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28納米
28納米 文章 進(jìn)入28納米技術(shù)社區
FPGA 28納米市場(chǎng)戰火升溫 晶圓代工巨頭激烈角逐
- 可程序邏輯閘陣列芯片(FPGA)雙雄賽靈思(Xilinx)與阿爾特拉 (Altera)先后推出28納米FPGA產(chǎn)品，不僅使FPGA市場(chǎng)戰火升溫，也讓晶圓代工市場(chǎng)激烈角逐，在Xilinx首度與臺積電攜手合作后，Altera在28納米產(chǎn)品的布局上亦相當積極，近期亦展示在28納米 FPGA平臺上的25-Gbps收發(fā)器，FPGA雙雄的激烈競賽，預料臺積電將成為最大受惠者。 Altera指出，在28納米FPGA中展示25-Gbps收發(fā)器，是收發(fā)器產(chǎn)品的里程碑，該芯片是Altera用于在28納米FPGA上，
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巴克萊分析師看空半導體
- 外資半導體產(chǎn)業(yè)看板分析師陸行之跳槽巴克萊后，首度出具亞太除日本外半導體產(chǎn)業(yè)研究報告指出，預估半導體產(chǎn)能利用率將于明年上半年以前下滑至 70-75%，并推估半導體業(yè)明年營(yíng)收年減3-5%，明年首季營(yíng)收則季減15-20%，因此首評亞洲除日本外半導體業(yè)為負向，且預期市場(chǎng)對明年半導體業(yè)的獲利預測將在未來(lái)半年內下修20%，甚至更多，另首評半導體、封測及PCB等7檔個(gè)股，僅給予臺積電、南電的評等為加碼。 陸行之認為，半導體產(chǎn)業(yè)長(cháng)線(xiàn)面臨五大結構性改變，包括(1)由于臺積電在HKMG技術(shù)的適應力，預期臺積電在28
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FPGA 28納米激戰 臺積電可望受惠
- 可程序邏輯閘陣列芯片(FPGA)雙雄賽靈思(Xilinx)與阿爾特拉(Altera)先后推出28納米FPGA產(chǎn)品，不僅使FPGA市場(chǎng)戰火升溫，也讓晶圓代工市場(chǎng)激烈角逐，在Xilinx首度與臺積電攜手合作后，Altera在28納米產(chǎn)品的布局上亦相當積極，近期亦展示在28納米 FPGA平臺上的25-Gbps收發(fā)器，FPGA雙雄的激烈競賽，預料臺積電將成為最大受惠者。 Altera指出，在28納米FPGA中展示25-Gbps收發(fā)器，是收發(fā)器產(chǎn)品的里程碑，該芯片是Altera用于在28納米FPGA上，成
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三星晶圓代工跨入28納米
- 韓國半導體大廠(chǎng)三星電子7日來(lái)臺舉辦第7屆三星行動(dòng)解決方案年度論壇，三星電子半導體事業(yè)部社長(cháng)權五鉉表示，三星雖然2005年才開(kāi)始跨足晶圓代工市場(chǎng)，但積極提升競爭力，目前45納米及32納米已量產(chǎn)，明年將導入28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，且會(huì )較聚焦在低功耗及應用處理器(AP)市場(chǎng)。 業(yè)者認為，三星除了會(huì )更積極爭取蘋(píng)果iPhone及iPad等AP芯片代工訂單，也會(huì )以其在手機及數字家電市場(chǎng)的集團優(yōu)勢，爭取手機芯片或電視芯片等代工訂單。加上三星有內存事業(yè)的龐大現金流作為奧援，未來(lái)幾年的確可能成為臺
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AMD計劃第四季度推40納米顯示芯片
- 顯示芯片廠(chǎng)商AMD因提前競爭對手英偉達(NVIDIA)推出支持DirectX11的40納米顯示芯片Evergreen(RV870)，第2季市占率大躍進(jìn)至24.4%，為了加速產(chǎn)品世代交替速度，拉大與英偉達間市占率距離，AMD第4季將推出新一代40納米顯示芯片Southern Islands，仍將交由臺積電(2330)代工。 此外，AMD已開(kāi)始著(zhù)手進(jìn)行28納米顯示芯片設計作業(yè)，臺積電及全球晶圓(GlobalFoundries)均可獲得訂單，預計明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)投片。 根據市調機構Jon Pe
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賽靈思28納米FPGA明年量產(chǎn) 強攻ASIC陣地
- 現場(chǎng)可編程邏輯閘陣列芯片(FPGA)近年來(lái)加速取代特殊應用芯片(ASIC)市場(chǎng)，FPGA雙雄賽靈思(Xilinx)與阿爾特拉(Altera)先后推出28納米FPGA產(chǎn)品，可望加速FPGA取代ASIC市場(chǎng)，賽靈思亞太區營(yíng)銷(xiāo)及應用總監張宇清指出，28納米FPGA可大幅提升效能，并降低功耗與價(jià)格，拓展以往FPGA無(wú)法取代的ASIC市場(chǎng)，加速FPGA 市場(chǎng)的成長(cháng)力道。 張宇清指出，FPGA要取代ASIC市場(chǎng)有4大障礙，包括需要提高更大的容量、更高的系統效能、更低的功耗與更低的成本，過(guò)去在40納米雖然已有
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臺積電力推OIP 完整伙伴體系助客戶(hù)推進(jìn)2x納米
- 晶圓代工制程推進(jìn)至2x納米以下先進(jìn)技術(shù)，不論在設計或制程上皆面臨更嚴峻的考驗，晶圓代工廠(chǎng)亦積極為客戶(hù)打造設計環(huán)境，IBM陣營(yíng)近年來(lái)力推共通平臺(Common Platform)，臺積電則推出開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)，臺積電設計暨技術(shù)平臺副總經(jīng)理許夫杰表示，進(jìn)入2x納米以下，客戶(hù)仍會(huì )不斷擔憂(yōu)良率問(wèn)題，不過(guò)已有近百家的電子設計自動(dòng)化(EDA)、矽智財(IP)伙伴加入，擁有完整的生態(tài)體系，能協(xié)助客戶(hù)進(jìn)入2x納米制程。 臺積電開(kāi)放創(chuàng )新平臺亦即結合臺積電的制程技術(shù)與IP、EDA、IC設計業(yè)者，從前段設計到后
