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超高速0.18μm CMOS復接器集成電路設計

作者: 時(shí)間:2007-07-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
0 引 言

光纖通信具有高速、大容量、長(cháng)距離、低損耗、強抗干擾能力等特點(diǎn),適合多種綜合數據業(yè)務(wù),是未來(lái)寬帶網(wǎng)絡(luò )的發(fā)展方向。我國的信息化建設正處于大發(fā)展時(shí)期,對光纖、光纜、高速光電器件及光傳輸設備的需求量很大,市場(chǎng)前景廣闊,國內已建的2.5 Gbit/s(STM-16)SDH骨干網(wǎng)已經(jīng)不能滿(mǎn)足爆炸增長(cháng)的信息需求,10 Gbit/s(STM-64)光傳輸系統成為我國近期產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)。為了提高信道利用率,使多個(gè)信號沿同一信道傳輸而互相不干擾,高速的設計對于高速光纖傳輸系統的實(shí)現至關(guān)重要。的速度是影響整個(gè)光纖傳輸系統速度的一個(gè)關(guān)鍵因素。在10Gbit/s速率以上,復接電路涉及到一系列高速電路,在電路設計、測試、封裝等方面都有很大的挑戰性。

工藝具有價(jià)格便宜、集成度高、功耗低的特點(diǎn)。隨著(zhù)工藝的發(fā)展,器件特征頻率大幅提高,采用工藝實(shí)現集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成4:1。

1 系統結構

復接器有串行、并行、和樹(shù)形3種基本結構。N:1串行結構復接器結構簡(jiǎn)單,容易實(shí)現,但是工作在高速狀態(tài)的器件多,它的速度受到了限制。由于需要大電流來(lái)支持高速度,所以串行結構的電路功耗較大。N:1并行結構復接器需要N個(gè)不同相位的時(shí)鐘,N個(gè)相位準確的時(shí)鐘的產(chǎn)生難度高,對于N≥4的高階復接器,因為或門(mén)的扇入系數大,導致或門(mén)速度降低,所以工作速率的大幅度提高比較困難。樹(shù)形結構復接器中工作在最高速率的電路只有最后一級2:1復接器和第1級分頻器,其他電路均工作在較低速狀態(tài),所以功耗比較小。但電路規模在3種結構的電路中最大。樹(shù)形結構復接器的速度取決于最后一級2:1復接器的速度,所以通過(guò)優(yōu)化最后一級2:1復接器的電路參數可以獲得很高的比特率。本次設計選用樹(shù)形結構,系統結構圖如圖1所示。

圖1中樹(shù)形結構的4:1復接器是由3個(gè)2:1高速復接器級聯(lián)而成,結構如圖2所示。

主要模塊包括MS-FF(主-從D觸發(fā)器)、MSM-FF(主-從-主D觸發(fā)器)、2:1選擇器、時(shí)鐘和數據的輸入緩沖電路。為了獲得足夠大的相位裕度,最理想的狀態(tài)是使數據選擇器在時(shí)鐘的正半周期時(shí)在D1(或D2)的中心采樣,而在時(shí)鐘的負半周期時(shí)在D2(或D1)的中心采樣,這樣就可以避免由于時(shí)鐘的細小誤差而產(chǎn)生毛刺或邏輯錯誤,也給分頻器的設計創(chuàng )造了有利條件。為了達到這種理想狀態(tài),兩個(gè)并行通道的輸人數據(D1和D2)速率相同,D1經(jīng)過(guò)MS-FF到達選擇器,而D2經(jīng)過(guò)MSM-FF到達選擇器,其中MSM-FF和MS-FF均工作在時(shí)鐘的上升沿。這樣在選擇器的輸入端的兩路數據之間將產(chǎn)生半個(gè)時(shí)鐘周期的延時(shí)差。

本設計復接器速度達到了10 Gbit/s,系統中最低時(shí)鐘頻率都達到2.5 GHz,因此有必要討論系統時(shí)鐘分配的問(wèn)題。時(shí)鐘布線(xiàn)采用驅動(dòng)器樹(shù),在分配路徑中放置驅動(dòng)器來(lái)控制時(shí)鐘偏差。為了滿(mǎn)足樹(shù)的對稱(chēng)性,在分配樹(shù)有最高優(yōu)先權的地方通常有必要提供一層互連金屬層。如果做不到這一點(diǎn),可以用不同的互連層來(lái)設計樹(shù),但布線(xiàn)路徑應當相同。樹(shù)的每個(gè)端點(diǎn)處盡可能采用電氣上相同的接收或驅動(dòng)電路。

