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coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
開(kāi)關(guān)模式電源電流檢測——第二部分
- 電流檢測電阻的位置連同開(kāi)關(guān)穩壓器架構決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續導通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會(huì )影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監控電路看到的共模電壓。放置在降壓調節器高端對于降壓調節器，電流檢測電阻有多個(gè)位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時(shí)（如圖1所示），它會(huì )在頂部MOSFET導通時(shí)檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導通時(shí)，它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品
- 關(guān)鍵半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出一系列采用節省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車(chē)MOSFET。采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車(chē)應用（包括電機驅動(dòng)器和DC/DC轉換器）的標準構建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線(xiàn)路，其占用的PCB面積減少了30%，同時(shí)支持在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行簡(jiǎn)單的自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車(chē)級
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET AEC-Q101
采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器
- 設計要點(diǎn) DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應用，無(wú)電感型開(kāi)關(guān)電容器轉換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統降壓或升壓拓撲可顯著(zhù)地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過(guò)采用充電泵取代電感器，一個(gè) “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動(dòng)、保護、柵極驅動(dòng)和穩壓方面面臨挑戰，所以充電泵傳統上一直局限于低功率應用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問(wèn)題，可實(shí)現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
- 關(guān)鍵字： MOSFET
在可再生能源應用的逆變器設計中使用SPWM發(fā)生器
- 可再生能源仍然是世界范圍內的大趨勢。隨著(zhù)捕獲風(fēng)能、太陽(yáng)能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統的成本和效率對公司和消費者都越來(lái)越有吸引力。實(shí)際上，2016年，全球對可再生能源的資本投資跌到了多年來(lái)最低水平，但是卻創(chuàng )下了一年內可再生能源設備安裝數量最多的記錄。在用于可再生能源系統的組件中，逆變器是一項尤其關(guān)鍵的系統組件。由于大多數可再生能源都是通過(guò)直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉換為交流電（AC）以有效整合到現有電網(wǎng)中起著(zhù)關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動(dòng)力系統和微電
- 關(guān)鍵字： PWM AC DC MOSFET SPWM
采用具有驅動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
- 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實(shí)現非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度，有助于顯著(zhù)降低電力電子領(lǐng)域功率轉換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實(shí)際應用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來(lái)的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進(jìn)行封裝改進(jìn)后獲得的改善效果。功率元器件傳統封裝形式帶來(lái)的開(kāi)關(guān)性能限制TO-247N（圖1）是應用最廣泛的功率晶體管傳統封裝形式之一。如圖1左側所示，
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Vishay贊助的同濟大學(xué)電動(dòng)方程式車(chē)隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車(chē)設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車(chē)隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車(chē)大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車(chē)隊由100多名成員組成，致力于提高汽車(chē)速度和能效，同時(shí)為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車(chē)隊設計制造一款先進(jìn)的電動(dòng)賽車(chē)，參加包括FSEC在內的國際大學(xué)生方程式汽車(chē)賽。在2020年襄陽(yáng)站的角逐中，DIAN Racing車(chē)隊以設計報告和直線(xiàn)加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績(jì)獲得本屆比
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Vishay贊助的同濟大學(xué)電動(dòng)方程式車(chē)隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車(chē)設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車(chē)隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車(chē)大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車(chē)隊由100多名成員組成，致力于提高汽車(chē)速度和能效，同時(shí)為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車(chē)隊設計制造一款先進(jìn)的電動(dòng)賽車(chē)，參加包括FSEC在內的國際大學(xué)生方程式汽車(chē)賽。在2020年襄陽(yáng)站的角逐中，DIAN Racing車(chē)隊以設計報告和直線(xiàn)加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績(jì)獲得本屆比
- 關(guān)鍵字： MOSFET
GD32創(chuàng )新反電動(dòng)勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機
- 0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱(chēng)“馬達”）是指依據電磁感應定律實(shí)現電能轉換或傳遞的一種電磁裝置，用來(lái)產(chǎn)生驅動(dòng)轉矩作為電器或各種機械的動(dòng)力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉速進(jìn)行控制。本文介紹了基于兆易創(chuàng )新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創(chuàng )新型高精度反電動(dòng)勢電壓采樣方案，廣泛應用于工業(yè)控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸等領(lǐng)域實(shí)現高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC
哪些應用和技術(shù)會(huì )成為2021的熱點(diǎn)
- 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個(gè)充滿(mǎn)挑戰的新環(huán)境，疫情加速了許多本來(lái)就在進(jìn)行的趨勢，所有趨勢都潛藏著(zhù)一個(gè)一致的主題，那就是彈性?；ヂ?lián)網(wǎng)的應用比以前有了更大的發(fā)展和進(jìn)步。有很多人在網(wǎng)上訂購生活必需品送貨上門(mén)，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂(lè )幾乎超出了預期，被迫學(xué)習和適應相關(guān)的工具。幸運的是，通信和信息網(wǎng)絡(luò )的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò )使用量的增長(cháng)刺激了對這一關(guān)鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數據中心
- 關(guān)鍵字： MOSFET Wi-Fi 6 202101
ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jì)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測試的 可靠重復雪崩性能
- 半導體基礎元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統應用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測試，可用于汽車(chē)感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數量簡(jiǎn)化設計。 在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著(zhù)升壓、續流二極管或主動(dòng)鉗位拓撲結構進(jìn)行構建。第四個(gè)選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET
簡(jiǎn)化汽車(chē)車(chē)身電機控制器設計，快速實(shí)現輕量化
- 無(wú)論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開(kāi)行李箱，車(chē)身電子設備系統都可使用電機來(lái)提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動(dòng)裝置。但將MOSFET用作開(kāi)關(guān)給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動(dòng)以及診斷與保護）帶來(lái)了新的技術(shù)性挑戰。德州儀器開(kāi)發(fā)的集成電路（IC）電機驅動(dòng)器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰，同時(shí)減小解決方案尺寸并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰、集成到電機驅動(dòng)集成電路中
- 關(guān)鍵字： MOSFET
照明的光明未來(lái)
- 要有（電）燈！但誰(shuí)負責點(diǎn)亮呢？有許多人聲稱(chēng)自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點(diǎn)鋪平了道路。我們可能無(wú)法查明確切的“發(fā)現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）申請了第一個(gè)商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專(zhuān)利[[1]]。除了細絲材料的微小改進(jìn)，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時(shí)起直到最近基本上一直在使用愛(ài)迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過(guò)去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數住宅和商業(yè)設施中
- 關(guān)鍵字： MOSFET
三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線(xiàn)
- 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶(hù)處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著(zhù)中
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
占空比的上限
- 開(kāi)關(guān)穩壓器使用占空比來(lái)實(shí)現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(cháng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說(shuō)明中，這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
- 關(guān)鍵字： CCM TON MOSFET
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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