JEDEC準備迎接DDR4內存規格

        內存芯片的雙倍數據速率（DDR4）的標準將包括三個(gè)數據寬度的產(chǎn)品，差分信號傳輸，數據屏蔽和一個(gè)新的終止計劃，根據JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )，標準開(kāi)發(fā)商制定的標準。

        DDR4標準預計將在2012年中期出版，和上一代技術(shù)相比，在減少電力消耗的性能上提供了顯著(zhù)進(jìn)步，JEDEC（弗吉尼亞州阿靈頓）于周一（8月22日）說(shuō)。 DDR4標準出版時(shí)，將公布在JEDEC的網(wǎng)站上，該組織說(shuō)。

        DDR4正在開(kāi)發(fā)一系列功能的設計，使高速運轉，并在各種不同領(lǐng)域，包括服務(wù)器，筆記本電腦，臺式電腦和消費電子產(chǎn)品的廣泛適用性，JEDEC說(shuō)。它的速度，電壓，和架構都被定義目標為簡(jiǎn)化遷移和促進(jìn)通過(guò)標準，據該機構說(shuō)。

        JEDEC說(shuō)一個(gè)DDR4電壓的路線(xiàn)圖已經(jīng)提出，將有助于客戶(hù)遷移VDDQ的恒定為1.2V，允許在未來(lái)的電源電壓VDD減少。DDR4通過(guò)保持的I/O電壓穩定，將有助于防止技術(shù)過(guò)時(shí)，JEDEC說(shuō)。

        每個(gè)引腳的數據傳輸速率，隨著(zhù)時(shí)間的推移，將從初始的1.6千兆每秒向每秒3.2千兆傳輸的最大目標轉移，JEDEC說(shuō)。與DDR3超過(guò)其預期的1.6 GT/s的峰值相比，在未來(lái)DDR4提出的很有可能是更高的性能水平，JEDEC說(shuō)。

        DDR4標準列入計劃的其他性能特點(diǎn)是偽開(kāi)漏輸出接口的DQ總線(xiàn)，齒輪減速模式為2667 Mhz的數據傳輸速率，世行集團的架構，內部產(chǎn)生的VrefDQ，和改進(jìn)培訓模式，JEDEC說(shuō)。

DDR4標準的其他亮點(diǎn)包括：

- 新的JEDEC POD12接口標準為（1.2V）DDR4。

 - 三個(gè)數據寬度的產(chǎn)品：X4，x8和x16。

 - 差分信號時(shí)鐘選通。

 - 新的中止計劃相對先前的DDR版本：在DDR4上，DQ總線(xiàn)轉移終止到VDDQ，這樣即使VDD電壓是隨著(zhù)時(shí)間的推移降低也能保持穩定。

 - 名義和動(dòng)態(tài)的ODT：改進(jìn)ODT的協(xié)議和一個(gè)寄存模式考慮到可以讓標稱(chēng)終端和動(dòng)態(tài)寫(xiě)入終止，而無(wú)需驅動(dòng)的ODT引腳。

 - 脈沖時(shí)間8和突發(fā)長(cháng)度4。

 - 數據屏蔽。

- DBI：幫助降低功耗，提高了數據信號的完整性，此功能通知是否真實(shí)或倒置的數據應存儲的DRAM。

 - 新的CRC數據總線(xiàn)：?jiǎn)⒂缅e誤檢測數據傳輸能力 - 尤其是有利于寫(xiě)操作期間，在非ECC內存應用。

 - 新的CA校驗命令/地址總線(xiàn)：核實(shí)鏈接的命令和地址傳輸的完整性，所有的操作提供一個(gè)低成本的方法。

 - 支持DLL關(guān)閉模式。

        JEDEC表示，它計劃舉辦一個(gè)關(guān)于DDR4新標準的技術(shù)研討會(huì )。宣布與出版更多的信息和細節將一致。

        “大量的內存設備，系統，組件和模塊生產(chǎn)商正在合作來(lái)完成的DDR4標準，這將使下一代系統完成更大的性能與較低的功耗”JEDEC的JC-42.3DRAM存儲器小組委員會(huì )主席，Joe Macri在一份聲明中說(shuō)。