追隨三星之路　爾必達推出32GB容量模塊

　　日韓DRAM大廠(chǎng)制程競賽延伸至產(chǎn)品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內存模塊后，日系內存大廠(chǎng)爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問(wèn)世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來(lái)也將用此芯片生產(chǎn)32GB內存模塊，應用于服務(wù)器、大型數據中心或其他大型系統等，DRAM大廠(chǎng)在產(chǎn)品規格之戰，逐漸由主流規格2Gb，延伸至4Gb容量。

　　爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保風(fēng)，4Gb DDR3芯片新產(chǎn)品與上一代2Gb的DDR3相比較，可節省30%的耗電量。

　　爾必達進(jìn)一步表示，這項4Gb DDR3芯片新產(chǎn)品最高容量可用于32GB內存模塊，初期應用領(lǐng)域是在服務(wù)器、大型數據中心或其他大型系統等，其他應用范圍還包括消費性電子、個(gè)人計算機 (PC)、游戲機等，而用于大型系統時(shí)，其省電的特性即更能淋漓發(fā)揮。

　　爾必達計劃于2010年第2季試產(chǎn)4Gb DDR3芯片，緊接著(zhù)預計第3季可步入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品線(xiàn)會(huì )于日本廣島廠(chǎng)生產(chǎn)。

　　目前臺系合作廠(chǎng)商包括力晶、瑞晶和茂德都是以63納米制程生產(chǎn)1Gb的DDR3芯片，待下半年45納米制程量產(chǎn)后，將會(huì )開(kāi)始生產(chǎn)2Gb容量的DDR3芯片。

　　三星電子也搶先在3月底推出采用 40納米制程DDR3芯片制成的32GB內存模塊，強調的優(yōu)點(diǎn)是高效能、低耗能，同也樣是以省電和環(huán)保作為訴求之一。

　　爾必達日前也公布 2009年度(2009年4月~2010年3月)財測，成果相當亮麗，正式轉虧為盈，獲利達20億日圓，營(yíng)業(yè)利益也出現3年來(lái)首見(jiàn)獲利，達為260億日圓，主要還是受惠DRAM價(jià)格大漲之賜。

　　2010年爾必達在營(yíng)運策略上，轉向大力支持PC大廠(chǎng)，主要也是因為新機種的換機需求，會(huì )由PC大廠(chǎng)做帶頭示范的作用，因此初期的終端需求都集中在PC身上，目前DRAM缺貨嚴重，預計DRAM缺口會(huì )延續至2010年第3季。