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使用雙 SPST 開(kāi)關(guān)演示信號的無(wú)損切換
- 本文檔介紹了 NXP NX3L2G66 評估板，該評估板演示了信號的無(wú)損切換。該評估板用于評估 NX3L2G66，一款低歐姆雙路單刀單擲 (SPST) 模擬開(kāi)關(guān)。它可在 1.4V 至 4.3V 的寬電源電壓范圍內工作，具有通常為 0.5Ω 的低導通電阻，以實(shí)現設計靈活性。它具有高電流處理能力、耐過(guò)壓控制輸入、高關(guān)斷隔離和出色的 ESD 性能。本文檔介紹了 NXP NX3L2G66 評估板，該評估板演示了信號的無(wú)損切換。該評估板用于評估 NX3L2G66，一款低歐姆雙路單刀單擲 (SPST) 模擬開(kāi)關(guān)。它可
- 關(guān)鍵字： SPST
飛兆半導體推出首款用于便攜設備的相機隔離開(kāi)關(guān)
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為3G智能手機、上網(wǎng)本、機頂盒和筆記本電腦的設計人員提供業(yè)界首款圖像模塊開(kāi)關(guān) FSA1211，能夠有效隔離寄生分量以保持信號的完整性。FSA1211 是一款12端口、單刀單擲 (SPST) 模擬開(kāi)關(guān)，在雙相機應用中可將高速總線(xiàn)與寄生分量進(jìn)行隔離。智能手機通常都配置雙相機，隨著(zhù)這些相機轉向越來(lái)越高的分辨率，寄生分量已經(jīng)成為信號質(zhì)量惡化和有害EMI生成的罪魁元兇。 FSA1211具有超過(guò)720MHz的帶寬和高ESD (5.5 k
- 關(guān)鍵字： Fairchild 開(kāi)關(guān) FSA1211 SPST
DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開(kāi)關(guān)
- 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開(kāi)關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開(kāi)展了寬帶SPST開(kāi)關(guān)設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時(shí)，對電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對電路設計流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開(kāi)關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開(kāi)關(guān)電路成功開(kāi)發(fā)。
- 關(guān)鍵字： GaAs MMIC SPST GHz
能夠產(chǎn)生200A、75V瞬變的SPST雙極性電源開(kāi)關(guān)(07-100)
- 通用電源或電源IC的測量存在一個(gè)普遍問(wèn)題，即對開(kāi)關(guān)能力的要求，要求開(kāi)關(guān)能夠產(chǎn)生瞬變，處理必要的大電流和脈沖電壓。這樣的開(kāi)關(guān)必需能夠連接各種拓撲結構的電路，具體取決于被測電源的類(lèi)型及其應用。
- 關(guān)鍵字： Maxim SPST 雙極性電源開(kāi)關(guān)
Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個(gè)參數是低失真音頻信號開(kāi)關(guān)的理想參數。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
- 關(guān)鍵字： Vishay SPST CMOS 開(kāi)關(guān)
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