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車(chē)載導航必備！電壓高達36V，精度可達1%的LDO
- 電源部分是電子系統中非常重要的組成部分之一，電子系統要正常工作，首先要保證電源部分正常工作。而電子系統要可靠、穩定的工作，對其電源部分的要求也是非常高的。針對不同的應用，電能的供應有不同的來(lái)源，如交流電網(wǎng)，發(fā)電機，電池供電，或者多種方式組合使用等。汽車(chē)電子系統的供電，是采用發(fā)電機為電池進(jìn)行充電，電池再向汽車(chē)電子系統供電。雖然發(fā)電機沒(méi)有直接為汽車(chē)電子系統供電，但發(fā)電機工作時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)高壓、大電流及強脈沖干擾，仍然會(huì )對汽車(chē)電子系統，尤其是其中的電源供電部分造成嚴重的沖擊。因此，對汽車(chē)電子系統電源部分還要求
- 關(guān)鍵字： LDO 電源
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題： 1、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
一些常用的電平標準
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS電路中ESD保護結構的設計要求
- 簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線(xiàn)，再由電壓線(xiàn)分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。 引言 靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來(lái)越薄，芯片的面
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端的處理方法
- 簡(jiǎn)介：CMOS和TTL集成門(mén)電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個(gè)問(wèn)題的方法，供大家參考。 CMOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門(mén)電路 CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
我的一些數字電子知識總結（3）
- 簡(jiǎn)介：繼續把我在學(xué)習數字電路過(guò)程中的一些“細枝末節”小結一下，和大家共享。 1、在數字電路中，BJT一般工作在截止區或飽和區，放大區的經(jīng)歷只是一個(gè)轉瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(cháng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區或可變電阻區，恒流區的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數字系統內門(mén)電路之間的抗干擾性能會(huì )大打折扣! 2、數字IC內部很多門(mén)電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
- 關(guān)鍵字： CMOS 電路
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導體晶圓接合暨微影技術(shù)設備廠(chǎng)商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著(zhù)劑的晶圓接合系統目前市場(chǎng)需求殷切，在過(guò)去12個(gè)月以來(lái)，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來(lái)自于晶圓代工廠(chǎng)以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(chǎng)(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長(cháng)系受惠于先進(jìn)封裝應用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字： CMOS 3D-IC
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