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臺積電心中有個(gè)夢(mèng)
- 臺積電中科12英寸超大型晶圓廠(chǎng)(GIGAFAB)晶圓15廠(chǎng) (Fab15) 16日舉行動(dòng)土典禮，董事長(cháng)張忠謀親自主持動(dòng)土儀式。他表示，未來(lái)將陸續投入該廠(chǎng)新臺幣3，000億元資金，折合90億美元，并預計在2011年6月開(kāi)始裝機，于2012年首季進(jìn)行28納米制程的量產(chǎn)。 臺積電晶圓15廠(chǎng)是繼晶圓14廠(chǎng)之后，沉寂了多年的重大投資建廠(chǎng)案，也是臺積電第3座超大型晶圓廠(chǎng)，亦是第2座具28納米制程能力的晶圓廠(chǎng)。 為了滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求，除Fab15外，臺積電也不斷進(jìn)行竹科晶圓12廠(chǎng)(Fab12)與南科晶圓1
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Cadence針對28納米工藝為T(mén)SMC模擬/混合信號設計參考流程1.0版提供廣泛支持
- 全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)導廠(chǎng)商Cadence設計系統公司今天宣布，支持臺灣積體電路制造股份有限公司 (以下簡(jiǎn)稱(chēng)TSMC) 模擬/混合信號(以下簡(jiǎn)稱(chēng)AMS)設計參考流程1.0版，以實(shí)現先進(jìn)的28納米工藝技術(shù)。Cadence與TSMC在這項全新設計參考流程上的合作，將可協(xié)助促進(jìn)高級混合信號設計的上市時(shí)間，幫助降低在設計基礎架構的多余投資，并提高投資回報率。 “與Cadence之間的合作伙伴關(guān)系，是客戶(hù)實(shí)現高級模擬/混合信號設計成功不可或缺的一環(huán)，”TSMC設計方法與服務(wù)行銷(xiāo)副處長(cháng)T
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TSMC宣布三項能加速系統規格至芯片設計完成時(shí)程的創(chuàng )新技術(shù)
- TSMC 7日宣布擴展開(kāi)放創(chuàng )新平臺服務(wù)，增加著(zhù)重于提供系統級設計、類(lèi)比/混合訊號/射頻設計(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二維/三維集成電路(2-D/3-D IC)的設計服務(wù)。TSMC亦同時(shí)針對上述新增的服務(wù)，宣布開(kāi)放創(chuàng )新平臺的三項創(chuàng )新技術(shù)。 TSMC自2008年推出促進(jìn)產(chǎn)業(yè)芯片設計的開(kāi)放創(chuàng )新平臺后，幫助縮短產(chǎn)品上市時(shí)程，改善設計投資的報酬，并減少重復建構設計工具的成本。此開(kāi)放創(chuàng )新平臺包含一系列可相互操作支援的各種設計平臺介面、及合作元件與設計流程，能促進(jìn)供應鏈
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Global Foundries宣布擴充德國與紐約12寸廠(chǎng)產(chǎn)能
- 全球晶圓(Global Foundries)在臺北計算機展(COMPUTEX)首日在臺舉行記者會(huì )，宣布一系列擴產(chǎn)計畫(huà)，執行長(cháng)Douglas Grose指出，Global Foundries將擴充12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，位于德國的Fab1將成為歐洲首座Giga Fab，另外也將目前正在興建的紐約Fab8，將每月產(chǎn)能增加到6萬(wàn)片。 Douglas Grose表示，德國Fab1將成為歐洲首座Giga Fab與最大的12寸廠(chǎng)，產(chǎn)能增加33%，由每月6萬(wàn)片提升到8萬(wàn)片，用以增加45奈米、40奈米與28奈米制程產(chǎn)
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TSMC推出先進(jìn)工藝之互通式電子設計自動(dòng)化格式
- TSMC7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過(guò)驗證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」之一部份。
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TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設計自動(dòng)化格式
- TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過(guò)驗證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」之一部份
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28納米介紹
就是指制造工藝，比如說(shuō)CPU，以前的制造工藝是130nm，后來(lái)又出現了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機主板芯片里面的半導體溝道之間的距離，現在做到28納米了，之所以賣(mài)家要說(shuō)這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來(lái)會(huì )出現負面的效應，耗能散熱的問(wèn)題，電子通過(guò)的通道越窄，一來(lái)是工藝越難 [ 查看詳細 ]
28納米資料下載
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