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cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區
有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應用文獻，包括示波器、信號調節器等
- 混合信號，一種說(shuō)法是未來(lái)的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會(huì )增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來(lái)的ASICs會(huì )用到多達一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們，而類(lèi)比和混合信號電路將會(huì )被留在晶片之外。 RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學(xué) 設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因為模擬與數字IC相結合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設計一直被認為是&l
- 關(guān)鍵字： ASICs CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
NRAM已準備好進(jìn)軍市場(chǎng)？
- 美國記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商Nantero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場(chǎng)上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執行長(cháng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字： NRAM，CMOS
CMOS電容式微麥克風(fēng)設計
- 隨著(zhù)智能手機的興起，對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機電麥克風(fēng)采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現模擬或數字微機電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風(fēng)的設計與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
- 關(guān)鍵字： CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
穩壓器工作原理
- 導讀：穩壓器，顧名思義，就是穩定電壓的器件，下面我們就一起學(xué)習一下穩壓器的工作原理吧～～～ 1.穩壓器工作原理--簡(jiǎn)介 穩壓器是使輸出電壓穩定的設備。穩壓器是一種能自動(dòng)調整輸出電壓的供電電路或供電設備，其作用是將波動(dòng)較大和不合用電器設備要求的電源電壓穩定在它的設定值范圍內，使各種電路或電器設備能在額定工作電壓下正常工作。所以使用穩壓器，對用電設備特別是對電壓要求嚴格的高新科技和精密設備來(lái)說(shuō)是必不可少的。 2.穩壓器工作原理--結構 穩壓器主要有調整電路、取樣電路、取樣放大以及基準電
- 關(guān)鍵字： 穩壓器 LDO 穩壓器工作原理
如何挑選一個(gè)高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個(gè)信號處理鏈路的設計影響巨大。系統設計師在考慮ADC對基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對射頻(RF)和數字電路系統的影響。由于A(yíng)DC位于模擬和數字區域之間，評價(jià)和選擇的責任常常落在系統設計師身上，而系統設計師并不都是ADC專(zhuān)家。 還有一些重要因素用戶(hù)在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時(shí)才能知道所有系統級結果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無(wú)線(xiàn)通信系統的重要因素之一就是低輸入信號電平時(shí)的失真度。大多數無(wú)線(xiàn)傳輸到達ADC的信號
- 關(guān)鍵字： ADC CMOS
10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日，在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng )新發(fā)展專(zhuān)項支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。 下一步，該團隊將繼續優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺，并基于該平臺開(kāi)發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領(lǐng)域的應用。
- 關(guān)鍵字： 碳納米管 CMOS
基于A(yíng)T89C51單片機技術(shù)詳解、設計技巧、應用案例大全
- AT89C51是一種帶4K字節FLASH存儲器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱(chēng)單片機。本文為您介紹基于A(yíng)T89C51單片機技術(shù)詳解、設計技巧、應用案例大全，僅供參考。 基于A(yíng)T89C51的操控鍵盤(pán)的設計 本文以PC機通用鍵盤(pán)為例，闡述研制小型一體化專(zhuān)用鍵盤(pán)的方法。 采用小型一體化專(zhuān)用鍵盤(pán)不但可完成按鍵的功能，而且要求根據儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設計，使產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： CMOS 微處理器
LDO是什么
- 導讀：本文主要介紹的是LDO是什么，其實(shí)它就是低壓差線(xiàn)性穩壓器，作用就是穩壓嘍，下面就讓小編為大家具體介紹一下吧。 1.LDO是什么--簡(jiǎn)介 LDO是low dropout regulator的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指低壓差線(xiàn)性穩壓器，是相對于傳統的線(xiàn)性穩壓器來(lái)說(shuō)的。LDO是新一代的集成電路穩壓器，它與三端穩壓器最大的不同點(diǎn)在于，LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統。LDO低壓差線(xiàn)性穩壓器的結構主要包括啟動(dòng)電路、恒流源偏置單元、使能電路、調整元件、基準源、誤差放大器、反饋電阻網(wǎng)絡(luò )和保護電路等。 2.LD
- 關(guān)鍵字： LDO 穩壓器 LDO是什么
高耗電移動(dòng)設備的發(fā)展
- 1 用作前置穩壓器的降壓-升壓轉換器 降壓-升壓轉換器可在提高系統整體效率和延長(cháng)電池續航時(shí)間方面發(fā)揮重要作用。例如，它們在用作PMIC低壓差穩壓器(LDO)的前置穩壓器方面就十分成功。移動(dòng)系統PMIC可使用多達30個(gè)專(zhuān)用于子系統(如藍牙、SD內存和RF收發(fā)器)的LDO，其輸出電壓范圍為1.2V - 3.3V。通常用于這些系統的鋰離子電池可具有從4.35V到低至2.5V(在動(dòng)態(tài)線(xiàn)路和負載瞬變情況下)的電壓范圍，盡管電池電壓大多數時(shí)間維持在3.7V。 問(wèn)題是，大LDO壓差會(huì )造成過(guò)量效率損失，且
- 關(guān)鍵字： 升壓轉換器 PMIC LDO 電池 鋰離子
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