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索尼在器件部門(mén)新設車(chē)載事業(yè)部
- 索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機構改革方案。在機構改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設了3個(gè)組織?！ ⌒略O的三個(gè)組織分別是車(chē)載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開(kāi)發(fā)部。雖然詳情未公布，不過(guò)可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)和員工(參閱本站報道)?！ ≡谥悄苁謾C及數碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車(chē)載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國安森美半導體表示自己份額第一，“索尼并不是第一
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?！ MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來(lái)對脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來(lái)源。這些保護電路一般都通過(guò)在電源軌之間接入鉗位二極管來(lái)實(shí)現。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì )存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當好，僅僅會(huì )存在小于1皮安的殘余誤差電流
- 關(guān)鍵字： CMOS JFET
10位65MSPS模數轉換芯片ADC10065的原理和應用
- ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D轉換器，它的轉換速率可達65MSPS，標稱(chēng)功耗僅為68.4mW，且保證不失碼。文中介紹了該芯片的主要參數、工作原理和引腳功能，給出了ADC10065的簡(jiǎn)單應用電路?！ ?ADC10065的主要特點(diǎn) ADC10065是美國國家半導體公司推出的一款低功耗、單電源供電的CMOS 模數轉換器。該芯片在3V單電源供電時(shí)，能以65MSPS的采樣速率將模擬信號轉為精確的10 位數字信號，而功耗僅為68.4mW，其備
- 關(guān)鍵字： CMOS ADC10065
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS，集成電路
高電源抑制的帶隙基準源設計方案
- 本文通過(guò)結合LDO與Brokaw基準核心，設計出了高PSR的帶隙基準，此帶隙基準輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達到7.5 ppm，適用于電子鎮流器芯片。本設計還優(yōu)化了啟動(dòng)部分，使新的帶隙基準可以在短時(shí)間內順利啟動(dòng)?！ ? 電路結構 1.1 基準核心 目前的基準核心可以有多種實(shí)現方案：混合電阻，Buck voltage transfer cell，但是修調復雜，不宜工業(yè)化。本設計采用Brokaw基準核心，其較易實(shí)現高壓基準輸出，并且其溫漂、P
- 關(guān)鍵字： LDO PSR
25億美元CIS大項目開(kāi)創(chuàng )南京新產(chǎn)業(yè)板塊
- 上周五，德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產(chǎn)業(yè)園”項目正式落戶(hù)南京開(kāi)發(fā)區。該項目總投資約25億美元，建成后將填補中國CIS產(chǎn)業(yè)的空白，主導中國的CIS市場(chǎng)?！ D像傳感器是數字攝像頭的重要組成部分。根據元件不同，可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導體元件)兩大類(lèi)。相機和智能手機的拍照 功能離不開(kāi)圖像傳感器芯片，市場(chǎng)很大。但CIS所屬的集成電路產(chǎn)業(yè)是內地的薄弱產(chǎn)業(yè)，芯片目前已超過(guò)石油，成為我國第一大進(jìn)口商品?！ 爸袊仨殦碛凶约旱腃IS設計、生產(chǎn)和自主品牌?！毕愀鄣驴拼a科技有限
- 關(guān)鍵字： CMOS CCD
“芯”技術(shù)，“芯”夢(mèng)想
- 2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(cháng)三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！ 」緢绦懈笨偛梅逗阆壬蛨绦懈笨偛每孜等徊┦康裙靖邔佑H臨論壇現場(chǎng)，與參會(huì )嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
- 關(guān)鍵字： 華虹 RF-CMOS
我國研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會(huì )
- 長(cháng)久以來(lái)，我國用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開(kāi)的第十七屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì )(高交會(huì ))上，由我國研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國一直以來(lái)都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。 圖像傳感器可以將光信號轉化為電信號，是所有成像設備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數直接決定了成像設備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著(zhù)1.5億像素的超高分辨率，成像速
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
東芝正式宣布半導體業(yè)務(wù)結構改革計劃
- 東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導體業(yè)務(wù)結構改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。 第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠(chǎng)的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)資產(chǎn)轉讓給索尼。完成轉讓后，該工廠(chǎng)將成為索尼全資子公司——索尼半導體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。 另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著(zhù)300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)轉讓?zhuān)c之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS
最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。 重要信號線(xiàn)的上下拉問(wèn)題 一般說(shuō)來(lái)，不光是重要的信號線(xiàn)，只要信號在一段時(shí)間內可能出于無(wú)驅動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。 比如說(shuō)，一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高，沒(méi)有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會(huì )導致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。 總線(xiàn)上當所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現。因為這時(shí)讀寫(xiě)控制
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
Sony欲強化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購可能
- Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數位相機α7R II后，將續推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬(wàn)提高至4，240萬(wàn)，同時(shí)加強自動(dòng)對焦(AF)與防手震功能。 日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個(gè)相位對焦點(diǎn)、5軸圖像穩定系統與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日圓(約3，800美
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。 基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
- 關(guān)鍵字： DC-DC CMOS
艾邁斯半導體推出可拓展的高壓CMOS晶體管
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺?；谠摳邏褐瞥唐脚_的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。 新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著(zhù)降低了導通電阻，因此可節省器件空間。在電源管理應用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
- 關(guān)鍵字： 艾邁斯 CMOS
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