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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區
專(zhuān)利流氓良了Rambus殺入DDR4
- 熟悉PC尤其是內存歷史的應當都記得外號“專(zhuān)利流氓”的Rambus。它發(fā)明了很高明的RDRAM等技術(shù)，但沒(méi)有拿來(lái)造福百姓，而是憑借專(zhuān)利四處“勒索”，臭名遠揚，自己的技術(shù)也沒(méi)幾個(gè)人用，RDRAM唯一的成功就是索尼PS3，當然還坑了Intel一把。 現在，Ramubus又回來(lái)了，但放棄了IP授權經(jīng)營(yíng)模式，轉型為一家無(wú)工廠(chǎng)半導體廠(chǎng)商，設計、銷(xiāo)售自己的產(chǎn)品。 趁著(zhù)Intel IDF 2015舉行之際，Rambus宣布了自己的首款產(chǎn)品“RB2
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DRAM價(jià)差縮 研調：DDR4年底變主流
- 據記憶體市調機構DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見(jiàn)回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠(chǎng)力守價(jià)格，代理商對市場(chǎng)信心依然持續減弱，并出現降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標準型記憶體跌價(jià)幅度持續擴張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來(lái)到64與116美元，月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM價(jià)差縮 研調：DDR4年底變主流
- 據記憶體市調機構DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見(jiàn)回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠(chǎng)力守價(jià)格，代理商對市場(chǎng)信心依然持續減弱，并出現降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標準型記憶體跌價(jià)幅度持續擴張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來(lái)到64與116美元，月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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瀾起科技攜全新DDR4產(chǎn)品亮相英特爾信息技術(shù)峰會(huì )
- 2015年4月8日，一年一度的英特爾信息技術(shù)峰會(huì )在深圳熱烈開(kāi)幕，瀾起科技攜基于全新DDR4內存接口套片的服務(wù)器平臺亮相峰會(huì )現場(chǎng)。 去年9月，瀾起科技DDR4內存接口套片在成功通過(guò)英特爾公司認證后，便成為亞洲第一家、國內唯一一家支持基于英特爾Xeon E5-2600 v3系列的服務(wù)器平臺的企業(yè)。 M88DDR4RCD002是瀾起科技推出的全球首顆第二代DDR4寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器(RCD)芯片，其性能和速率均遠超第一代DDR4 RCD芯片。一顆M88DDR4RCD02芯片可搭載九顆瀾起的第二代DD
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是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內插器
- 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內插器探測解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結合使用，可以讓工程師調試和表征他們的 DDR4 內存設計，以及驗證器件與 JEDEC DDR4 標準的一致性。 隨著(zhù) DDR4 內存標準的發(fā)布，動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器(DRAM)的數據速率已提升至 3.2 Gb/s。存儲器系統設計工程師正面臨著(zhù)較之以往更大的挑戰，面向高數據速率的存儲信號探測變得非常困難。最新的 Keysight DDR4 BGA 內插器
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Wide I/O、HBM、HMC將成存儲器新標準
- 現行的DDR4及LPDDR4存儲器都是以既有的DRAM設計為基礎，其中許多技術(shù)已沿用長(cháng)達十余年，而今無(wú)論是系統總頻寬或中央處理器(CPU)等作業(yè)環(huán)境都不可同日而語(yǔ)。有鑒于此，發(fā)展新的解決方案為眼下業(yè)界的共識，Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲器標準遂成業(yè)界關(guān)注重點(diǎn)。 據ExtremeTech網(wǎng)站報導指出，過(guò)去近20年來(lái)存儲器規格已從第一代的SDRAM DIMM發(fā)展至DDR4-3200，成長(cháng)高達48倍。因此，現今業(yè)界雖針對是否應進(jìn)一步以此標準定義DDR5有所爭議，更多人卻傾向發(fā)展新的存儲
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引進(jìn)CRC/3DS架構 DDR4數據傳輸性能/可靠度躍升
- 相較前一代記憶體規格，第四代雙倍資料率(DDR4)新增超過(guò)二十種功能，其中，采用循環(huán)冗余校驗碼(CRC)和立體矽堆疊(3DS)技術(shù)更是重大變革，前者可即時(shí)檢測資料匯流排上的錯誤訊息，提升可靠度;后者對提升時(shí)序和功率效能則大有幫助。 隨著(zhù)標準不斷演進(jìn)，新一代記憶體規范通常著(zhù)重于提升資料傳輸速率，其他方面僅略做調整，但第四代雙倍資料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相時(shí)，便新增超過(guò)二十種功能，比先前DDR規格足足多一倍。 前幾代的DDR規格創(chuàng )新，主要目標是提供更快速度或更廣泛的應用，然而，
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20納米轉換困難重重 4GB DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠(chǎng)轉進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì )遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì )延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉進(jìn)速度一切都如預期，年底會(huì )有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì )改變。 日前傳出韓系存儲器廠(chǎng)25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PCOEM客戶(hù)認證，導致部分貨源流入現貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問(wèn)題更嚴重，轉進(jìn)20納米制程
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4 20納米
20納米轉換困難重重 4Gb DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠(chǎng)轉進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì )遞延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì )延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉進(jìn)速度一切都如預期，年底會(huì )有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì )改變。 日前傳出韓系存儲器廠(chǎng)25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PC OEM客戶(hù)認證，導致部分貨源流入現貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問(wèn)題更嚴重，轉進(jìn)20納米
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淺談 DDR4 的技術(shù)變革與市場(chǎng)趨勢
- 動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見(jiàn)的記憶體元件。在處理器相關(guān)運作中，DRAM 經(jīng)常被用來(lái)當作資料與程式的主要暫存空間。相對于硬碟或是快閃記憶體(Flash Memory)，DRAM 具有存取速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛的使用在各式各樣現代的科技產(chǎn)品中，例如電腦、手機、游戲機、影音播放器等等。 自 1970 年英代爾(Intel)發(fā)表最早的商用 DRAM 晶片-Intel 1103 開(kāi)始，隨著(zhù)半導
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威剛超頻存儲器創(chuàng )紀錄
- 記憶體品牌威剛科技宣布，威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記憶體搭配華碩(ASUS)ROG系列Rampage V Extreme主機板，以液態(tài)氮(LN2)超頻，直達4255MHz CL17，締造了全新紀錄。 威剛長(cháng)期與各大主機板廠(chǎng)合作，努力追求DDR4搭配Intel最新X99平臺的最高效能。秉持堅強的研發(fā)實(shí)力，全新閃耀金色版的威剛XPG Z1 DDR4 3333MHz此次輕松突破4GHz大關(guān)，還達到了4255MHz CL17的超高頻率與時(shí)序，證明了威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記
- 關(guān)鍵字： 威剛 DDR4
ddr4介紹
DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪(fǎng)問(wèn)的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動(dòng)態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數據傳輸所以即使在133MHz的總線(xiàn)頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]
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