ddr4 文章進(jìn)入ddr4技術(shù)社區

紫光國芯官方確認首款國產(chǎn)DDR4內存明年上市

　　最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內存條出現在了網(wǎng)絡(luò )上，有人稱(chēng)這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內存。一開(kāi)始大家還不太相信圖片的真實(shí)性，因為貼紙上出現了 PC3-12800U 的字樣，對應的其實(shí)是 DDR3 1600 內存。但是近日紫光官方竟然主動(dòng)承認了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實(shí)有相關(guān)的計劃。　　近日，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺上發(fā)出了正式回應，他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報道并不確切，但是公司現在確實(shí)在開(kāi)展 DDR4存儲芯片和模組的設計與開(kāi)發(fā)工作，而按照計劃，該
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兩大新技術(shù)加持三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機

　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。　　DRAM市場(chǎng)表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)值高
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賣(mài)不出去！內存暴漲價(jià)自食惡果：沒(méi)貨、降價(jià)

內存價(jià)格持續上漲了幾乎兩年的時(shí)間，對于接下來(lái)的內存行情，經(jīng)銷(xiāo)商普遍不看好，主要是渠道需求不佳，行情繼續橫盤(pán)，恐怕依然會(huì )有很大的震蕩，關(guān)鍵就看DDR4顆粒供應緊張能否有所改善了。
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紫光自主DDR4內存曝光：?jiǎn)螚l4GB

半導體領(lǐng)域一直是個(gè)很大的短板，當然我們也在努力追趕，CPU處理器無(wú)論超算還是消費領(lǐng)域都有了突破，內存存儲也在大踏步追趕。
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三星第二代10nm級別8Gb DDR4內存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳

　　三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4內存顆粒，新的內存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級別(1x-nm)的高30%，然而價(jià)格嘛……應該暫時(shí)不會(huì )降。　　　　新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專(zhuān)用電路設計技術(shù)，性能水平與效能會(huì )比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說(shuō)以后的高頻內存要以360
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第四季DRAM銷(xiāo)售額預估年增65%,明年首季確定再漲

　　DRAM 內存市場(chǎng)近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調 3% 至 5%。而另一家內存大廠(chǎng) SK 海力士也將調漲約 5%。除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè )觀(guān)，價(jià)格將續漲 5% 以上。因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現上漲的態(tài)勢。如果加上 2018 年第 1 季持續漲價(jià)，報價(jià)已經(jīng)連續 7 季走揚，堪稱(chēng) DRAM 史上時(shí)間最長(cháng)的多頭行情。　　事實(shí)上，當前的第 4 季是傳統
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至少到明年一季度！內存價(jià)格依舊持續維持高位

　　近一年多來(lái)，內存價(jià)格持續高漲，雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩，漲價(jià)的勢頭似乎被遏制住了，但想降價(jià)的話(huà)短期內還是個(gè)夢(mèng)。　　　　據博板堂統計，2017年10月份中國區TOP11內存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續兩個(gè)月倒退。　　原因主要是上游DRAM內存顆粒供應依然十分緊張，而且供貨時(shí)間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個(gè)市場(chǎng)異常慘淡。　　　　作為內存行業(yè)老大，金士頓缺貨問(wèn)題非常嚴重，實(shí)際出貨時(shí)間只有半個(gè)月左右，整體工廠(chǎng)出貨量創(chuàng )下歷史新低，當月還
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DDR4快破千！內存價(jià)格一路瘋漲：明年形勢依舊

　　上周日,內存的價(jià)格波動(dòng)再次引發(fā)了外界的關(guān)注,國內銷(xiāo)量第一的金士頓駭客神條D4-2400飆出779元的新高。　　　　今天,京東上,D4-2133來(lái)到829元,D4-2400再次創(chuàng )下799元的新紀錄。　　　　京東的問(wèn)答區已經(jīng)完全被漲價(jià)淪陷,“破千指日可待”“金子做的嗎”“這么便宜?一千以下不敢買(mǎi)”。　　　　根據網(wǎng)友的曬單,去年D4-2133條一度刷到了
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如何降低DDR4系統功耗？PSOD輸出藏貓膩

DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導致在系統設計中，引入一些新的設計需求。
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DDR4陣營(yíng)持續擴大將首度超越DDR3

　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(cháng)。尤其是隨著(zhù)2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。　　調研機構ICInsights預估，隨著(zhù)如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷(xiāo)售額占比將會(huì )揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過(guò)去6年DDR3占比持續維持第一的
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DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(cháng)。尤其是隨著(zhù)2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。　　調研機構IC Insights預估，隨著(zhù)如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷(xiāo)售額占比將會(huì )揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過(guò)去6年DDR3占比持續維持第
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DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

　　內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計劃明年定稿。　　據悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執行效率也更高。　　同時(shí)，針對智能手機以及筆記本電腦等對續航有更高要求的設備，還會(huì )推出低電壓版的LPDDR5內存。　　雖然看起來(lái)DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時(shí)代將在DDR4生命周期結束時(shí)謝幕。　　分析師認為，DDR5會(huì )首先被應用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì )逐漸向下普及。但
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DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

　　內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計劃明年定稿。　　據悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執行效率也更高。　　同時(shí)，針對智能手機以及筆記本電腦等對續航有更高要求的設備，還會(huì )推出低電壓版的LPDDR5內存。　　雖然看起來(lái)DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時(shí)代將在DDR4生命周期結束時(shí)謝幕。　　分析師認為，DDR5會(huì )首先被應用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì )逐漸向下普及。但
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UltraScale架構DDR4 SDRAM接口的秘密

Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細展示，該演示應用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設計將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達
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三星/SK海力士/美光加速生產(chǎn)DDR4 出貨將超DDR3

　　三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲器業(yè)者加速生產(chǎn)DDR4DRAM，預估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3，短期內DDR4的價(jià)格就會(huì )低于相同容量的DDR3。　　據ETNews報導，支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經(jīng)為PC制造商正式采用于最新產(chǎn)品上，促使存儲器業(yè)者加快速度轉換生產(chǎn)DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。　　日前業(yè)界消息傳出，三星
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ddr4介紹

DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪(fǎng)問(wèn)的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動(dòng)態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數據傳輸所以即使在133MHz的總線(xiàn)頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

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8Gb 32位 DDR4 SDRAM
UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM
256Mx32 8Gb DDR4 SDRAM
8Gb 32位 DDR4 SDRAM
解決DDR4測試的新挑戰
DDR4測試的挑戰

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過(guò)孔STUB長(cháng)，DDR信號“強”？

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