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32nm
32nm 文章 進(jìn)入32nm技術(shù)社區
32nm制程用沉浸光刻設備客戶(hù)需求量劇增：ASML公司召回先前遭辭退員工
- 據荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導體廠(chǎng)商對沉浸式光刻設備的需求量劇增，著(zhù)名光刻廠(chǎng)商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還 招聘了數百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)還預計公司將可保證各個(gè)客戶(hù)對光刻設備的訂單需求。 由于消費電子設備以及PC市場(chǎng)對高密度芯片的需求在不斷上升，ASML公司的高管表示他預計他的客戶(hù)們在今明兩年不會(huì )碰上所生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品供過(guò)于求的情況。 據ASML公司今年一季度公布的財報數據顯示，這家光刻廠(chǎng)商今年一季度末的N
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Intel 32nm制程處理器7/8月份將升級至K0新步進(jìn)
- Intel公司近日宣布，今年1月份正式發(fā)布的幾款32nm制程處理器，包括：奔騰G6950,Core i3-530， i3-540, i5-650, i5-660, i5-661以及i5-670這7款處理器今年夏季將由目前的C2步進(jìn)制程提升到K0步進(jìn)制程。新K0步進(jìn)32nm制程處理器與原有的C0步進(jìn)處理器針腳 完全兼容，不過(guò)需要對主板BIOS更新之后才能正常使用，以下是K0步進(jìn)的主要改進(jìn)之處： - 新K0步進(jìn)處理器將采用新的S-spec代號和MM產(chǎn)品代號; - CPUID數據將由原來(lái)的0
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Intel 32nm移動(dòng)處理器短缺全面告急
- 從今年三月份開(kāi)始，Intel發(fā)布沒(méi)多久的32nm工藝Arrandale Core ix系列移動(dòng)處理器陷入了短缺，時(shí)至今日仍然沒(méi)有緩解，而且有越發(fā)嚴重的架勢。 全球大型分銷(xiāo)商肯沃(Converge)的最新報告稱(chēng)：“我們正經(jīng)歷著(zhù)Intel Arrandale處理器的全面短缺。Core i3-330M、Core i3-350M、Core i5-430M(均為熱門(mén)型號)的供貨都嚴重不足，因為OEM廠(chǎng)商正在從 Intel Montevina平臺(迅馳2)轉移。這就導致(上述處理器)四月份期間的
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32nm制程產(chǎn)品四季度將占Intel桌面處理器份額的27%
- 據Intel的內部計劃顯示，45nm制程處理器目前占了其桌面處理器總數的87%，而32nm制程產(chǎn)品則占10%的Nehalem處理器份額。另 外，65nm制程處理器所占的份額則仍有3%左右，不過(guò)在今年第二季度，65nm制程的產(chǎn)品在桌面處理器中所占的份額將降到2%，45nm產(chǎn)品則會(huì )降到 83%，而32nm制程產(chǎn)品則會(huì )增長(cháng)60%，達到16%的水平。 到第三季度，Intel計劃繼續縮減其65nm制程產(chǎn)品的份額，將其降到僅1%左右，而45nm制程產(chǎn)品的份額則會(huì )降到79%，32nm制程產(chǎn)品則會(huì )提升到20%。
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32nm制程三位元技術(shù)：SanDisk推出32GB手機存儲卡
- SanDisk公司近日宣布推出一款32GB超大容量的智能手機microSDHC存儲卡產(chǎn)品，這款產(chǎn)品也是目前為止容量最大的手機存儲卡。目前，智能手 機用外插MicroSD存儲卡的容量最大只有16GB，不過(guò)這款32GB的大容量產(chǎn)品卻正好可以滿(mǎn)足蘋(píng)果iPhone 3GS和谷歌Nexus One等手機的最大外插存儲卡容量。此外，今年一月份，SanDisk--東芝閃存聯(lián)盟的對手韓國廠(chǎng)商三星曾宣布會(huì )于本月開(kāi)始批量銷(xiāo)售32GB容量的 MicroSD卡產(chǎn)品。 這次SanDisk上市的32GB
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傳Intel Sandy Bridge架構處理器明年一季度推出
- 盡管過(guò)去Intel一直在遵守 ”tick - tock“法則定期輪番推出采用基于新制程和新架構的處理器產(chǎn)品，但這一次他們恐怕不會(huì )按照這道鐵律的規定于今年第四季度推出基于下一代Sandy Bridge架構的新處理器產(chǎn)品，據Fudzzilla網(wǎng)站從主板業(yè)者那里得到的消息顯示，Intel這款新處理器的發(fā)布日期恐怕會(huì )稍微后延到明年第一季度。 Sandy Bridge 將是現有Nehalem架構的下一代處理器架構，預計在Sandy Bridge中Intel會(huì )進(jìn)一步提升處理器的性能并
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賭城再掀電子風(fēng)云 CES2010硬件核心看點(diǎn)
- 全球最受矚目的消費電子大展CES 2010即將在本月7號美國拉斯維加斯如期舉辦舉辦。據悉本次展會(huì )將規?？涨?，預期會(huì )有950余家廠(chǎng)商參展，并吸引來(lái)自140個(gè)國家逾2萬(wàn)多名專(zhuān)業(yè)人士參觀(guān)。 CES2010即將上演 CES展會(huì )不僅是消費電子廠(chǎng)商的展示盛宴，也是平板電視和相關(guān)娛樂(lè )行業(yè)的重要展示窗口。歷年在CES上出現的產(chǎn)品甚至一些概念性產(chǎn)品都會(huì )迅速的出現在零售市場(chǎng)。因此CES展會(huì )也被看成了解本年度平板電視發(fā)展動(dòng)態(tài)的風(fēng)向標之一。 本次CES展會(huì )下設廠(chǎng)商交流會(huì )議專(zhuān)場(chǎng)，從6號開(kāi)始共計250余場(chǎng)分
