Molex更新DDR4 DIMM插座
- Molex公司現推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動(dòng)及標準兩種型款，為設計工程師提供更多的選項和更高的性能，同時(shí)保持成本競爭力。氣動(dòng)插座產(chǎn)品具有通孔端接類(lèi)型和流線(xiàn)型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節省空間;而標準型款則具有三種端接類(lèi)型：用于免焊工藝的壓接式;簡(jiǎn)化印刷電路板(PCB)跡線(xiàn)路由的表面安裝類(lèi)型;以及用于高成本效益應用的通孔類(lèi)型。 所有Molex DDR4 DIMM插座均可滿(mǎn)足JEDEC規范并支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM內存應用，設計用于數據、計算、電信和網(wǎng)絡(luò )服務(wù)器，具有
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Cadence推出16納米FinFET制程DDR4 PHY IP
- 全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統公司(NASDAQ: CDNS)于2014年5月20日宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權)。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng )新的架構相結合，可幫助客戶(hù)達到DDR4標準的最高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無(wú)論DDR3還是DDR4技術(shù)，最高也只能達到2133Mbps的性能。通過(guò)該技術(shù)，需要高內存帶寬的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò )交換、存儲器結構和其他片上系統(SoC)現在可以使用Cadence? DD
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內插器
- Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I(mǎi)/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內存模塊的探測選件。新的內插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠對每個(gè)通道的速率高達3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監控?！ ⌒碌膬炔迤鞯脑O計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內存槽中，且可
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力科新288腳DDR4內插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀
- Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I(mǎi)/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內存模塊的探測選件。新的內插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠對每個(gè)通道的速率高達3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監控?！ ⌒碌膬炔迤鞯脑O計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內存槽中，且可
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DDR4今年年底抵達PC
- DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見(jiàn)面，被應用在普通PC上。據澳大利亞的Techworld報道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內存DDR4做好準備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來(lái)臨的DDR4已經(jīng)明顯在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的電壓下，相比較和1.5V DDR3只需要1.2V，并且總線(xiàn)速度將定位在2133MHz，無(wú)論在讀寫(xiě)性能和刷新頻率上都明顯強于前任。 制定內存標準的電子設備工程聯(lián)合協(xié)會(huì )(JEDEC)下個(gè)月將推出DDR4
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美光宣布首個(gè)DDR4內存模組研發(fā)完成
- 雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內存/閃存設備生產(chǎn)商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個(gè)DDR4 DRAM模組研發(fā)完成。目前即將開(kāi)始制造樣品給主要客戶(hù)送測，預計將于2013年正式進(jìn)入市場(chǎng)。 根據內存標準化組織JEDEC的規劃，服務(wù)器以及企業(yè)市場(chǎng)將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對比目前的DDR3內存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產(chǎn)品和臺灣南亞科技共同研發(fā)，采用30nm制程工藝。單“條”內存模組擁有8塊4Gbit
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英特爾計劃2014年開(kāi)始支持DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì )急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會(huì )第一個(gè)整合DDR4內存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數據中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。 DDR4內存不僅會(huì )帶來(lái)頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會(huì )有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術(shù)，這些大
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ddr4介紹
DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪(fǎng)問(wèn)的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動(dòng)態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數據傳輸所以即使在133MHz的總線(xiàn)頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]
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