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Kilopass 在中國推最新VLT技術(shù)，助力國內DRAM 產(chǎn)業(yè)崛起
- 這幾年國產(chǎn)芯片替代概念推動(dòng)了國內半導體公司的加速發(fā)展。除了處理器芯片外，存儲器的發(fā)展也得包括政府、市場(chǎng)資本、行業(yè)巨頭廠(chǎng)商的高度關(guān)注。不過(guò)，受制于技術(shù)等原因，全球90%的DRAM市場(chǎng)份被三星、海力士和美光三家廠(chǎng)商占據。 現有DRAM的最關(guān)鍵技術(shù)是電容存儲單元，它不僅帶來(lái)了特有的制造挑戰，還被大量專(zhuān)利所保護。 國內廠(chǎng)商想要有所突破，除了加大投入和研發(fā)外，一定程度也需要外力支持。近日，半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass 首席執行官Charlie Che
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲單元在2015年已通過(guò)驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名，我
- 關(guān)鍵字： Kilopass DRAM
Kilopass推出VLT技術(shù)，欲改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)。該技術(shù)顯著(zhù)降低了存儲芯片的成本且與DDR SDRAM完全兼容，使用標準CMOS工藝制造且無(wú)需昂貴的電容結構。 由于當前基于1個(gè)晶體管+1個(gè)電容器(1T1C)存儲單元結構的DRAM解決方案不夠合理，電容器無(wú)法進(jìn)一步縮小，尺寸太大，在20nm工藝上，電容量太低，DRAM技術(shù)自2010年以來(lái)已放緩
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聯(lián)華和Kilopass攜手 進(jìn)行先進(jìn)制程28奈米硅智財合作
- 聯(lián)華電子與半導體邏輯非揮發(fā)性?xún)却?NVM)硅智財領(lǐng)導廠(chǎng)商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性?xún)却婀柚秦攲⒂诼?lián)華電子兩個(gè)28奈米先進(jìn)制程平臺上使用，分別為：適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統單芯片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產(chǎn)品系統單芯片設計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。
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KILOPASS推出適用于尖端SOC芯片的嵌入式邏輯非易失性?xún)却鍵P
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體邏輯非易失性?xún)却?NVM)知識產(chǎn)權模塊(IP)的供應商，Kilopass 科技公司，今天發(fā)布了業(yè)界第一也是迄今唯一一個(gè)4兆比特的非易失性?xún)却姘雽wIP--Gusto。Gusto是唯一足以?xún)Υ鎮鹘y上被存儲在外部串行閃存和EEPROM芯片上的固件及啟動(dòng)代碼的NVM IP。對于一些對成本、功耗和面積因素比較敏感的應用，包括移動(dòng)應用處理器和多媒體處理器，以及高安全性應用如移動(dòng)銀行和有條件接收，它都是理想的選擇。Kilopass已經(jīng)在三個(gè)頂級代工廠(chǎng)——IBM，TSMC和U
- 關(guān)鍵字： KILOPASS NVM IP
NVCM ——PLD便攜應用方案的新選擇
- 根據Semico調查研究，對于可編程邏輯芯片（PLD而言，便攜式應用是一個(gè)快速增長(cháng)的市場(chǎng)，預估可編程邏輯芯片在這些應用領(lǐng)域的市場(chǎng)值將在2010年前超過(guò)6億5000萬(wàn)美元。但是PLD在便攜應用中也是優(yōu)缺點(diǎn)都非常明顯的解決方案。PLD提供了相比ASIC和ASSP更加靈活的設計路徑，通過(guò)提供不同的功能設置，從而設計出差異化的產(chǎn)品。同時(shí)，便攜電子電池供電的局限性，以及在有限空間內集成更多功能而又不影響功耗的考慮，都為FPGA帶來(lái)了不小的障礙。 當前，PLD市場(chǎng)不乏一些針對便攜應用專(zhuān)門(mén)優(yōu)化過(guò)的方案，例如Xil
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