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cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區
低功耗、高線(xiàn)性CMOS可編程放大器
- 摘? 要：針對接收機前端中可變增益放大器需要高線(xiàn)性處理大信號的問(wèn)題。分析了使用源極退化電阻以及跨導增強電路的放大器線(xiàn)性度；設計了使用改進(jìn)型跨導增強電路的放大器。它具有更強的跨導增強能力，同時(shí)減小了輸入MOS管跨導由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線(xiàn)性失真。提出了一種對稱(chēng)的可變電阻結構，它降低了MOS管開(kāi)關(guān)帶來(lái)的非線(xiàn)性。仿真結果表明，放大器在3．3V電源電壓下直流功耗為1．5mW。在1～lOMHz帶寬、3～24dB增益范圍內，差分輸出信號峰峰值為3．3V時(shí)，總諧波失真低于-60dB。 關(guān)鍵詞：可變增益放大
- 關(guān)鍵字： CMOS 可編程放大器
CMOS兩級運算放大器調零電路性能分析
- 引言 運算放大器的高速性能主要靠?jì)蓚€(gè)重要的參數來(lái)衡量，即大信號響應時(shí)間和小信號響應時(shí)間。大信號響應時(shí)間由擺率決定，小信號響應則由建立時(shí)間或單位增益帶寬來(lái)決定。提高運放速度的方法有多種多樣[1][2][3]，折疊式運算放大器有功耗較大，折疊點(diǎn)處寄生電容高等缺點(diǎn)[1]；采用套筒式運放結構，如果采用二階結構，則會(huì )造成較大的功耗，采用一階結構則會(huì )限制差分輸出擺幅[2]；反饋結構放大器也存在問(wèn)題，一是匹配問(wèn)題不易實(shí)現，二是電路的輸出跨導受輸出信號的影響較大[3]。 本文介紹的典型基本二級運算放大器具
- 關(guān)鍵字： CMOS 運算放大器
淺談低壓差線(xiàn)性穩壓器（LDO）的PSRR和在USB電路中的應用
- 引言 便攜產(chǎn)品電源設計需要系統級思維，在開(kāi)發(fā)由電池供電的設備時(shí)，諸如手機、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品，如果電源系統設計不合理，則會(huì )影響到整個(gè)系統的架構、產(chǎn)品的特性組合、元件的選擇、軟件的設計和功率分配架構等。同樣，在系統設計中，也要從節省電池能量的角度出發(fā)多加考慮。例如現在便攜產(chǎn)品的處理器，一般都設有幾個(gè)不同的工作狀態(tài)，通過(guò)一系列不同的節能模式（空閑、睡眠、深度睡眠等）可減少對電池容量的消耗。即當用戶(hù)的系統不需要最大處理能力時(shí)，處理器就會(huì )進(jìn)入電源消耗較少的低功耗模式。帶有使能控制
- 關(guān)鍵字： LDO PSRR USB電路
基于LVDS的SerDes芯片簡(jiǎn)化汽車(chē)應用中的視頻互聯(lián)
- 近年來(lái)，隨著(zhù)CMOS成像傳感器和Flash存儲器等產(chǎn)品價(jià)格的日益下降，對于成像和視頻技術(shù)感興趣的消費者數量在不斷增加。在不久的將來(lái)，視頻將在汽車(chē)環(huán)境中的安全性應用方面創(chuàng )造價(jià)值，目的在于使我們行駛的路面和駕駛的汽車(chē)都更加安全。 豪華汽車(chē)中已經(jīng)出現防撞系統，可以借助環(huán)繞在汽車(chē)周?chē)亩嘟菙z像機，監視預定范圍內各種物體對車(chē)體的靠近情況。在惡劣的環(huán)境中，將這些遠程攝像機與用于實(shí)時(shí)分析每個(gè)圖片的集中視頻處理器相連接，會(huì )產(chǎn)生非常實(shí)際的問(wèn)題，尤其是在各個(gè)攝像機可能生成16位或更高的視頻信息以及多個(gè)控制信號的情況
- 關(guān)鍵字： CMOS
SRC基于CMOS工藝的汽車(chē)雷達硅芯片取得新進(jìn)展
- ????? 據報道，佛羅里達州大學(xué)以及半導體研究公司(SRC)在開(kāi)發(fā)基于CMOS工藝技術(shù)的汽車(chē)雷達集成電路上以及取得進(jìn)展。 ????? 現有的雷達芯片由昂貴的材料制成，如砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)。據研究人員透露，用于制造汽車(chē)雷達的電子電路價(jià)值幾百美元。 ????? 新型的基于硅片的雷達芯片可能只要10美元就能制造出來(lái)，據佛羅里達大學(xué)以及SR
- 關(guān)鍵字： CMOS 汽車(chē)雷達 芯片
意法半導體通過(guò)CMP為科研機構和設計公司提供45納米互補金屬氧化物半導體制造工藝
- 意法半導體和CMP (Circuits Multi Projects ?) 宣布，通過(guò)CMP提供的硅中介服務(wù)，大學(xué)、科研院所和公司可以使用意法半導體的45納米互補金屬氧化物半導體(CMOS)制造工藝進(jìn)行原型設計。這項消息在巴黎舉行的CMP用戶(hù)年會(huì )上發(fā)布，會(huì )中集結了采用CMP多項目晶片服務(wù)的大學(xué)院校、科研機構或私營(yíng)企業(yè)的代表。通過(guò)CMP的服務(wù)，他們可以委托芯片廠(chǎng)商小批量制造幾十個(gè)到幾千個(gè)的先進(jìn)集成電路。 45納米CMOS工藝的推出，是延續ST與CMP授權大學(xué)使用上一代65納米和90納米CM
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 CMP CMOS 200802
3G大門(mén)開(kāi)啟 IC廠(chǎng)商研發(fā)提速
- 編者按：2008年3G的覆蓋和推廣將上一層樓。在中國市場(chǎng)，中國移動(dòng)采購了首批3G終端，這預示著(zhù)中國將開(kāi)啟3G的大門(mén)。產(chǎn)業(yè)鏈上游相關(guān)IC公司也開(kāi)始加緊布局，在3G手機基帶、射頻和電源管理領(lǐng)域不斷推陳出新，來(lái)適合中國的市場(chǎng)應用。 鼎芯通訊(上海)有限公司總裁兼CEO陳凱 增強CMOS和SoC技術(shù)競爭力 在3G研發(fā)方面，鼎芯去年的主要工作集中在兩個(gè)方面：一個(gè)是全面推動(dòng)原有射頻-模擬基帶芯片組CL4020/CL4520的產(chǎn)業(yè)化，包括嚴格的工業(yè)指標和客戶(hù)驗證;另外一個(gè)是進(jìn)一步的演進(jìn)，后續的產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 3G IC CMOS
光電器件、傳感器迎來(lái)快速增長(cháng)期
- 光電器件、傳感器/激勵器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場(chǎng)規模不大，容易受到市場(chǎng)忽視。但2006-2011期間，預計其年平均增長(cháng)率約10%，高于整體芯片市場(chǎng)9%的年均增售增長(cháng)預測。 本世紀初期，手機和其它便攜式產(chǎn)品中顯示屏增長(cháng)驅動(dòng)，包括攝像頭手機和數碼相機的CMOS圖像傳感器、用于鍵盤(pán)背光系統的高亮度白光LED、手機和其它便攜產(chǎn)品的彩色顯示屏等。多年來(lái)，光電器件和分立器件的市場(chǎng)規模幾乎相等。但是預計到這十年末，光電半導體銷(xiāo)售收入將拉開(kāi)與分立器件的距離。 在目前半導體業(yè)務(wù)中
- 關(guān)鍵字： 光電器件 傳感器 CMOS 傳感器
便攜式設備能耗挑戰越演愈烈 電源廠(chǎng)商各抒應對之道
- 手機、多媒體播放器(PMP)、MP3播放器、數字相機、便攜式視頻游戲機、個(gè)人導航系統(PNA)等等，這些深受消費者喜愛(ài)的便攜式消費電子產(chǎn)品的一個(gè)基本問(wèn)題是：它們的功能越來(lái)越豐富，外形尺寸也日益精巧，但電池能量密度的提高速度遠遠跟不上復雜度不斷提高的便攜式設備的功耗要求，而人們卻希望能在充電時(shí)間間隔較長(cháng)的情況下，利用這些輕薄短小的便攜式消費電子享受移動(dòng)娛樂(lè )和移動(dòng)通訊。特別是這些產(chǎn)品功能的融合趨勢，例如將帶拍照和攝像功能的手機、個(gè)人數字助理(PDA)、全球定位系統(GPS)、MP3以及視頻功能集成到一個(gè)智
- 關(guān)鍵字： LDO LED PMU 電源
