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coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
iCoupler技術(shù)為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢
- 大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實(shí)現更高的電流操作，從
- 關(guān)鍵字： MOSFET
應用筆記140 - 第3/3部分：開(kāi)關(guān)電源組件的設計考慮因素
- 開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化一般來(lái)講，開(kāi)關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進(jìn)負載瞬態(tài)響應。但是，開(kāi)關(guān)頻率更高也意味著(zhù)與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來(lái)限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開(kāi)關(guān)頻率可高達幾MHz。每個(gè)設計的最優(yōu)頻率都是通過(guò)仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實(shí)現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
- 關(guān)鍵字： MOSFET DCE ESR MLCC
宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準
- 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類(lèi)音頻放大器、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統、DC/DC轉換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機械人及無(wú)人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
- 關(guān)鍵字： MOSFET QRR QG
應用筆記140 第2/3部分 - 開(kāi)關(guān)模式電源基礎知識
- 為何使用開(kāi)關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開(kāi)關(guān)模式而非線(xiàn)性模式下運行。這意味著(zhù)，當晶體管導通并傳導電流時(shí)，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒(méi)有電流。因此，半導體晶體管就像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線(xiàn)性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開(kāi)關(guān)模式同步降壓電源通?？蓪?shí)現90%以上的效率，而線(xiàn)性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著(zhù)功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應用重要優(yōu)值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
- 關(guān)鍵字： MOSFET FOM
健康催生可穿戴多功能需求
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂(lè )、運動(dòng)和醫療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線(xiàn)通信等技術(shù)嵌入人們的衣著(zhù)或配件的設備，可支持手勢和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩步成長(cháng)。據統計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設備已成為過(guò)去5年來(lái)消費電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009
ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品
- 1 無(wú)線(xiàn)基站羅姆（ROHM）針對無(wú)線(xiàn)基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導通
- 關(guān)鍵字： 耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識別和測距系統（TOF系統*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線(xiàn)長(cháng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì )影響光源的驅動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對實(shí)現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
- 關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV
內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片
- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開(kāi)關(guān)電源控制IC后，為滿(mǎn)足客戶(hù)對更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM 調頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調節線(xiàn)性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應用可廣泛應用于A(yíng)C
- 關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM
減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節能SiC-MOSFET
- 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類(lèi)型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開(kāi)關(guān)性能，并將開(kāi)關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車(chē)充電站中的節能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著(zhù)降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
- 關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS
模塊化參考設計幫助用戶(hù)為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時(shí)間、節省BOM成本及資源
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車(chē)應用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶(hù)加快電動(dòng)滑板車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)、UPS和儲能系統的開(kāi)發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車(chē)、機器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動(dòng)器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU
低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43
- 關(guān)鍵字： MOSFET
東芝與MikroElektronika展開(kāi)合作，為電機驅動(dòng)IC開(kāi)發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動(dòng)IC的Click boards?開(kāi)發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開(kāi)發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻?hù)現在可通過(guò)由Mikroe制造和銷(xiāo)售的評估板Click boards?對東芝電機驅動(dòng)IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機驅動(dòng)IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無(wú)刷電機和步進(jìn)電機，東芝提供豐富的電機驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET
英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車(chē)創(chuàng )造新里程碑
- 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進(jìn)實(shí)驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車(chē)送上了太空，展開(kāi)火星探測之旅。這輛探測車(chē)預計將于 2021 年 2 月在火星著(zhù)陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車(chē)提供了數千個(gè)經(jīng)過(guò)抗輻射強化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車(chē)。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
- 關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR
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