EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic
sic 文章 進(jìn)入sic 技術(shù)社區
業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對稱(chēng)系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場(chǎng)上首款非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制解決方案，專(zhuān)為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過(guò)壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快、效率更高，因此越來(lái)越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來(lái)越大。SMFA非對稱(chēng)系列提供了一種創(chuàng )新的單元件解決方案，在簡(jiǎn)化設計的同時(shí)顯著(zhù)提高了電路的可靠性。SMFA非對稱(chēng)系列是市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET柵極保護 非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管 Littelfuse
進(jìn)擊的中國碳化硅
- 中國碳化硅廠(chǎng)商把價(jià)格打下來(lái)了。
- 關(guān)鍵字： SiC
全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠(chǎng)布局。
- 關(guān)鍵字： SiC
利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機設計要點(diǎn)
- 壓縮機是汽車(chē)空調的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現車(chē)內外的冷熱交換。傳統燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)。而新能源汽車(chē)脫離了發(fā)動(dòng)機，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅動(dòng)無(wú)刷直流電機，從而帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)，實(shí)現空調的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件，除了可以提高車(chē)廂內的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動(dòng)系統的溫度控制發(fā)揮著(zhù)重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機需
- 關(guān)鍵字： 壓縮機 汽車(chē)空調 SiC
意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅逆變器量身定制
- 意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導體還針對電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng )新成果，履行創(chuàng )新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續在器
- 關(guān)鍵字： STPOWER SiC MOSFET
東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線(xiàn)增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實(shí)現高效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線(xiàn)中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC 肖特基勢壘二極管 工業(yè)電源
第4講：SiC的物理特性
- 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場(chǎng)強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強度，可實(shí)現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
第5講：SiC的晶體缺陷
- SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構成和生長(cháng)機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì )影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯的密度約為103～10?長(cháng)達個(gè)/cm2。至今，與Si相
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設計
- 我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說(shuō)明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字： 車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器 NVHL060N090SC1 SiC
羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì )成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì )上，賽事組委會(huì )發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開(kāi)賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內容。武漢市體育局黨組成員、副局長(cháng)洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長(cháng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì )；武漢市社會(huì )體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長(cháng)繆璐進(jìn)行江夏區文旅推介，向社會(huì )各界發(fā)出“跟著(zhù)賽事游江夏”的邀
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 極氪
新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀(guān)環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計劃時(shí)間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠(chǎng)區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
- 關(guān)鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會(huì )展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
第三代半導體，距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線(xiàn)
- 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“悉智科技”）宣布，其首批車(chē)規級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線(xiàn)投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線(xiàn)的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開(kāi)發(fā)上，悉智科技取得了顯著(zhù)進(jìn)展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶(hù)的量產(chǎn)訂單，并會(huì )在今年四季度實(shí)現大規模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營(yíng)以來(lái)，始終專(zhuān)注于車(chē)規級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動(dòng)汽車(chē)、光儲新能源等客戶(hù)提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
- 關(guān)鍵字： 悉智科技 DCM封裝 8并 SiC
電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會(huì )發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應用，工程師面臨著(zhù)更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續可靠地運
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車(chē) 光伏逆變器 SiC
sic 介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [ 查看詳細 ]
sic 電路
sic 相關(guān)帖子
sic 資料下載
sic 專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473