CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設備需求增

　　微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導體晶圓接合暨微影技術(shù)設備廠(chǎng)商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著(zhù)劑的晶圓接合系統目前市場(chǎng)需求殷切，在過(guò)去12個(gè)月以來(lái)，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來(lái)自于晶圓代工廠(chǎng)以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(chǎng)(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長(cháng)系受惠于先進(jìn)封裝應用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直堆疊半導體。

　　根據市場(chǎng)研究及策略咨詢(xún)機構YoleDéveloppement研究指出，針對3D-IC及晶圓級封裝(wafer-levelpackaging;WLP)應用的設備市場(chǎng)將有顯著(zhù)成長(cháng)，預期總營(yíng)收將從2014年的9.33億美元成長(cháng)到2019年的26億美元，年復合成長(cháng)率在接下來(lái)的五年將達19%，而使用聚合物黏著(zhù)劑的晶圓接合技術(shù)在支援這些應用中扮演不可或缺的角色。

　　EVG指出，使用聚合物黏著(zhù)劑的晶圓接合是使用中間層(通常是一種聚合物)的技術(shù)來(lái)接合兩塊基板，該制程技術(shù)對于先進(jìn)封裝應用十分重要，采用此方法的主要優(yōu)勢包含低溫制程、表面平坦化以及晶圓圖案結構的高低容差;針對CMOS影像感測器應用，使用聚合物黏著(zhù)劑的接合技術(shù)為影像感測器表面和覆蓋的玻璃晶圓之間提供了一道保護屏障;在3D-ICTSV應用上，此接合技術(shù)在暫接合(temporarybonding)及剝離(debonding)應用上扮演著(zhù)重要的角色，其中產(chǎn)品晶圓能藉由有機黏著(zhù)劑暫時(shí)安置于載具上，以實(shí)現可靠的薄化與后段制程。

　　對于CMOS影像感測器及堆疊記憶體/邏輯應用，完全自動(dòng)化晶圓接合解決方案尤其重要，其能支援制造業(yè)者轉移至更大(12吋)的晶圓基板以降低總生產(chǎn)成本。EVG表示，舉例來(lái)說(shuō)，將總厚度變異最小化是決定最終產(chǎn)品厚度公差的關(guān)鍵，且最終將對實(shí)現更薄的晶圓及元件有所影響，進(jìn)而達到更高的互連密度及更低的TSV整合成本，旗下全自動(dòng)晶圓接合系統透過(guò)重復晶圓到晶圓制程和整合內建的量測裝置，為總厚度變異及其他參數作優(yōu)化控制，故制造業(yè)者也日益轉移至EVG，以支援其全自動(dòng)晶圓接合的需求。

　　EVG銷(xiāo)售暨客戶(hù)支援執行董事HermannWaltl表示，公司已進(jìn)入3D-IC世代，TSV晶圓的需求在多個(gè)領(lǐng)域正在增長(cháng)，包含智慧型手機相機與車(chē)用環(huán)繞影像所需的CMOS影像感測器，到支援網(wǎng)路、電競、資料中心與行動(dòng)運算等高效能、高頻寬應用的3D堆疊記憶體和memory-on-logic;對于CMOS影像感測與半導體元件制造業(yè)者而言，全自動(dòng)化晶圓接合是支援以上應用量產(chǎn)需求的關(guān)鍵制程，將致力于提供先進(jìn)封裝市場(chǎng)具附加價(jià)值的解決方案。