2 主要單元電路結構

基本的單元電路如鎖存器、選擇器、時(shí)鐘的輸入緩沖器等都使用了源極耦合場(chǎng)效應管邏輯(SCFL)電路。SCFL電路的傳輸延時(shí)受晶體管特性(如閾值電壓等)的影響較小,這有利于減小由晶體管的非線(xiàn)性導致的時(shí)鐘信號的畸變。同時(shí),SCFL邏輯電路輸出信號擺幅大,輸入的負載電容小,所以容易提高工作速度,與CMOS邏輯相比,在高速的條件下也有低功耗的優(yōu)勢。

2.1 鎖存器和D觸發(fā)器

輸入級的差分對起著(zhù)采樣的作用,反饋級的差分對則起著(zhù)鎖存的作用,兩者分別在時(shí)鐘的上升沿和下降沿工作。減小鎖存器輸出端的負載電容可以有效地提高鎖存器的工作速度。因此,通過(guò)調節輸入級差分對管和反饋級差分對管的柵寬的比值,可以調節鎖存器工作的最佳頻率范圍。將兩個(gè)鎖存器級聯(lián)即成D觸發(fā)器,如圖3所示。

2.2 選擇器
復接單元的選擇器是整個(gè)設計速度提高的一個(gè)難點(diǎn)。圖4和圖5分別是速度為5 Gbit/s和10 Gbit/s的兩個(gè)選擇器。

在電路中采用了有源電感對電路頻率進(jìn)行補償,以提高選擇器的工作速度和驅動(dòng)能力??紤]到電源電壓比較低,選擇器電路中沒(méi)有使用電流源。通常在設計中會(huì )在數據選擇器后加一級源極跟隨器,以減小輸出管的負載電容,調整直流電平并為后級電路提供驅動(dòng)。但由于μm CMOS工藝的供電電壓只有1.8 V,如果使用源極跟隨器,會(huì )使得信號電平下降過(guò)多而無(wú)法與后級電路電平匹配,因此設計中省略了源極跟隨器。確定PMOS管和NMOS管恰當的尺寸關(guān)系,保證選擇器正常工作。柵極直接與時(shí)鐘信號相連的兩個(gè)PMOS管和兩個(gè)NMOS管組成了時(shí)鐘控制開(kāi)關(guān)。選擇合適的工作點(diǎn)使得在時(shí)鐘信號周期的正、負半周,時(shí)鐘控制開(kāi)關(guān)正常切換兩組數據信號(d1和d2)。這樣經(jīng)過(guò)緩沖到達的時(shí)鐘信號就能準確控制時(shí)鐘開(kāi)關(guān),在一個(gè)周期的正、負半周分別選出經(jīng)過(guò)MS-FF到達的信號d1和經(jīng)過(guò)MSM-FF到達的信號d2。

在整個(gè)復接系統中,最后一級復接單元的速度起決定性作用,所以在圖6的選擇器中采用了負反饋擴展了系統的帶寬。

2.3 數據輸出緩沖器

本設計的輸出級采用了普通差分放大器和容性耦合電路組合而成的寬帶放大電路,如圖6所示。復接器的多級輸出緩沖得到了大的電流驅動(dòng)能力,用來(lái)通過(guò)焊盤(pán)驅動(dòng)片外50 Ω負載。


3 電路仿真和版圖設計

本次設計采用TSMC μm CMOS工藝。電路仿真在A(yíng)gilent公司的ADS上實(shí)現。圖7是4路2.5 Gbit/s的隨機信號復接成一路10 Gbit/s信號的輸出信號眼圖。圖8是4路3.375 Gbit/s的矩形脈沖信號復接成一路13.5 Gbit/s信號的輸出信號眼圖。


因為本次設計采用的是SCFL電路,所以應充分發(fā)揮全差分結構的優(yōu)勢,電路版圖盡量設計得對稱(chēng),以保持電路平衡、抑制共模信號和工藝參數波動(dòng)帶來(lái)的不利影響。在設計中主要考慮高頻線(xiàn)走向、連線(xiàn)長(cháng)度和寬度、版圖對稱(chēng)以及芯片面積的折中。特別在分頻器版圖設計中采樣部分和保持部分尺寸不同,合理布局使版圖對稱(chēng),并且使各部分連接容易,同時(shí)還要使反饋線(xiàn)盡可能短。整個(gè)芯片的版圖如圖9所示。

復接器芯片在TSMC μm CMOS工藝下進(jìn)行后仿真,圖10是復接器輸出數據為10 Gbit/s的后仿真眼圖,可以看出眼圖較為清晰,張開(kāi)度較大。

4 結束語(yǔ)

采用TSMC 0.18μm CMOS工藝設計的樹(shù)形結構SCFL電路的復接器實(shí)現了10 Gbit/s的高速數字復接功能,最高仿真速度達到13.5 Gbit/s。

感謝東南大學(xué)射頻與光電集成電路研究所提供的工藝庫支持。

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