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東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
- 日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jì)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠(chǎng)商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過(guò)目前東芝所售出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠(chǎng)商乃至終端客戶(hù)便無(wú)法享受到32nm制程技術(shù)帶來(lái)低成本實(shí)惠。 不過(guò)東芝近日宣布，他們將開(kāi)始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品，并將于本季度推出
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32nm制造工藝到底有多小 Intel來(lái)告訴你
- 2010年1月7日，Intel將會(huì )借著(zhù)CES 2010大展的機會(huì )正式發(fā)布首批32nm工藝處理器，包括桌面版Clarkdale和移動(dòng)版Arrandale。關(guān)于32nm，我們一般只知道它是個(gè)非常小的尺度，那么到底有多小呢? 1、“nm”中文名納米，1納米相當于1米的十億分之一。十億是個(gè)很大的數了：這么多紙張堆疊起來(lái)會(huì )有100公里高，人走上十億步就可以環(huán)繞地球20圈了。 2、貝爾實(shí)驗室1947年制造的第一個(gè)晶體管是手工打造的，而現在一個(gè)針頭的空間就能塞進(jìn)去6000多萬(wàn)個(gè)3
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傳臺積電取消32nm工藝
- 據稱(chēng)，全球第一大半導體代工廠(chǎng)臺積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。 臺積電方面尚未就此發(fā)表官方評論，不過(guò)已經(jīng)有多個(gè)消息來(lái)源確認了這一點(diǎn)。 不過(guò)這并不意味著(zhù)臺積電的新工藝研發(fā)就走進(jìn)了死胡同。 事實(shí)上，臺積電在今年八月底就已經(jīng)在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實(shí)現了相同的良品率。 按照規劃，臺積電將在明年前三個(gè)季度分別開(kāi)始試產(chǎn)28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗
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中國32nm技術(shù)腳步漸近
- 32nm離我們還有多遠?技術(shù)難點(diǎn)該如何突破?材料與設備要扮演何種角色?10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導體技術(shù)研討會(huì )即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰”這一主題進(jìn)行了探討。 32nm節點(diǎn)挑戰無(wú)限 “45nm已進(jìn)入量產(chǎn)，32nm甚至更小的22nm所面臨的挑戰已擺在我們面前。”中芯國際資深研發(fā)副總裁季明華博士在主題演講時(shí)說(shuō)，“總體來(lái)說(shuō)，有四個(gè)方面值得我們注意。首先是CMOS邏輯器件如何與存儲器件更還的集成在一起;其次是SOC技術(shù)的巨大挑戰，
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ARM 32nm 制程芯片有望明年底上市
- 在22日舉辦的ARM Techcon03技術(shù)年會(huì )上，通用平臺聯(lián)盟(CPA:由IBM,特許半導體以及三星等公司組成的組織)與ARM一起介紹了32/28nm HKMG低功耗制程技術(shù)在A(yíng)RM處理器上的應用計劃。 ARM的32/28nm HKMG低功耗制程化工作進(jìn)展及推廣計劃： 去年ARM曾在Cortex-M3處理器上試用了32nm制程技術(shù)，今年8月份，首款測試用28nm制程的Cortex-M3處理器也進(jìn)行了展示。會(huì )上雙方講解了從40nm制程遷移至更高級別制程的優(yōu)點(diǎn)和需要克服的技術(shù)問(wèn)題，而本月AR
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數
- 在最近召開(kāi)的GSA會(huì )議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱(chēng)其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì )在這個(gè)會(huì )議上展示其最新的制造設備。 據稱(chēng)目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過(guò)按AMD原來(lái)的計劃，32nm SOI制程將在2
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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱(chēng)該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動(dòng)態(tài)存儲器。 IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個(gè)存儲單元只有一個(gè)單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。 IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時(shí)間可以小于2納秒，與同類(lèi)SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。 IBM希望將3
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