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基于USB2_0和DDR2的數據采集系統設計與FPGA實(shí)現

  • 摘要: 采用DDR2 SDRAM作為被采集數據的緩存技術(shù), 給出了USB2.0與DDR2相結合的實(shí)時(shí)、高速數據采集系統的解決方案, 同時(shí)提出了對數據采集系統的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實(shí)現方法。

    0 引
  • 關(guān)鍵字: DDR2  FPGA  USB  數據采集    

基于FPGA與SDRAM的數字電視信號采集系統的設計與實(shí)

  • 要FPGA與的數字信號采集系統??梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統適應能力。該方案通過(guò)計算機并口實(shí)現與計算機的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數字電視信號的分析能力
  • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  數字電視信號  采集系統    

一種基于FPGA的立體視頻轉換系統研究設計

  • 自由立體顯示器是一種無(wú)需佩戴輔助裝置就能觀(guān)看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
  • 關(guān)鍵字: FPGA  立體視頻轉換  SDRAM  DVI  

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統設計與仿真

  • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統設計與仿真, 摘 要: 介紹了DDR2嵌入式系統的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進(jìn)行仿真分析,給出了一個(gè)具體的DDR2嵌入式系統的設計過(guò)程和方法?! ‖F代電子設計和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: 設計  仿真  系統  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于  

如何實(shí)現FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

  • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線(xiàn)速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲密度更可高達2Gbits。該架構無(wú)疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但問(wèn)
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基于FPGA的LED大屏幕控制系統的設計實(shí)現

  • 相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù),LED顯示技術(shù)有其獨特的優(yōu)越性:高亮度、寬可視角度、豐富...
  • 關(guān)鍵字: LED大屏幕  FPGA  反γ校正  SDRAM  

基于SDRAM文件結構存儲方式的數據緩存系統

  • 基于SDRAM文件結構存儲方式的數據緩存系統,O 引言  面對不同的應用場(chǎng)景,原始采樣數據可能包含多種不同樣式的信號,這給傳統基于連續存儲方式的數據緩存系統帶來(lái)了挑戰。除此之外,由于對不同信號的處理往往需要不同的數據幀結構,緩存系統的設計需要保存原
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基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計

  • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,  本白皮書(shū)討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰和 Xilinx 的解決方案,同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗證的參考設計來(lái)為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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美光推出內存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

  •   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存,支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場(chǎng)十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場(chǎng)的 理想存儲解決方案。   美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過(guò)渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節點(diǎn), 反映出美光對市場(chǎng)所需的技術(shù)的承諾和持續投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
  • 關(guān)鍵字: 美光  50納米  DDR2  

鎂光開(kāi)始出貨50nm 2Gb DDR2 內存芯片

  •   鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板電腦市場(chǎng)。   該芯片采用低電壓DDR2標準制造,可與英特爾開(kāi)發(fā)代號Oak Trail的Atom系統協(xié)同工作,容量方面,該芯片從512Mb到2Gb不等,可構成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內存條,實(shí)現8億MT/s傳輸能力。   得益于較小的制程,這款芯片可以工作在1.55V的低壓下,以降低系統的電源需求。   鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開(kāi)始出樣,年末之前量產(chǎn)出貨。
  • 關(guān)鍵字: 鎂光  50納米  DDR2  

茂德、鈺創(chuàng )攜手進(jìn)軍SDRAM

  •   臺系DRAM廠(chǎng)陸續啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線(xiàn)策略,近期茂德悄悄與鈺創(chuàng )進(jìn)行結盟,將在中科12寸晶圓廠(chǎng)為鈺創(chuàng )代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品,采用72納米制程,目前已進(jìn)入試產(chǎn),這是茂德跨入消費性電子市場(chǎng)重要里程碑,對鈺創(chuàng )而言,亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。   2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(Qimonda),但各家DRAM業(yè)者都意識到太過(guò)執著(zhù)于標準型DRAM產(chǎn)品,終究是一條不歸路,因此自 2010年開(kāi)始,陸續傳出DRAM廠(chǎng)開(kāi)始布局非標準型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域,包括SDRAM、
  • 關(guān)鍵字: Qimonda  DRAM  SDRAM  

Cyclone II如何實(shí)現的DDR SDRAM接口

  • Cyclone II如何實(shí)現的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統性能,改善數據位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō),可以把系統頻率擴大一倍或者把數據I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現雙倍的數據位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因為它們會(huì )增加
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力晶王其國:DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩

  •   力晶總經(jīng)理王其國表示,目前12寸晶圓廠(chǎng)不論在標準型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上,產(chǎn)能都相當吃緊,未來(lái)DRAM業(yè)者在轉制程和蓋新廠(chǎng)上,會(huì )因為財務(wù)問(wèn)題而放緩腳步,因此短期內不擔心供過(guò)于求的問(wèn)題,尤其是相當看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量,算是殺手級的應用,對于未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當正面。   王其國表示,過(guò)去摩爾定律認為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數量可多出1倍,但未來(lái)隨著(zhù)DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加,制程微縮的腳步放緩,可能較難達成,加上現在轉進(jìn)
  • 關(guān)鍵字: 力晶  SDRAM  DRAM  

inSpectrum:內存/閃存芯片現貨價(jià)格本周出現下降

  •   據inSpectrum市調機構的報告顯示,由于本周內存/閃存芯片的現貨市場(chǎng)需求量有所下滑,因此各大存儲芯片廠(chǎng)商均對這些產(chǎn)品的現貨價(jià)格進(jìn)行了調整。 其中1Gb密度DDR2內存芯片產(chǎn)品的現貨價(jià)格下調了5-6%,均價(jià)于4月30日下午達到2.62美元價(jià)位;而1Gb DDR3內存芯片的價(jià)格則下跌了3%,均價(jià)2.85美元。   近期內存芯片的市場(chǎng)需求表現較為弱勢,加上又沒(méi)有其它可以驅動(dòng)芯片價(jià)格上漲的因素存在,而早先人們預計五一節假日期間大陸市場(chǎng)可能會(huì )發(fā)生的內存/閃存芯片價(jià)格回彈現象也由于實(shí)際的購買(mǎi)量并沒(méi)有實(shí)
  • 關(guān)鍵字: 存儲芯片  閃存芯片  DDR2  
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