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3d-l4000視覺(jué)系統
3d-l4000視覺(jué)系統 文章 進(jìn)入3d-l4000視覺(jué)系統技術(shù)社區
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，整個(gè)項目預
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
美光3D NAND創(chuàng )新低成本制程分析
- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續讀取/寫(xiě)入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據稱(chēng)也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現有越來(lái)越多的電腦設備開(kāi)始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認的
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會(huì )需要存儲芯片。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠(chǎng)商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商帶動(dòng)數據中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠(chǎng)商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM
美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準中高階手機市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專(zhuān)訪(fǎng)表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機市場(chǎng)，此區塊市場(chǎng)占全球智能型手機總數的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資
- 據韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。 市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長(cháng)率(CARG)47%的速度成長(cháng);清華紫光以新成立的長(cháng)江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權收購，成立長(cháng)江存儲科技有限責任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì )上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統籌存儲器事業(yè)的副社長(cháng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì )上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準。 東芝為全球第2大NAND Flash廠(chǎng)商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅報(
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D NAND
Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力
- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀(guān)察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(chǎng)(Integrated Device Ma
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 美光
3d-l4000視覺(jué)系統介紹
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