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ddr2-sdram 文章 進(jìn)入ddr2-sdram技術(shù)社區
8月份內存芯片價(jià)格繼續上揚 達到盈利水平
- 自今年初芯片價(jià)格達到數年來(lái)的最低點(diǎn)后開(kāi)始上揚，8月份繼續上揚，終于達到盈利水平。 Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價(jià)格上漲了18.9%，為每個(gè)1.58美元;老款芯片DDR2合同價(jià)格上漲了13.7%，為每個(gè)1.45美元。 內存芯片價(jià)格上漲正值PC廠(chǎng)商生產(chǎn)并向全球市場(chǎng)發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節即將來(lái)臨，許多學(xué)生會(huì )攜新筆記本返?；蚱涓改纲徺I(mǎi)臺式機。因返校季節成為銷(xiāo)售旺季，會(huì )使內存市場(chǎng)價(jià)格上揚，有時(shí)價(jià)格會(huì )一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷(xiāo)售旺季。 今年微軟Wi
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達 內存 DDR3 DDR2
8月份內存芯片價(jià)格繼續上揚 達到盈利水平
- 自今年初芯片價(jià)格達到數年來(lái)的最低點(diǎn)后開(kāi)始上揚，8月份繼續上揚，終于達到盈利水平。 Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價(jià)格上漲了18.9%，為每個(gè)1.58美元;老款芯片DDR2合同價(jià)格上漲了13.7%，為每個(gè)1.45美元。 內存芯片價(jià)格上漲正值PC廠(chǎng)商生產(chǎn)并向全球市場(chǎng)發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節即將來(lái)臨，許多學(xué)生會(huì )攜新筆記本返?；蚱涓改纲徺I(mǎi)臺式機。因返校季節成為銷(xiāo)售旺季，會(huì )使內存市場(chǎng)價(jià)格上揚，有時(shí)價(jià)格會(huì )一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷(xiāo)售旺季。 今年微軟Wi
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6月全球芯片設備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力
- 市場(chǎng)調研公司VLSI Research指出，6月全球半導體設備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。 VLSI Research的數據顯示，6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設備訂單額達25億美元，較5月增長(cháng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(cháng)31%，達24億美元，但較去年6月減少57%。 VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現了一些積極的趨勢。后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長(cháng)，后端工廠(chǎng)產(chǎn)能利用率正在快速增長(cháng)
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2009第二季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收漲幅高達27.1%
- 根據集邦科技調查統計，2009年第二季，DRAM合約價(jià)在減產(chǎn)效應持續發(fā)酵，計算機系統廠(chǎng)商在低價(jià)持續拉高庫存水位下，第二季DRAM合約季均價(jià)上漲23%?，F貨價(jià)格亦在減產(chǎn)效應下，供給吃緊，DDR2 1Gb 667MHz 現貨價(jià)格在五月一度站上1.27美元。許多市場(chǎng)人士樂(lè )觀(guān)期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，傳出某DRAM廠(chǎng)商釋出低價(jià)顆粒到現貨市場(chǎng)，而使六月現貨價(jià)格維持在1.05至1.19間盤(pán)整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 現貨季均價(jià)上漲27%，約1.12美元。 第二季
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VLSI Research：6月全球芯片設備訂單出貨比突破1
- 市場(chǎng)調研公司VLSI Research指出，6月全球半導體設備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。 VLSI Research的數據顯示，6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。 6月全球設備訂單額達25億美元，較5月增長(cháng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(cháng)31%，達24億美元，但較去年6月減少57%。 VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現了一些積極的趨勢。 后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長(cháng)，后端工廠(chǎng)產(chǎn)能利
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嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統中SDRAM控制器的實(shí)現
- 嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統中SDRAM控制器的實(shí)現,介紹一種用于嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統的SDRAM控制器的實(shí)現方案。根據實(shí)時(shí)系統對數據傳輸速率及連續性的要求，將SDRAM配置為全頁(yè)突發(fā)操作模式，并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數據緩沖器。為配合SDRAM的全頁(yè)操作模式，并充分利用其高速讀寫(xiě)性能，將FIFO設計為基于乒乓操作的流水線(xiàn)結構，實(shí)現了數據的無(wú)縫緩存。將該方案用于實(shí)時(shí)紅外熱成像系統，經(jīng)實(shí)驗結果表明，該SDRAM控制器執行效率高，占用資源少，可移植性強。
- 關(guān)鍵字： SDRAM 控制器 實(shí)現 理系 處理 實(shí)時(shí) 圖像 嵌入式
恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規格，此新一代存儲技術(shù)可滿(mǎn)足載有大量?jì)热莺蛿祿脚_的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動(dòng)應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡(jiǎn)化設計流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
三星DRAM藏伏筆 臺廠(chǎng)忐忑難安
- 過(guò)去一向扮演DRAM市場(chǎng)領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價(jià)上漲過(guò)程中，卻表現異常的沈默，存儲器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進(jìn)調漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價(jià)格上漲超過(guò)1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠(chǎng)，再度有喘息機會(huì )，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠(chǎng)開(kāi)始低調增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場(chǎng)傳統旺季，這不僅讓整體DRAM市場(chǎng)彌漫著(zhù)相當詭異氣氛，亦讓臺DRAM廠(chǎng)對
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓 DDR2
DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設計(08-100)
- DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數據速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標準組織開(kāi)發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術(shù)。 相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個(gè)時(shí)鐘周期完成兩次數據傳輸的特性，但DDR2 SDRAM在數據傳輸率、延時(shí)、功耗等方面都有了顯著(zhù)提高，而這些性能的提高，主要來(lái)源于以下技術(shù)的提升：ODT，Post CAS，4n數據預取，封裝等。
- 關(guān)鍵字： 思科 DDR2 SDRAM
ADI公司的新一代SHARC 處理器滿(mǎn)足專(zhuān)業(yè)音頻的所有需求
- 極高性能的浮點(diǎn)DSP，比以往的 SHARC處理器性能提高一倍，具有硬件加速器與音頻應用提升特性: 片上存儲器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存儲器接口及連接端口 中國 北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以幫助開(kāi)發(fā)人員重新定義專(zhuān)業(yè)系統中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率：專(zhuān)業(yè)數字音頻應用正在不斷逼
- 關(guān)鍵字： DSP SHARC處理器 DDR2 SDRAM ADI
DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統中的應用
- 引言 DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開(kāi)發(fā)的新生代內存技術(shù)標準,與上一代DDR內存技術(shù)標準相比，雖然采用時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)進(jìn)行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有2倍于上一代DDR內存預讀取能力(即：4 bit數據讀預取)。即就是，DDR2內存每時(shí)鐘能以4倍的外部總線(xiàn)速度讀／寫(xiě)數據,并且能以?xún)炔靠刂瓶偩€(xiàn)4倍的速度運行。 此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
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DDR3：千呼萬(wàn)喚始出來(lái) 尤抱琵琶半遮面
- 內存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內存規格的生命周期為3-5年，如今DDR2規格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進(jìn)入了其生命的最后歷程。 隨著(zhù)電腦技術(shù)以及應用軟件的不斷進(jìn)步，在各種應用當中， DDR2內存無(wú)論在性能還是功耗上對現今以及未來(lái)的需求都顯的有些捉襟見(jiàn)肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現階段以及今后的發(fā)展藍圖中，我們可以看見(jiàn)DDR3內存正逐漸取代DDR2。 作為即將取代DDR2規格內存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進(jìn)能為我們帶來(lái)什么好處呢？
- 關(guān)鍵字： DDR3 Windows Vista 功耗 內存 DDR2
爾必達宣布減產(chǎn)內存芯片產(chǎn)能10%
- 繼力晶在本周一宣布減產(chǎn)10-15%后，日本內存芯片廠(chǎng)商爾必達在昨天正式對外宣布，自9月中旬起將正式減產(chǎn)總產(chǎn)能10%，全球每月內存芯片(DRAM)總供給量可望因此減少約1.5%。 力晶前天對外正式宣布將減少10-15%的標準型DRAM產(chǎn)量，即相當于每個(gè)月將近1.5萬(wàn)片的12吋晶圓，同時(shí)推遲新廠(chǎng)建設日程，希望以此舒緩全球嚴重供過(guò)于求的形勢。 作為力晶的重要策略合作伙伴，爾必達昨天的聲明對于即將進(jìn)入第四季傳統淡季的內存芯片行業(yè)來(lái)說(shuō)，可能是個(gè)好消息，尤其爾必達是國際大廠(chǎng)之一。雖然兩家公司的
- 關(guān)鍵字： 爾必達 力晶 內存芯片 DDR2
SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應用
- 任意波形發(fā)生器在雷達、通信領(lǐng)域中發(fā)揮著(zhù)重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲深度很難做得很大,從而不能精確地表達復雜信號。本文介紹的基于動(dòng)態(tài)存儲器(SDRAM)的設計能有效解決這一問(wèn)題,并詳細討論了一種簡(jiǎn)化SDRAM控制器的設計方法。
- 關(guān)鍵字： SDRAM 任意波形發(fā)生器 中的應用
ddr2-sdram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr2-sdram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr2-sdram的理解，并與今后在此搜索ddr2-sdram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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