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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤(pán)
- 美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎設施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤(pán)基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤(pán)上無(wú)法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經(jīng)濟實(shí)惠的 SATA 平臺。 利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤(pán)的成熟架構和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
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2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì )那么樂(lè )觀(guān)了，由于大廠(chǎng)3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì )太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來(lái)說(shuō)，2018年在Fab端并無(wú)新增產(chǎn)能，頂多就
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3D NAND存儲助力智能手機應用進(jìn)入新時(shí)代
- 前言 全球的智能手機用戶(hù)一直在不斷尋求更好的移動(dòng)體驗。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應用，而且還使用更為復雜的應用來(lái)支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導航、圖像采集以及虛擬現實(shí)(VR)/增強現實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步?！ ≡谀承┑貐^，智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設備，因此用戶(hù)對它們的依賴(lài)程度非常高，已經(jīng)習慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶(hù)群，這些用戶(hù)經(jīng)常使用高級在線(xiàn)支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲
美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃的最新動(dòng)態(tài)
- 美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃的最新動(dòng)態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開(kāi)發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場(chǎng)?！ 〈舜伟l(fā)布內容包括兩家公司商定將各自獨立開(kāi)發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開(kāi)發(fā)，該技術(shù)將在 2018 年末交付，并持續到 2019 年初。在此技術(shù)節點(diǎn)之后，兩家公司將獨
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ARM平臺數據為何會(huì )莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，因而越來(lái)越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個(gè)讓無(wú)數工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC
東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠(chǎng)
- 2017 年是 NAND Flash 閃存廠(chǎng)商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠(chǎng)商的營(yíng)收，同時(shí)還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠(chǎng)商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(chǎng)(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(chǎng)(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場(chǎng)仍將持續吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。 內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著(zhù) 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
成本節省高達50%：Stratasys在中國市場(chǎng)推出全新經(jīng)濟型材料
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導者 Stratasys中國(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Stratasys)宣布，專(zhuān)門(mén)為本地市場(chǎng)推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布，即刻上市?！ tratasys此次推出的兩款材料為本地市場(chǎng)帶來(lái)了高價(jià)值的新選擇，大大降低了專(zhuān)業(yè)3D打印應用的門(mén)檻。這兩種材料均經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物，可為形狀、匹配度與功能測試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
- 關(guān)鍵字： Stratasys 3D 打印
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(cháng)
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續七季上揚，是歷來(lái)漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠(chǎng)打算調降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，有人說(shuō)三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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費恩格爾：全面屏時(shí)代的3D—TOF
- 談到生物識別，有兩點(diǎn)不得不談，其中一個(gè)是算法，另一個(gè)便是傳感器。在費恩格爾CEO黃昊看來(lái)，生物識別的關(guān)鍵在于算法，算法是提供今天生物識別行業(yè)的基礎。 細細看來(lái)，從光學(xué)指紋到電容指紋，從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內指紋，這是整個(gè)指紋識別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識別在手機端的應用提高到一個(gè)新高度，出現了人臉識別算法。不變的是，人臉識別在智能手機的出現，它最重要的一個(gè)前提就是自學(xué)算法對傳統人臉識別算法的支撐。 指紋傳感器也被堪稱(chēng)為生物
- 關(guān)鍵字： 全面屏 3D-TOF
潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉換至64/72層3D NAND規格，隨著(zhù)制程轉換完成，全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長(cháng)潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準備好了，呈現蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉換不順、數據中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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