應用材料公司推出全新Ioniq? PVD系統助力解決二維微縮下布線(xiàn)電阻難題

應用材料公司宣布推出一種全新系統，可改進(jìn)晶體管布線(xiàn)沉積工藝，從而大幅降低電阻，突破了芯片在性能提升和功率降低兩方面所面臨的重大瓶頸。

芯片制造商正在利用光刻領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)將芯片制程縮小至3納米及以下節點(diǎn)。但隨著(zhù)互連線(xiàn)變細，電阻呈現指數級上升，這不僅降低了芯片性能，還增大了功耗。如果該問(wèn)題無(wú)法得到解決，更為先進(jìn)的晶體管帶來(lái)的益處將被指數級上升的布線(xiàn)電阻完全抵消。

芯片布線(xiàn)一般指沉積金屬在介電材料上被刻蝕出的溝槽和通孔內的過(guò)程。在傳統工藝中，布線(xiàn)沉積使用的金屬疊層通常由以下幾部分構成：阻擋層用于防止金屬與介電材料擴散；襯墊層用于提升粘附力；種子層用于促進(jìn)金屬填充；以及導電金屬，例如鎢或鈷用于晶體管觸點(diǎn)，銅用于互連線(xiàn)。因為阻擋層和襯墊層很難微縮，所以當溝槽和通孔尺寸減小時(shí)，可用于導電材料的空間比例隨之降低——互連線(xiàn)越小，電阻越高。

Endura^? Ioniq? PVD系統是應用材料公司在解決二維微縮布線(xiàn)電阻難題方面所取得的最新突破。Ioniq系統是一種集成材料解決方案?（IMS?），可將表面制備、PVD和CVD工藝同時(shí)集中到同一個(gè)高真空系統中

應用材料公司Endura^? Ioniq? PVD系統

Ioniq PVD system是一種集成材料解決方案?（IMS?），可將表面制備、PVD和CVD工藝同時(shí)集中到同一個(gè)高真空系統中。Ioniq PVD給芯片制造商提供了用低阻值的純鎢PVD膜取代高阻值的氮化鈦襯墊層和阻擋層的方案，配合后續的純鎢CVD膜制成純鎢的金屬觸點(diǎn)。該方案解決了電阻難題，讓二維微縮得以繼續作用于3納米及以下節點(diǎn)。

應用材料公司半導體產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理珀拉布?拉賈博士表示：“應用材料公司在解決電阻難題方面所取得的最新突破，是一個(gè)材料工程創(chuàng )新使得二維微縮得以延續的絕佳范例。創(chuàng )新的Ioniq PVD系統打破了晶體管性能提升所面臨的一個(gè)重大瓶頸，使其在運行速度更快的同時(shí)降低了功率損失。隨著(zhù)芯片復雜度的提升，在高真空中集成多個(gè)工藝的能力對于客戶(hù)改進(jìn)布線(xiàn)以達到其性能和功率的目標來(lái)說(shuō)至關(guān)重要?！?/p>

Endura Ioniq PVD系統現已被全球多家行業(yè)領(lǐng)先的客戶(hù)使用。如需了解更多有關(guān)該系統的信息或者其它用于解決關(guān)鍵布線(xiàn)和互連難題的應用材料公司解決方案，請關(guān)注應用材料公司在美國時(shí)間5月26日舉辦的“芯片布線(xiàn)和集成的新方法”大師課。