EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr2-sdram
ddr2-sdram 文章 進(jìn)入ddr2-sdram技術(shù)社區
ADSP-TS201的系統設計及外部總線(xiàn)接口技術(shù)
- 1 引言隨著(zhù)雷達技術(shù)發(fā)展，大帶寬高分辨力、多種信號處理方式的采用，使得實(shí)時(shí)信號處理對數據的處理速度大大提高。同時(shí)在雷達信號處理中運算量大，數據吞吐量急劇上升，對數據處理的要求不斷提高。隨著(zhù)大規模集成電路技術(shù)的發(fā)展，作為數字信號處理的核心數字信號處理器(DSP)得到了快速的發(fā)展和應用。ADSP-TS201DSP是美國模擬器件(ADD公司繼TSl01之后推出的一款高性能處理器。此系列DSP性?xún)r(jià)比很高，兼有FPGA和ASIC信號處理性能和指令集處理器的高度可編程性，適用于大存儲量、高性能、高速度的信號處理和圖像
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) SDRAM DSP-TS201 總線(xiàn)接口 模擬IC 電源
Altera實(shí)現對新的JEDEC DDR3 SDRAM標準的支持
- Altera宣布，在FPGA業(yè)界實(shí)現了對高性能DDR3存儲器接口的全面支持。在最近通過(guò)的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標準下，Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設計人員充分發(fā)揮DDR3存儲器的高性能和低功耗優(yōu)勢，這類(lèi)存儲器在通信、計算機和視頻處理等多種應用中越來(lái)越關(guān)鍵。 這些應用處理大量的數據，需要對高性能存儲器進(jìn)行快速高效的訪(fǎng)問(wèn)。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標準可滿(mǎn)足DDR3存儲器的1.5V低功耗電壓供電要求，在下一
- 關(guān)鍵字： Altera SDRAM 存儲器
美光最新Aspen Memory打造低功耗DDR2模塊
- 美光科技公司近日推出了其最新AspenMemory系列的節能產(chǎn)品，它是一款以RCC（reducedchipcount）存儲模塊構成的低壓DDR2DRAM芯片。這些新產(chǎn)品是專(zhuān)門(mén)用來(lái)降低服務(wù)器功耗的。美光科技公司將繼續開(kāi)發(fā)其他產(chǎn)品以發(fā)展AspenMemory產(chǎn)品系列，由于功耗問(wèn)題已經(jīng)成為許多企業(yè)數據中心的服務(wù)器和筆記本電腦面臨的一個(gè)大問(wèn)題，因此這個(gè)產(chǎn)品系列的應用范圍將非常廣闊。 美光科技公司存儲器集團副總裁BrianShirley表示：“目前IT服務(wù)
- 關(guān)鍵字： DDR2 美光 消費電子 模塊 消費電子
利用FPGA解決TMS320C54x與SDRAM的接口問(wèn)題
- 在DSP應用系統中，需要大量外擴存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數碼相機和攝像機中，為了將現場(chǎng)拍攝的諸多圖片或圖像暫存下來(lái)，需要將DSP處理后的數據轉移到外存中以備后用。從目前的存儲器市場(chǎng)看，SDRAM由于其性能價(jià)格比的優(yōu)勢，而被DSP開(kāi)發(fā)者所青睞。DSP與SDRAM直接接口是不可能的。 FPGA（現場(chǎng)可編程門(mén)陣列）由于其具有使用靈活、執行速度快、開(kāi)發(fā)工具豐富的特點(diǎn)而越來(lái)越多地出現在現場(chǎng)電路設計中。本文用FPGA作為接口芯片，提供控制信號和定時(shí)信號，來(lái)實(shí)現DSP到SDRAM的數據存取。 1 SDRA
- 關(guān)鍵字： DSP FPGA SDRAM 單片機 嵌入式系統 存儲器
DSP片外高速海置SDRAM存儲系統設計
- 在數字圖像處理、航空航天等高速信號處理應用場(chǎng)合，需要有高速大容量存儲空間的強力支持，來(lái)滿(mǎn)足系統對海量數據吞吐的要求。通過(guò)使用大容量同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)來(lái)擴展嵌入式DSP系統存儲空間的方法，選用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片，詳細論述在基于TMS320C6201(簡(jiǎn)稱(chēng)C6201)的數字信號處理系統中此設計方法的具體實(shí)現。 1 IS42S16400芯片簡(jiǎn)介IS42S16400是ISSl公司推出的一種單片存儲容量高達64 Mb(即8 MB)的16位字寬高速SDRAM芯片。
- 關(guān)鍵字： DSP SDRAM 單片機 嵌入式系統 存儲器
三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量
- 據國外媒體援引消息人士透露，韓國芯片巨頭三星電子計劃進(jìn)一步縮減DDR2內存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線(xiàn)用于盈利更好的NAND閃存。 據業(yè)內消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬(wàn)個(gè) “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計劃進(jìn)一步壓縮5000萬(wàn)個(gè)單位。這位消息人士說(shuō)，三星電子計劃用這些騰出的生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)目前市場(chǎng)供不應求的NAND閃存產(chǎn)品。 三星電子這個(gè)舉措符合存儲市場(chǎng)調研公司iSuppli對明年DRAM市場(chǎng)所作的估計。據這家機構
- 關(guān)鍵字： DDR2 三星 閃存
ddr2-sdram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr2-sdram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr2-sdram的理解，并與今后在此搜索ddr2-sdram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr2-sdram的理解，并與今后在此搜索ddr2-sdram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
ddr2-sdram電路
ddr2-sdram相關(guān)帖子
ddr2-sdram資料下載
ddr2-sdram專(zhuān)欄文章
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473