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32nm
32nm 文章 進(jìn)入32nm技術(shù)社區
特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉入28nm
- 新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝,明年上半年再進(jìn)一步轉入28nm。 特許半導體很可能會(huì )在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線(xiàn)的試運行計劃,并披露28nm Bulk CMOS工藝路線(xiàn)圖,另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 特許的28nm工藝并非獨立研發(fā),而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的,將會(huì )使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。 特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市
- 關(guān)鍵字: 特許半導體 32nm 28nm Gate-first
“芯”路歷程 45nm時(shí)代還能維持多久?
- 納米技術(shù)在芯片界中的發(fā)展速度相當可觀(guān),而對于目前企業(yè)級處理器發(fā)展領(lǐng)域中主要還是靠45nm獨當一面,而隨著(zhù)45nm工藝的日趨成熟,各個(gè)芯片廠(chǎng)商卻早已開(kāi)始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線(xiàn),接下來(lái)的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國際電子組件會(huì )議(IEDM)上,主要的會(huì )議切入點(diǎn)集中放在了32nm工藝之上,并且英特爾(Intel)公司在此次會(huì )議中,對32nm制程技術(shù)的細節進(jìn)行闡述,并計劃于2009年第四季投產(chǎn),以推出更大能源效率、更高密度、效能更強的晶體管。 從最早的1965年英特
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ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)
- 意法半導體和法國電子信息技術(shù)實(shí)驗室CEA-LETI宣布,法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長(cháng),以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層,齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司,共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴,與雙方簽署了重要的技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議。 Nano2012是由意法半導體領(lǐng)導的國家/私營(yíng)戰略研發(fā)項目,聚集研究院和工業(yè)合作伙伴,得到法國國家、地區和本地政府的財政支持,旨
- 關(guān)鍵字: ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
32nm節點(diǎn)的PVD設備暗戰?

- 半導體產(chǎn)業(yè)的低谷擋不住技術(shù)前進(jìn)的腳步。近期兩大設備廠(chǎng)商Applied Materials和Novellus相繼推出了新型PVD機臺,目標均鎖定為32nm及更小的技術(shù)節點(diǎn)。 5月28日,設備巨頭Novellus宣布開(kāi)發(fā)出HCM(中空陰極磁電管)PVD技術(shù),稱(chēng)為IONX XL。該機臺可滿(mǎn)足3Xnm技術(shù)節點(diǎn)的薄阻擋層淀積,主要的服務(wù)對象為存儲器制造廠(chǎng)商。由于在3Xnm節點(diǎn),存儲器的CD相比邏輯器件要小30%,存儲器的銅互連中將更多的采用高深寬比的結構,這為阻擋層和晶籽層的臺階覆蓋性帶來(lái)了挑戰。
- 關(guān)鍵字: Novellus 半導體 PVD 32nm
Globalfoundries稱(chēng)今年第四季度將開(kāi)始32nm制程生產(chǎn)

- ?Globalfoundries公司計劃于09年第四季度開(kāi)始正式32nm制程芯片的生產(chǎn)。該公司宣稱(chēng)將從第四季度開(kāi)始接受生產(chǎn)訂單,如果一切正常,那么2010年就可以按訂單要求生產(chǎn)出32nm制程芯片。 ? ? 顯然該公司的第一批客戶(hù)將是AMD的處理器和顯卡芯片,不過(guò)現在還很難說(shuō)Globalfoundries能否比臺積電更早拿出基于32nm制程的方案,如果答案是“能”,那么屆時(shí)的業(yè)界恐怕又要激起一輪大波。 目前,該公司旗下只有一間Fab1工廠(chǎng)
- 關(guān)鍵字: Globalfoundries 芯片 32nm
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