Kilopass把單次可編程型NVM專(zhuān)利授權給中芯國際

　　非易失性存儲芯片(NVM)專(zhuān)利廠(chǎng)商Kilopass公司本周二宣布，將把自己一項有關(guān)單次可編程型NVM產(chǎn)品專(zhuān)利授權給中芯國際使用，中芯國際將使用55nm制程技術(shù)制造使用這項專(zhuān)利技術(shù)的NVM存儲芯片。

　　Kilopass同時(shí)表示，他們已經(jīng)成功完成了基于中芯國際65nm制程產(chǎn)品的流片設計工作，兩家公司自2005年起便建立了合作關(guān)系，當時(shí)Kilopass剛剛把其單次可編程NVM芯片的技術(shù)專(zhuān)利授權給中芯國際制造180nm制程產(chǎn)品。隨后，Kilopass依次又將有關(guān)的技術(shù)授權給了中芯130nm，90nm，65nm級別制程的產(chǎn)品。

　　據Kilopass稱(chēng)，中芯國際的客戶(hù)需要將這種NVM芯片嵌入到多媒體處理器，MCU，RFID IC射頻識別芯片中去，以?xún)Υ鏀祿?，自舉代碼，芯片ID等數據。

　　“很高興看到中芯國際愿意繼續在55nm制程產(chǎn)品上與我們合作研發(fā)NVM存儲芯片技術(shù)。將制程由65nm進(jìn)化到55nm后，芯片的面積和生產(chǎn)成本都將減小20%，而且不需要重新設計掩膜板，這對提高SOC芯片產(chǎn)品的競爭力而言非常有益。”

　　另?yè)﨣ilopass宣稱(chēng)，其授權的雙晶體管型反熔絲(2T antifuse)專(zhuān)利技術(shù)目前為止已經(jīng)被使用在20億片采用單次可編程型NVM存儲技術(shù)解決方案的芯片產(chǎn)品上，這種專(zhuān)利技術(shù)只需要使用標準的CMOS邏輯電路即可構建，不需要變動(dòng)掩膜板設計，芯片的制造工序/制造用設備等也可以保持不變。

　　PS:反熔絲技術(shù)(antifuse)是一種金屬間的可編程互連組件,與消費電子領(lǐng)域常見(jiàn)的閃存技術(shù)在晶體管結構上有所區別，但均可用于存儲數據。反熔絲一般處于開(kāi)路狀態(tài)，且當編程后就形成一個(gè)永久性的無(wú)源低阻抗連接。由于對反熔絲編程需要多個(gè)高壓脈沖，因此，高能粒子不可能改變其編程狀態(tài)。