3d-nandflash 文章進(jìn)入3d-nandflash技術(shù)社區

基于A(yíng)RM9的USB設計與實(shí)現

USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線(xiàn)的縮寫(xiě)，因其具有方便易用，動(dòng)態(tài)分配帶寬，容錯性?xún)?yōu)越和高性?xún)r(jià)比等特點(diǎn)，現已成為計算機的主流接口。
關(guān)鍵字： USB CPU NANDFlash SDRAM

3D電影比比皆是，你真的懂3D是什么原理嗎？

3D電影現在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話(huà)，就隨小編一起來(lái)學(xué)習一下吧~~~
關(guān)鍵字： 3d原理 3D

基于3D全息投影技術(shù)助力遠程醫療

加拿大皇后大學(xué)人類(lèi)媒體實(shí)驗室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設備，能將科幻片中經(jīng)常出現的3D虛擬投影變成現實(shí)。這款設備開(kāi)發(fā)本意就是用3D全息影像來(lái)代替現有的平面視頻會(huì )議.
關(guān)鍵字： 3D 全息投影技術(shù) 遠程醫療

基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)

近日科學(xué)家為身在國際空間站或者執行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現實(shí)世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
關(guān)鍵字： 3D 太空手術(shù) 創(chuàng )新技術(shù)

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統設計

介紹了一種基于FPGA的水聲信號數據采集與存儲系統的設計與實(shí)現，給出了系統的總體方案，并對各部分硬件和軟件的設計進(jìn)行了詳細描述。系統以FPGA作為數據的控制處理核心，以存儲容量達2GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統主要由數據采集模塊、數據存儲模塊和RS～232串行通信模塊組成，具有穩定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點(diǎn)，實(shí)驗證明該系統滿(mǎn)足設計要求。
關(guān)鍵字：水聲信號數據采集 NANDFlash FPGA

基于NAND Flash的轉譯層的設計

基于NAND Flash的嵌入式存儲系統以其輕巧便攜、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)成為當前嵌入式存儲系統的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫(xiě)過(guò)程中隨機產(chǎn)生的壞塊影響了NAND Flash的實(shí)際應用，所設計的NAND Flash的驅動(dòng)轉譯層具有壞塊管理機制并實(shí)現上層文件系統的連續讀寫(xiě)功能。
關(guān)鍵字： NANDFlash 壞塊管理存儲系統轉譯層

用IO模擬方式讀寫(xiě)三星系列的NAND FLASH

三星系列的NAND FLASH芯片容量從8MB到256MB（最近聽(tīng)說(shuō)有1G容量的了），對于需要大容量數據存儲的嵌入式系統是一個(gè)很好的選擇，尤其是其接近1MB/元的高性?xún)r(jià)比，更是普通nor flash無(wú)法比擬的。本文以K9F2808U0C為例，采用AVR芯片連接，進(jìn)行了初步的讀寫(xiě)試驗，完成了芯片的ID讀出功能。
關(guān)鍵字： IO模擬方式 NANDFlash

移動(dòng)通信發(fā)展與天線(xiàn)技術(shù)的創(chuàng )新

隨著(zhù)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長(cháng)，移動(dòng)寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動(dòng)寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動(dòng)用戶(hù)連接數預計將達到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動(dòng)用戶(hù)連接數之和也將達到24億，占據全球總量的三分之一以上。這些數據表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長(cháng)。
關(guān)鍵字：移動(dòng)通信天線(xiàn)技術(shù) 創(chuàng )新 3D-MIMO 波束智能賦型

3D NAND延續摩爾定律電容耦合效應及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀(guān)察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關(guān)鍵字：摩爾定律 3D NAND

2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐

　　2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(cháng)2%，而前十大半導體業(yè)者的營(yíng)收則成長(cháng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類(lèi)型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年營(yíng)收成長(cháng)動(dòng)能最強的產(chǎn)品，成長(cháng)幅度超過(guò)30%;車(chē)用半導體的市場(chǎng)規模也比2015年成長(cháng)9.7%。　　IHS預期，由于市場(chǎng)需求強勁，2017年內存市場(chǎng)的營(yíng)收規?？赏賱?chuàng )新高，車(chē)用半導體市場(chǎng)的規模則有機會(huì )成長(cháng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現將出現穩健成長(cháng)。
關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash

三星 3D NAND 快閃存儲器新廠(chǎng)上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠(chǎng)施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。　　三星新芯片廠(chǎng)于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠(chǎng)，為三星史上最大單一產(chǎn)線(xiàn)投資項目。據三星表示，新廠(chǎng)第一階段施工目前已完成九成。　　新芯片廠(chǎng)主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統硬盤(pán)，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。　　市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

發(fā)展3D NAND閃存的意義

“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì )”于2017年1月14日在上海召開(kāi)，長(cháng)江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰略思考。
關(guān)鍵字：存儲器 3D NAND DRAM 20170203

迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠(chǎng)43億美元

　　據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠(chǎng)，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠(chǎng)第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開(kāi)始在西安廠(chǎng)的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設備及人力費用。　　三星目前只使用西安廠(chǎng)腹地約34萬(wàn)坪中的2
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

ARM開(kāi)發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍

　　實(shí)驗目的：突破4KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現“點(diǎn)燈大法”，借此掌握NandFlash的操作?！　?shí)驗環(huán)境及說(shuō)明：恒頤S3C2410開(kāi)發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！　?shí)驗思路：開(kāi)發(fā)板上電啟動(dòng)后，自動(dòng)將NandFlash開(kāi)始的4K數據復制到SRAM中，然后跳轉到0地址開(kāi)始執行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調用NandFlash讀函數操作
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(cháng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤(pán)市場(chǎng)的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優(yōu)先選擇。
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD