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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個(gè)參數是低失真音頻信號開(kāi)關(guān)的理想參數。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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凌力爾特推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080
- 凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080，該器件可以輕松并聯(lián)以散布熱量，并可用單個(gè)電阻器調節。這種新型架構穩壓器采用電流基準，允許以一小段印刷電路板布線(xiàn)作為鎮流器和共用多個(gè)穩壓器的電流，從而在所有沒(méi)有散熱器的表面貼裝系統中實(shí)現多重放大線(xiàn)性調節。 LT3080 沒(méi)有任何折衷地實(shí)現了高性能。該器件具有 1.2V 至 40V 的寬輸入電壓能力，滿(mǎn)負載時(shí)低壓差電壓僅為 300mV。輸出電壓是可調的，具有 0V 至 40V 的
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 LDO LT3080 計量標準儀器 傳感器
Sipex發(fā)布創(chuàng )新的無(wú)旁路電容低噪LDO-SP6260
- 日前，Sipex公司發(fā)布SP6260，一個(gè)用來(lái)為射頻系統供電的低噪LDO，該裝置用一個(gè)簡(jiǎn)單的創(chuàng )新電路而不必使用旁路電容，適用于低輸出噪聲要求的應用，如手機和便攜式設備。 SP6260在沒(méi)有必要的旁路電容時(shí)產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz)，使其成為對電路板空間的要求最小的LDO穩壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA，而靜態(tài)電流僅為25uA，從而最大化電池壽命。 此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比，進(jìn)而隔絕與其它應用電路間的噪聲
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Sipex LDO SP6260 電容器
Sipex發(fā)布新型無(wú)旁路電容低噪LDO
- Sipex公司公布SP6260，一個(gè)用來(lái)為射頻系統供電的低噪LDO，該裝置用一個(gè)簡(jiǎn)單的創(chuàng )新電路而不必使用旁路電容，適用于低輸出噪聲要求的應用，如手機和便攜式設備。 SP6260在沒(méi)有必要的旁路電容時(shí)產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz)，使其成為對電路板空間的要求最小的LDO穩壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA，而靜態(tài)電流僅為25uA，從而最大化電池壽命。 此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比，進(jìn)而隔絕與其它應用電路間的噪聲干擾
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶(hù)提供全套解決方案
- 富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會(huì )社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設備的片上系統（SoC）產(chǎn)品。根據各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專(zhuān)業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結合，使兩家公司能夠為SoC客戶(hù)提供高性能的客戶(hù)自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究
- 近年來(lái)，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長(cháng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數字電路和模擬電路的整個(gè)系統同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數字集成電路工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，通過(guò)合理減小電路尺寸，不難滿(mǎn)足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場(chǎng)效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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高效電荷泵，將5V電壓轉換為3.3V
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts LDO
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。 基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電
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CMOS在大范圍醫療及其他新型圖形傳感器應用中贏(yíng)得市場(chǎng)
- 目前，傳統的電荷耦合設備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿(mǎn)足工業(yè)及專(zhuān)業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應用的需要?；跇藴蔆MOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統環(huán)境下表現出的易集成性在醫用電子產(chǎn)品行業(yè)中開(kāi)創(chuàng )出了一個(gè)全新領(lǐng)域，為用戶(hù)提供了更多選擇。 從CCD到CMOS：大勢所趨 在過(guò)去三十年左右的時(shí)間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數據的串行傳輸。為
- 關(guān)鍵字： CMOS 單片機 嵌入式系統 圖形傳感器 醫療 醫療電子
嵌入式CMOS成像器速度全息數據檢索
- 過(guò)去，由于缺乏低成本系統部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)受到限制?，F在，已經(jīng)進(jìn)入消費類(lèi)屏幕市場(chǎng)的數字微鏡設備以及用于高速機器視覺(jué)應用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀(guān)。舉例來(lái)說(shuō)，由于微鏡設備可被有效地用作空間光調制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來(lái)讀取全息媒體中包含的數字數據。 在傳統光學(xué)存儲設備中，數
- 關(guān)鍵字： CMOS 成像器 單片機 嵌入式系統 數據檢索
用于通用X射線(xiàn)應用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標準CMOS技術(shù)和有源像素架構的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專(zhuān)為X射線(xiàn)成像系統而設計，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標準0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長(cháng)度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
- 關(guān)鍵字： CMOS X射線(xiàn) 電源技術(shù) 晶圓級 模擬技術(shù) 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設備診斷類(lèi)
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos-ldo的理解，并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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