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富士通為28nm SoC器件打造全新設計方法
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，成功開(kāi)發(fā)了專(zhuān)為先進(jìn)的28nmSoC器件量身打造的全新設計方法，不僅能實(shí)現更高的電路密度，同時(shí)也可有效縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。采用全新設計方法能夠將電路的密度提高33%，并可將最終的線(xiàn)路布局時(shí)間縮短至一個(gè)月。這種設計方法將整合至富士通半導體的各種全新定制化SoC設計方案中，協(xié)助客戶(hù)開(kāi)發(fā)RTL-HandoffSoC器件。富士通半導體預計自2014年2月起將開(kāi)始接受采用這種全新設計方法的SoC訂單。 采用28nm等頂尖制程工藝的SoC器件需要有越來(lái)越多的功能與效能，進(jìn)而要在
- 關(guān)鍵字： 富士通 SoC
張江創(chuàng )新學(xué)院采用了Mentor Graphics的Veloce仿真器
- 高級系統驗證解決方案領(lǐng)軍企業(yè)Mentor Graphics公司(Nasdaq:MENT)日前宣布，上海張江創(chuàng )新學(xué)院已采用Veloce? 2仿真系統，用于片上系統(SoC)集成電路設計的功能驗證領(lǐng)域的研發(fā)。
- 關(guān)鍵字： Mentor 張江創(chuàng )新 SoC 仿真器
SoC驗證走出實(shí)驗室良機已到
- SoC驗證超越了常規邏輯仿真，但用于加速SoC驗證的廣泛應用的三種備選方法不但面臨可靠性問(wèn)題，而且難以進(jìn)行權衡。而且，最重要的問(wèn)題還在于硬件加速訪(fǎng)問(wèn)權限、時(shí)機及其穩定性。 當前，通常采用的三種硬件方法分別是FPGA原型驗證、采用驗證IP進(jìn)行的加速仿真以及內電路仿真(ICE)。這些方法雖適用于某些情況，但對于那些面對不斷更新的多處理器、多協(xié)議且偏重于軟件的SoC驗證團隊來(lái)說(shuō)，則存在明顯不足。 FPGA原型驗證適用于那些運行于不再進(jìn)行更新的已有硬件上的軟件，但卻不適用于仍在進(jìn)行大規模升
- 關(guān)鍵字： SoC ICE
藍牙整合無(wú)線(xiàn)充電方案領(lǐng)舞穿戴式產(chǎn)品
- 整合藍牙(Bluetooth)與無(wú)線(xiàn)充電的系統單晶片(SoC)，將在穿戴式市場(chǎng)嶄露頭角。穿戴式電子產(chǎn)品所配備的電池容量通常較小，因此半導體廠(chǎng)商除致力降低元件功耗外，亦推出整合無(wú)線(xiàn)充電功能的藍牙Smart單晶片方案，讓穿戴式裝置可隨時(shí)補充電力，包括博通(Broadcom)、Nordic等晶片商皆已發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。 博通(Broadcom)嵌入式無(wú)線(xiàn)網(wǎng)路連結裝置資深總監BrianBedrosian表示，除了無(wú)線(xiàn)區域網(wǎng)路(Wi-Fi)技術(shù)外，導入藍牙Smart技術(shù)的產(chǎn)品數量也正以驚人的速度成長(cháng)，并迅
- 關(guān)鍵字： SoC Bluetooth
SoC系統開(kāi)發(fā)：FinFET在系統級意味著(zhù)什么
- 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20nm節點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來(lái)。但是對于要使用這些SoC的系統開(kāi)發(fā)人員而言，其未來(lái)會(huì )怎樣呢? 回答這一問(wèn)題最好的方法應該是說(shuō)清楚FinFET對于模擬和數字電路設計人員以及SoC設計人員究竟意味著(zhù)什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統級意味著(zhù)什么。
- 關(guān)鍵字： SoC FinFET
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