gate-first 文章進(jìn)入gate-first技術(shù)社區

基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風(fēng)機解決方案

近年來(lái)，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動(dòng)駕駛”等時(shí)髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領(lǐng)域，但其實(shí)，有一個(gè)已經(jīng)真正落地，大部分人都還沒(méi)注意到的應用——直流無(wú)刷電機（BLDC）市場(chǎng)正在悄然興起，而且成長(cháng)迅速。根據市場(chǎng)公開(kāi)的資料，2018年全球無(wú)刷直流電機的市場(chǎng)規模為153.6億美元，樂(lè )觀(guān)的市場(chǎng)研究機構預計未來(lái)五年，市場(chǎng)將會(huì )以13%的年復合增長(cháng)率持續增長(cháng)；當然也有機構認為年復合增長(cháng)率會(huì )在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長(cháng)率，這個(gè)市場(chǎng)都非常值得期待。由于BLDC本身可以節約能源，
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由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
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許多高速數據采集應用，如激光雷達或光纖測試等，都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復信號，因此對于數據采集系統的設計來(lái)說(shuō)，最大的挑戰就是如何最大限度地減少噪聲的影響。利用信號平均技術(shù)，可以讓您的測量測試系統獲取更加可靠的、更加有效的測試數據。
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摘要文中對適用于高速突發(fā)通信的基于數字濾波平方的定時(shí)同步算法進(jìn)行了研究。通過(guò)對在高速數據傳輸通信中，該定時(shí)同步環(huán)路的定時(shí)誤差估計模塊進(jìn)行并行結構實(shí)現，大幅降低了系統對于時(shí)鐘的要求，且更加易于實(shí)現;將文
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　　據消息來(lái)源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來(lái)的計劃，他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來(lái)制作high-k型器件。不過(guò)也有人認為三星很可能只在28/32nm制程中才會(huì )采用gate-first工藝，而在22nm制程則會(huì )轉向采用gate-last工藝。于此同時(shí)，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門(mén)的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
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　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線(xiàn)的臺積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過(guò)據臺積電負責技術(shù)研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現計劃。　　Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對硅片進(jìn)行漏/源區離子注入操作以及隨后的高溫
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　　新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉入28nm。　　特許半導體很可能會(huì )在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線(xiàn)的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線(xiàn)圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。　　特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會(huì )使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。　　特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市
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　　臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營(yíng)收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競爭對手，仍是來(lái)自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。　　臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍圖，預計2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
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現在，汽車(chē)行業(yè)的創(chuàng )新幾乎完全由智能電子技術(shù)驅動(dòng)，很多情況下這也是唯一可以實(shí)現新功能特性的途徑。為了支持針...
關(guān)鍵字： MCU 汽車(chē)行業(yè) 半導體行業(yè) 非易失存儲器高可靠性工藝范圍保護單元 X-GATE 半導體產(chǎn)品半導體技術(shù)

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