特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉入28nm

　　新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉入28nm。

　　特許半導體很可能會(huì )在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線(xiàn)的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線(xiàn)圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。

　　特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會(huì )使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。

　　特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市舉行，由該公司CEO謝松輝(Chia Song Hwee)主持，4日還會(huì )在上海舉辦類(lèi)似的會(huì )議。