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ddr2-sdram 文章 進(jìn)入ddr2-sdram技術(shù)社區
三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠(chǎng)24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現供貨排擠效應。 三星器興廠(chǎng)發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統 (UPS)后，1小時(shí)內便恢復運作，估計此事件對公司營(yíng)運影響不大。 存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠(chǎng)區
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
威剛董事長(cháng)預計DRAM市場(chǎng)二季度起出現供應短缺
- 據臺灣媒體報道，威剛科技董事長(cháng)陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開(kāi)始，動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)市場(chǎng)可能會(huì )面臨供應短缺問(wèn)題，到今年下半年，供需缺口可能會(huì )達到10%。 據報道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉為生產(chǎn)DDR-3，這推動(dòng)DDR-2芯片價(jià)格在傳統淡季第一季度出現上漲。 報道稱(chēng)，自春節假期結束以來(lái)，DDR2現貨價(jià)格已上漲6.8%。 威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤(pán)驅動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字： 威剛 DRAM DDR2
臺灣DDR2內存現貨價(jià)節后上漲7%
- 據臺灣經(jīng)濟日報報道，內存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現貨價(jià)打破傳統淡季束縛率先表態(tài)，農歷年后上漲近7%，創(chuàng )近一個(gè)多月新高。相關(guān)大廠(chǎng)如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠(chǎng)可能得要擔心，資訊產(chǎn)品供應鏈下半年會(huì )出現缺貨潮。 威剛董事長(cháng)陳立白指出，電子大廠(chǎng)都在談缺工，其實(shí)缺工問(wèn)題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會(huì )面臨這個(gè)問(wèn)題。 根據集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價(jià)，1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價(jià)2.35美元，創(chuàng )近一個(gè)多月新
- 關(guān)鍵字： 茂德 DDR2 DRAM
DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3
- 報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著(zhù)DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。 Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì )出現大幅度增長(cháng)。 Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過(guò)工藝升級的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級或許會(huì )因為其它設備的供應短缺而延緩。 根據DRAMeXchange的監測，1Gb DDR2
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
DRAM迎來(lái)希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當時(shí)廠(chǎng)商能活下來(lái)就不錯了。 但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎上持續上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤率為19%，營(yíng)業(yè)收入達22億美元，市場(chǎng)份額擴大到35.5%的最高水平。 DDR3來(lái)臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠(chǎng)商受惠
- 上海芯片代工廠(chǎng)中芯國際自新任CEO王寧國掌權后，包括中芯本身、武漢廠(chǎng)新芯、成都廠(chǎng)成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能，成為國內消費性電子產(chǎn)品及家電市場(chǎng)SDRAM最大供應商，此次停產(chǎn)后導致市場(chǎng)供貨短缺效應逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規格SDRAM現貨價(jià)近日飆出新天價(jià)，臺灣地區SDRAM供應商受惠最大。 中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬(wàn)片8吋芯片規模，在大陸消費性電子及家電市場(chǎng)，擁有超過(guò)30%的市場(chǎng)占有率，
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臺灣DRAM廠(chǎng)商大舉轉產(chǎn)DDR3
- 2010年P(guān)C主流內存標準從DDR2向DDR3的轉換正在逐步成為現實(shí)。據臺灣媒體報道，由于下游廠(chǎng)商的DDR2訂單量近期出現急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉換的步伐。根據稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 另一家DRAM大廠(chǎng)
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DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠(chǎng)搶轉產(chǎn)能
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠(chǎng)紛搶著(zhù)將產(chǎn)能轉移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過(guò)，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著(zhù)把DDR2產(chǎn)能轉走，說(shuō)不定會(huì )意外讓DDR2跌勢止穩，反而有利于DDR2價(jià)格走勢。 臺 DRAM廠(chǎng)表示，原本業(yè)者認為在農歷春節前DDR2買(mǎi)氣還有最后一搏機會(huì )，因為DDR2若
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成
- 韓國內存廠(chǎng)商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設備，可在智能手機，平板電腦等移動(dòng)設備上使用，Hynix并稱(chēng)這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。 這款內存芯片產(chǎn)品的數據傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。 Hynix宣稱(chēng)這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統帶寬可達4.26GB/s。另外，這
- 關(guān)鍵字： Hynix 44nm DDR2 內存芯片
DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內也不會(huì )過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)。 主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內也不會(huì )過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)。 主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過(guò)Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過(guò)驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時(shí)的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱(chēng)
- 關(guān)鍵字： Hynix 40nm SDRAM 50nm
ddr2-sdram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr2-sdram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr2-sdram的理解，并與今后在此搜索ddr2-sdram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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