45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場(chǎng)
- 中國芯片制造商中芯國際(SMIC)宣布，周四公司已經(jīng)對IBM的45納米集成電路制成技術(shù)加以認證。 SMIC說(shuō)，公司將會(huì )采用IBM的CMOS技術(shù)制造300毫米晶圓片，這些晶圓片用于SMIC的制造工廠(chǎng)。CMOS，或者說(shuō)金屬氧化物半導體元件，是微處理器所采用的一種主要的集成電路。 公司在一次聯(lián)合聲明中表示，IBM技術(shù)將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動(dòng)電話(huà)的元件，以及其他消費設備。該認證技術(shù)預期將對SMIC的65納米低端技術(shù)加以補充。 SMIC的總部設在上海，是中國最大的晶圓制造
- 關(guān)鍵字： 芯片 45納米 CMOS IC 制造制程
數字電源――一個(gè)模擬公司的觀(guān)點(diǎn)
- 現在到處都在談?wù)摂底蛛娫?。新成立的公司和已?jīng)取得牢固地位的半導體廠(chǎng)商都聲稱(chēng)數字電源(或者更準確地說(shuō)，是數字控制開(kāi)關(guān)電源管理集成電路)比模擬為主的產(chǎn)品更勝一籌。他們說(shuō)，新的數字電源具有更高的性能和更低的成本，將取代老式的、早已過(guò)時(shí)的模擬開(kāi)關(guān)穩壓器。人們將采用通用的數字CMOS工藝技術(shù)，而不再需要專(zhuān)有的模擬工藝技術(shù)，同時(shí)還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化：要么數字化;要么請走開(kāi)，別再擋路。 我們先花點(diǎn)時(shí)間來(lái)琢磨一下這個(gè)詞?！皵底蛛娫础被颉皵底挚刂齐娫础庇袔追N不同的含意。最簡(jiǎn)單的定義是通過(guò)數
- 關(guān)鍵字： 數字電源 模擬 CMOS 嵌入式
產(chǎn)生低失真正弦波的CMOS六角反相器
- 本設計實(shí)例提供了一種可作為微控制器替代品的簡(jiǎn)單、廉價(jià)及便攜式設備電路，來(lái)為音頻電路設計與調試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數字合成器 (dds) 產(chǎn)生的正弦波具有更高的穩定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個(gè)頻率測定網(wǎng)絡(luò )以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產(chǎn)生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經(jīng)典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
- 關(guān)鍵字： 正弦波 CMOS 數字合成器 放大器
CMOS邏輯門(mén)電路
- CMOS問(wèn)世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來(lái)者居上、趕超并取代之勢。 1.組成結構 CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫(xiě)。它由絕緣場(chǎng)效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結構是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個(gè)漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態(tài)。 圖1 CMOS電路基本結構示意圖
- 關(guān)鍵字： CMOS 邏輯門(mén)電路 邏輯電路
cmos-ldo介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos-ldo的理解，并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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