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3d-tof 文章 進(jìn)入3d-tof技術(shù)社區
3D ToF開(kāi)發(fā)太耗時(shí)?快捷方案來(lái)了!
- 本文將討論 ToF 的基本原理,然后介紹?Broadcom?的光學(xué) ToF 評估套件,借助該套件,開(kāi)發(fā)人員能夠快速進(jìn)行精確的 1D 和 3D 距離測量應用原型設計,并可快速實(shí)現定制的光學(xué) ToF 感測解決方案。在從工業(yè)感測到基于手勢的用戶(hù)界面等各種應用中,光學(xué)飛行時(shí)間 ?(ToF) 距離測量扮演著(zhù)重要角色。隨著(zhù)精確、高速多像素 ToF 傳感器的出現,開(kāi)發(fā)人員可以實(shí)現這些應用中需要的更復雜的三維 (3D) ?感測算法。然而,由于多像素光學(xué)感測子系統相當復雜,開(kāi)發(fā)時(shí)間會(huì )
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鎧俠公布藍圖:2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊
- 近日,據媒體報道,日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖,目標2027年實(shí)現1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來(lái),3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng),從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度,預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年,據日本媒體今年4月報道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示,公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%
- 6月25日消息,據媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展,并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過(guò)一半(即561個(gè))為良
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西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件,持續布局3D IC市場(chǎng)
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析,幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具,能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利,準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
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聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用,預計今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì ),公布2024年第一季財報,合并營(yíng)收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運效率提升,仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
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TDK的下一代超聲波時(shí)間飛行傳感器將拓展物聯(lián)網(wǎng)和機器人應用的新大眾市場(chǎng)
- ●? ?The InvenSense SmartSonicTM?ICU-10201 高性能超聲波 ToF 傳感器搭載強大的嵌入式處理器并擴展了存儲空間, 能在芯片上實(shí)現完整的應用算法●? ?非常適合物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和機器人應用,MEMS 傳感器可滿(mǎn)足避障、材質(zhì)識別和液位測量應用的高精度測量要求●? ?ICU-10201現已全面上市,可在全球多家代理商訂購TDK株式會(huì )社隆重宣布其具有片上處理能力的 InvenSense?&n
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如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對我們3D視覺(jué)相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(cháng)的工作距離,速度更快,點(diǎn)云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著(zhù)減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當在高端GPU上運行時(shí),我們推薦的預設和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中,內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下,HBM 內存很火,它相對于傳統 DRAM,數據傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前,各大內存芯片廠(chǎng)商,以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
- 關(guān)鍵字: 3D DRAM
3D NAND,1000層競爭加速!
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
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ST多區ToF:厲害的VL53L5,以及更厲害的L7、L8
- VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技術(shù)的多區飛行時(shí)間(ToF)傳感器。所有ST多區飛行時(shí)間傳感器有以下共同特點(diǎn):? 都使用直方圖,并且擁有4X4或8X8個(gè)區域。? 具備自主模式,無(wú)需與芯片進(jìn)行交互。一旦設置了開(kāi)始及中斷時(shí)間,它會(huì )在觸發(fā)事件出現時(shí)自動(dòng)中斷。? 通過(guò)I2C接口,傳輸速率可達1兆赫。對于那些產(chǎn)生數據量巨大的應用就非常方便。? 具備運動(dòng)指示器,能夠提醒您是否有動(dòng)作發(fā)生。? 具有相同的軟件驅動(dòng)程序,在STM3
- 關(guān)鍵字: ToF ST 傳感器
3d-tof介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d-tof!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d-tof的理解,并與今后在此搜索3d-tof的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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