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cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據HPC Wire網(wǎng)站報導，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬(wàn)美元的計劃重點(diǎn)是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
線(xiàn)性電源（LDO）原理性分析總結
- 文章內容為線(xiàn)性電源(LDO)原理性分析總結?！ 【€(xiàn)性電源(LDO) 低壓差線(xiàn)性穩壓器(LDO)的基本電路如下所示，該電路由串聯(lián)調整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成?！ ?nbsp; 對此的理解：穩壓管為運放反向端提供穩定的參考電壓Uref,輸出端通過(guò)R2的分壓提供運放同相端的電壓。當輸出電壓過(guò)高時(shí)，同相端電壓值大于反向端參考，輸出為正值，因此三極管截止，Uout下降。當輸出電壓Uout過(guò)低時(shí)，同相端電壓值小于反向端參考，輸出為負值，因此三極管導通，Uout上
- 關(guān)鍵字： 線(xiàn)性電源 LDO
安森美半導體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過(guò)采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS
摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代
- 在英特爾(Intel)負責晶圓廠(chǎng)業(yè)務(wù)的最高長(cháng)官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長(cháng)的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 “如 果我們能專(zhuān)注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)上對近3,000名與會(huì )者表示：“而超越CMOS，我們將看
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 CMOS
歷時(shí)兩年,清芯華創(chuàng )完成對OmniVision收購
- 美國 CMOS 圖像感測器大廠(chǎng)豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng )為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng )等提出收購邀約到完成并購歷時(shí)長(cháng)達兩年，而在消息公布同時(shí)，豪威也于 28 日暫停在那斯達克證券市場(chǎng)的交易。 豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng )、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價(jià)授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達克證券市場(chǎng)暫停交易。據悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來(lái)自清
- 關(guān)鍵字： OmniVision CMOS
【E課堂】數字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點(diǎn)
- 隨著(zhù)數字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數字電路中的△I噪聲正逐步成為數字系統的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過(guò)程與基本特點(diǎn)，對認識△I噪聲特性進(jìn)而抑制△I噪聲具有實(shí)際意義?！ 》聪嗥魇菙底衷O計的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過(guò)程與基本特點(diǎn)?！ ? △I噪聲的產(chǎn)生 1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生 TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時(shí)，電源提供的電流IH和I
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
高電源抑制的帶隙基準源設計方案
- 本文通過(guò)結合LDO與Brokaw基準核心，設計出了高PSR的帶隙基準，此帶隙基準輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達到7.5 ppm，適用于電子鎮流器芯片。本設計還優(yōu)化了啟動(dòng)部分，使新的帶隙基準可以在短時(shí)間內順利啟動(dòng)。 1 電路結構 1.1 基準核心 目前的基準核心可以有多種實(shí)現方案：混合電阻，Buck voltage transfer cell，但是修調復雜，不宜工業(yè)化。本設計采用Brokaw基準核心，其較易實(shí)現高壓基準輸出，并
- 關(guān)鍵字： 帶隙基準源 LDO
高效率電源管理芯片
- 摘要：DC-DC控制IC在各電子產(chǎn)品中應用廣泛，為了統一物料，工程師往往會(huì )用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片，不管負載大小均用一個(gè)型號一統江湖。由此可能在小負載電流時(shí)，效率不盡如人意，該怎么解決? 1、從效率方面考慮LDO和DC-DC轉換器的選擇 LDO：輸入電壓和輸出電壓差別不大，而且電流較小時(shí)，可以選擇LDO芯片; 由LDO的功率損耗由公式可以看出，當輸入輸出的壓差較大，或者輸出電流較大時(shí)，那么損失的功耗就很高，發(fā)熱比較嚴重，在很多設計上不能使用，但是如果是低壓差，小電流
- 關(guān)鍵字： LDO DC-DC
高速ADC 的電源設計
- 系統設計人員正面臨越來(lái)越多的挑戰，他們需要在不降低系統組件(例如：高速 數據轉換器)性能的情況下讓其設計最大程度地節能。設計人員們可能會(huì )轉而采 用許多電池供電的應用(例如：某種手持終端、軟件無(wú)線(xiàn)設備或便攜式超聲波掃 描儀)，也可能會(huì )縮小產(chǎn)品的外形尺寸，從而需要尋求減少發(fā)熱的諸多方法?！ O大降低系統功耗的一種方法是對高速數據轉換器的電源進(jìn)行優(yōu)化。數據轉換器設計和工藝技術(shù)的一些最新進(jìn)展，讓許多新型ADC可以直接由開(kāi)關(guān)電源來(lái)驅 動(dòng)，從而達到最大化功效的目的?！ ∠到y
- 關(guān)鍵字： ADC LDO
索尼正式加入汽車(chē)熱潮：設立車(chē)用CMOS芯片部門(mén)
- 汽車(chē)行業(yè)(汽車(chē)電子、車(chē)聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個(gè)熱門(mén)領(lǐng)域，其中蘋(píng)果也跟進(jìn)谷歌(微博)，開(kāi)始研發(fā)電動(dòng)車(chē)。而在日前，日本索尼公司也對架構進(jìn)行了重組，設立了獨立的汽車(chē)業(yè)務(wù)部門(mén)，擬開(kāi)發(fā)車(chē)用CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)。 據“今日日本”網(wǎng)站12月28日報道，索尼日前對外公布了公司架構的重組事宜以及人事變化，架構調整將會(huì )從2016年1月1日生效。 索尼宣布，在“設備解決方案業(yè)務(wù)集團”下，新設立三個(gè)部門(mén)，“汽車(chē)業(yè)務(wù)”
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
索尼新增車(chē)載事業(yè)部，CMOS傳感器做臥底？
- 索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機構改革方案。在機構改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設了3個(gè)組織。 新設的三個(gè)組織分別是車(chē)載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開(kāi)發(fā)部。雖然詳情未公布，不過(guò)可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)和員工。 在智能手機及數碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車(chē)載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國安森美半導體表示自己份額第一，“索尼并不是
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
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